Svolta maiò in a tecnulugia di lifting laser di carburo di siliciu di 12 pollici

Summariu

1. Svolta maiò in a tecnulugia di lift-off laser di carburo di siliciu di 12 pollici

2.​​Parechje significati di a scuperta tecnologica per u sviluppu di l'industria SiC​​

3. Prospettive future: U sviluppu cumpletu di XKH è a cullaburazione industriale

Recentemente, Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., un fabricatore naziunale di apparecchiature à semiconduttori, hà fattu una svolta significativa in a tecnulugia di trasfurmazione di wafer di carburo di siliciu (SiC). A cumpagnia hà riesciutu à decollà wafer di carburo di siliciu di 12 pollici utilizendu a so apparecchiatura di decollo laser sviluppata indipindentamente. Questa svolta marca un passu impurtante per a Cina in u campu di l'apparecchiature di fabricazione di chjave à semiconduttori di terza generazione è furnisce una nova suluzione per a riduzione di i costi è u miglioramentu di l'efficienza in l'industria mundiale di carburo di siliciu. Sta tecnulugia era stata prima validata da parechji clienti in u campu di u carburo di siliciu di 6/8 pollici, cù e prestazioni di l'apparecchiature chì anu righjuntu livelli avanzati internaziunali.

Questa scuperta tecnologica hà parechje implicazioni per u sviluppu di l'industria di u carburu di siliciu, cumprese:

1. Riduzione significativa di i costi di pruduzzione:In paragone cù i wafer di carburo di siliciu di 6 pollici mainstream, i wafer di carburo di siliciu di 12 pollici aumentanu l'area dispunibile di circa quattru volte, riducendu i costi di i chip unitari di 30%-40%.

2. Capacità di furnitura industriale migliorata:Affronta i colli di buttiglia tecnichi in a trasfurmazione di wafer di carburo di siliciu di grande dimensione, furnendu supportu per l'equipaggiu per l'espansione glubale di a capacità di pruduzzione di carburo di siliciu.

3. Prucessu di sustituzione di lucalizazione accelerata:Rompe u monopoliu tecnologicu di e cumpagnie straniere in u campu di l'equipaggiamenti di trasfurmazione di carburo di siliciu di grande dimensione, furnendu un sustegnu impurtante per u sviluppu autonomu è cuntrollabile di l'equipaggiamenti di semiconduttori di a Cina.

4. ​​Prumuzione di a pupularizazione di l'applicazioni à valle:A riduzione di i costi accelererà l'applicazione di dispositivi di carburo di siliciu in campi chjave cum'è i veiculi à nova energia è l'energie rinnuvevuli.

Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. hè una impresa di l'Istitutu di Semiconduttori di l'Accademia Cinese di e Scienze, chì si cuncentra nantu à a ricerca è u sviluppu, a pruduzzione è a vendita di apparecchiature specializate per semiconduttori. Cù a tecnulugia di l'applicazione laser à u so core, a cumpagnia hà sviluppatu una seria di apparecchiature di trasfurmazione di semiconduttori cù diritti di pruprietà intellettuale indipendenti, chì serve i principali clienti naziunali di fabricazione di semiconduttori.

U CEO di Jingfei Semiconductor hà dichjaratu: "Aderemu sempre à l'innuvazione tecnologica per guidà u prugressu industriale. U sviluppu successu di a tecnulugia di lifting laser à carburo di siliciu di 12 pollici ùn hè micca solu un riflessu di e capacità tecniche di a cumpagnia, ma benefica ancu di u forte sustegnu di a Cummissione Municipale di Scienza è Tecnulugia di Pechino, di l'Istitutu di Semiconduttori di l'Accademia Cinese di Scienze, è di u prughjettu speciale chjave "Innuvazione Tecnulugica Disruptiva" urganizatu è implementatu da u Centru Naziunale d'Innuvazione Tecnulugica Pechino-Tianjin-Hebei. In u futuru, continueremu à aumentà l'investimenti in R&S per furnisce à i clienti suluzioni di apparecchiature à semiconduttori di più alta qualità".

Cunclusione

Guardendu à u futuru, XKH sfrutterà u so portafogliu cumpletu di prudutti di substrati di carburo di siliciu (chì copre da 2 à 12 pollici cù capacità di ligame è di trasfurmazione persunalizate) è a tecnulugia multi-materiale (cumprese 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N, ecc.) per affruntà attivamente l'evoluzione tecnologica è i cambiamenti di u mercatu in l'industria SiC. Migliurendu continuamente u rendimentu di i wafer, riducendu i costi di pruduzzione è approfondendu a cullaburazione cù i pruduttori di apparecchiature à semiconduttori è i clienti finali, XKH s'impegna à furnisce suluzioni di substrati ad alte prestazioni è ad alta affidabilità per applicazioni globali di nova energia, elettronica ad alta tensione è industriali ad alta temperatura. U nostru scopu hè di aiutà i clienti à superà l'ostaculi tecnichi è à ottene una implementazione scalabile, pusiziunenduci cum'è un partenariu di fiducia di i materiali core in a catena di valore SiC.