A crescita di una capa addiziale di atomi di siliciu nantu à un sustrato di wafer di siliciu hà parechji vantaghji:
In i prucessi di silicium CMOS, a crescita epitassiale (EPI) nantu à u sustrato di wafer hè un passu di prucessu criticu.
1 、 Migliurà a qualità di u cristallu
Difetti iniziali di sustrato è impurità: Durante u prucessu di fabricazione, u sustrato di wafer pò avè certi difetti è impurità. A crescita di a capa epitaxiale pò pruduce una capa di siliciu monocristalina d'alta qualità cun concentrazioni bassu di difetti è impurità nantu à u sustrato, chì hè cruciale per a fabricazione di u dispositivu sussegwente.
Struttura cristallina uniforme: A crescita epitaxiale assicura una struttura cristallina più uniforme, riducendu l'impattu di e fruntiere di granu è i difetti in u materiale di sustrato, migliurà cusì a qualità generale di u cristallu di l'ostia.
2, migliurà a prestazione elettrica.
Ottimisazione di e caratteristiche di u dispositivu: Crescendu una strata epitaxiale nantu à u sustrato, a cuncentrazione di doping è u tipu di siliciu ponu esse cuntrullati in modu precisu, ottimizendu a prestazione elettrica di u dispusitivu. Per esempiu, u doping di u stratu epitaxial pò esse finemente aghjustatu per cuntrullà a tensione di soglia di MOSFET è altri paràmetri elettrici.
Riduzzione di a corrente di fuga: Un stratu epitassiale di alta qualità hà una densità di difetti più bassa, chì aiuta à riduce a corrente di fuga in i dispositi, migliurà cusì u rendiment è l'affidabilità di u dispusitivu.
3, migliurà a prestazione elettrica.
Reduce Size Feature: In i nodi di prucessu più chjuchi (cum'è 7nm, 5nm), a dimensione di e caratteristiche di i dispositi cuntinueghja à riduzzione, chì necessitanu materiali più raffinati è di alta qualità. A tecnulugia di crescita epitassiale pò risponde à queste esigenze, sustenendu a fabricazione di circuiti integrati d'alta prestazione è di alta densità.
Aumentà a tensione di rottura: i strati epitassiali ponu esse cuncepiti cù tensioni di rottura più altu, chì hè criticu per a fabricazione di dispositivi d'alta putenza è di alta tensione. Per esempiu, in i dispusitivi di putenza, i strati epitassiali ponu migliurà a tensione di rottura di u dispusitivu, aumentendu a gamma operativa sicura.
4 、 Compatibilità di Prucessu è Strutture Multilayer
Strutture Multilayer: A tecnulugia di crescita epitassiale permette a crescita di strutture multilayer nantu à i sustrati, cù diverse strati chì anu diverse cuncentrazioni è tipi di doping. Questu hè assai benefiziu per a fabricazione di dispositivi CMOS cumplessi è per permette l'integrazione tridimensionale.
Compatibilità: U prucessu di crescita epitaxiale hè altamente cumpatibile cù i prucessi di fabricazione CMOS esistenti, facendu faciule d'integrazione in i flussi di travagliu di fabricazione attuale senza a necessità di mudificazioni significative à e linee di prucessu.
Riassuntu: L'applicazione di a crescita epitassiale in i prucessi di siliciu CMOS hà principalmente per scopu di rinfurzà a qualità di cristalli di wafer, ottimisà e prestazioni elettriche di u dispositivu, sustene i nodi di prucessu avanzati, è risponde à e richieste di fabricazione di circuiti integrati d'alta prestazione è di alta densità. A tecnulugia di crescita epitassiale permette un cuntrollu precisu di doping materiale è struttura, migliurà a prestazione generale è l'affidabilità di i dispositi.
Tempu di post: 16-10-2024