A crescita di un stratu supplementu di atomi di siliciu nantu à un substratu di wafer di siliciu hà parechji vantaghji:
In i prucessi di siliciu CMOS, a crescita epitassiale (EPI) nantu à u sustratu di u wafer hè una tappa critica di u prucessu.
1. Migliurà a qualità di i cristalli
Difetti è impurità iniziali di u substratu: Durante u prucessu di fabricazione, u substratu di u wafer pò avè certi difetti è impurità. A crescita di u stratu epitassiale pò pruduce un stratu di siliciu monocristallinu di alta qualità cù basse concentrazioni di difetti è impurità nantu à u substratu, ciò chì hè cruciale per a successiva fabricazione di u dispositivu.
Struttura cristallina uniforme: A crescita epitassiale assicura una struttura cristallina più uniforme, riducendu l'impattu di i limiti di i grani è i difetti in u materiale di u substratu, migliorandu cusì a qualità generale di u cristallu di a cialda.
2. Migliurà e prestazioni elettriche.
Ottimizazione di e caratteristiche di u dispusitivu: Crescendu un stratu epitassiale nantu à u sustratu, a cuncentrazione di doping è u tipu di siliciu ponu esse cuntrullati precisamente, ottimizendu e prestazioni elettriche di u dispusitivu. Per esempiu, u doping di u stratu epitassiale pò esse aghjustatu finamente per cuntrullà a tensione di soglia di i MOSFET è altri parametri elettrichi.
Riduzione di a corrente di dispersione: Un stratu epitassiale di alta qualità hà una densità di difetti più bassa, chì aiuta à riduce a corrente di dispersione in i dispositivi, migliorandu cusì e prestazioni è l'affidabilità di u dispositivu.
3. Migliurà e prestazioni elettriche.
Riduzzione di a dimensione di e caratteristiche: In i nodi di prucessu più chjuchi (cum'è 7nm, 5nm), a dimensione di e caratteristiche di i dispositivi cuntinueghja à riduce si, ciò chì richiede materiali più raffinati è di alta qualità. A tecnulugia di crescita epitassiale pò risponde à queste esigenze, sustinendu a fabricazione di circuiti integrati ad alte prestazioni è ad alta densità.
Migliurà a Tensione di Rottura: I strati epitassiali ponu esse cuncipiti cù tensioni di rottura più elevate, ciò chì hè cruciale per a fabricazione di dispositivi di alta putenza è alta tensione. Per esempiu, in i dispositivi di putenza, i strati epitassiali ponu migliurà a tensione di rottura di u dispositivu, aumentendu u range di funziunamentu sicuru.
4、Compatibilità di u prucessu è strutture multistratu
Strutture Multistratu: A tecnulugia di crescita epitassiale permette a crescita di strutture multistratu nantu à substrati, cù diversi strati chì anu diverse concentrazioni è tipi di doping. Questu hè assai beneficu per a fabricazione di dispositivi CMOS cumplessi è permette l'integrazione tridimensionale.
Compatibilità: U prucessu di crescita epitassiale hè assai cumpatibile cù i prucessi di fabricazione CMOS esistenti, ciò chì facilita l'integrazione in i flussi di travagliu di fabricazione attuali senza a necessità di mudificazioni significative à e linee di prucessu.
Riassuntu: L'applicazione di a crescita epitassiale in i prucessi di siliciu CMOS hà cum'è scopu principale di migliurà a qualità di i cristalli di i wafer, ottimizà e prestazioni elettriche di i dispositivi, supportà i nodi di prucessu avanzati è risponde à e esigenze di a fabricazione di circuiti integrati ad alte prestazioni è ad alta densità. A tecnulugia di crescita epitassiale permette un cuntrollu precisu di u doping è di a struttura di i materiali, migliurendu e prestazioni generali è l'affidabilità di i dispositivi.
Data di publicazione: 16 d'ottobre di u 2024