Attualmente, a nostra sucietà pò cuntinuà à furnisce picculi lotti di cialde SiC di tipu 8inchN, sè avete bisognu di campioni, per piacè cuntattatemi. Avemu qualchi cialde di mostra pronte per esse spedite.
In u campu di i materiali semiconduttori, a cumpagnia hà fattu una scuperta maiò in a ricerca è u sviluppu di cristalli SiC di grande dimensione. Utilizendu i so propri cristalli di sementi dopu à parechji cicli di allargamentu di diametru, a cumpagnia hà cultivatu cù successu cristalli SiC di tipu N di 8 pollici, chì risolve prublemi difficili cum'è u campu di temperatura irregulare, a frattura di i cristalli è a distribuzione di materie prime in fase gassosa in u prucessu di crescita di cristalli SIC di 8 pollici, è accelera a crescita di cristalli SIC di grande dimensione è a tecnulugia di trasfurmazione autonoma è cuntrullata. Migliurà assai a cumpetitività fundamentale di a cumpagnia in l'industria di i substrati monocristallini SiC. À u listessu tempu, a cumpagnia prumove attivamente l'accumulazione di tecnulugia è di prucessu di linea sperimentale di preparazione di substrati di carburo di siliciu di grande dimensione, rinfurza u scambiu tecnicu è a cullaburazione industriale in i campi à monte è à valle, è collabora cù i clienti per iterà constantemente e prestazioni di u produttu, è prumove inseme u ritmu di l'applicazione industriale di i materiali di carburo di siliciu.
| Specifiche DSP SiC di tipu N da 8 pollici | |||||
| Numeru | Articulu | Unità | Pruduzzione | Ricerca | Manichinu |
| 1. Parametri | |||||
| 1.1 | politipu | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientazione di a superficia | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. Parametru elettricu | |||||
| 2.1 | dopante | -- | azotu di tipu n | azotu di tipu n | azotu di tipu n |
| 2.2 | resistività | ohm ·cm | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Parametru mecanicu | |||||
| 3.1 | diametru | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| 3.2 | spessore | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Orientazione di a tacca | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Prufundità di a tacca | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Arcu | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Orditu | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. Struttura | |||||
| 4.1 | densità di micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | cuntenutu di metalli | atomi/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Qualità pusitiva | |||||
| 5.1 | fronte | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finitura superficiale | -- | CMP Si-face | CMP Si-face | CMP Si-face |
| 5.3 | particella | ea/cialda | ≤100 (dimensione ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | grattà | ea/cialda | ≤5, Lunghezza tutale ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Bordu scheggiature/incisioni/crepe/macchie/contaminazione | -- | Nimu | Nimu | NA |
| 5.6 | Zone di politipu | -- | Nimu | Zona ≤10% | Zona ≤30% |
| 5.7 | marcatura frontale | -- | Nimu | Nimu | Nimu |
| 6. Qualità di u spinu | |||||
| 6.1 | finitura posteriore | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | grattà | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Difetti di u bordu di u spinu schegge/rientranze | -- | Nimu | Nimu | NA |
| 6.4 | Rugosità di a schiena | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcatura di u spinu | -- | Tacca | Tacca | Tacca |
| 7. Bordu | |||||
| 7.1 | bordu | -- | Smussatu | Smussatu | Smussatu |
| 8. Pacchettu | |||||
| 8.1 | imballaggio | -- | Epi-ready cù u vacuum imballaggio | Epi-ready cù u vacuum imballaggio | Epi-ready cù u vacuum imballaggio |
| 8.2 | imballaggio | -- | Multi-cialda imballaggio di cassette | Multi-cialda imballaggio di cassette | Multi-cialda imballaggio di cassette |
Data di publicazione: 18 d'aprile di u 2023