GaAs

Substratu di wafer epitaxiale d'alta putenza di GaAs, wafer di arseniuro di galliu, lunghezza d'onda laser di putenza 905 nm per trattamentu medicu laser
Wafer epitaxiale laser GaAs 4 pollici 6 pollici VCSEL cavità verticale emissione superficiale lunghezza d'onda laser 940nm giunzione singola