Attualmente, a nostra cumpagnia pò cuntinuà à furnisce un picculu batch di wafers SiC di 8inchN, sè vo avete bisognu di mostra, sentite liberu di cuntattatemi.Avemu qualchì mostra di wafers pronti à spedinu.
In u campu di i materiali semiconductor, a cumpagnia hà fattu un grande sfondate in a ricerca è u sviluppu di cristalli SiC di grande dimensione.Utilizendu i so propri cristalli di sumente dopu à parechje volte di l'allargamentu di diametru, a cumpagnia hà sviluppatu cù successu cristalli SiC di 8-inch N-tipu, chì risolve prublemi difficili cum'è u campu di temperatura irregolare, u cracking di cristalli è a distribuzione di materia prima in fase di gas in u prucessu di crescita di 8-inch cristalli SIC, è accelerates a crescita di grandi dimensioni cristalli SIC è a tecnulugia di trasfurmazioni autònuma è cuntrullable.Aumenterà assai a competitività di u core di a cumpagnia in l'industria di u substratu di cristallo unicu SiC.À u listessu tempu, a cumpagnia attivamente prumove l'accumulazione di a tecnulugia è u prucessu di a linea sperimentale di preparazione di sustrati di carburu di siliciu di grande dimensione, rinforza u scambiu tecnicu è a cullaburazione industriale in i campi upstream è downstream, è cullabureghja cù i clienti per iterate constantemente u rendiment di u produttu, è inseme. prumove u ritmu di l'applicazione industriale di materiali di carburu di siliciu.
| Specifiche DSP SiC di 8inch N-type | |||||
| numeru | Articulu | Unità | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
| 1. Parametri | |||||
| 1.1 | politipu | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | orientazione di a superficia | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Parametru elettricu | |||||
| 2.1 | dopante | -- | Nitrogenu di tipu n | Nitrogenu di tipu n | Nitrogenu di tipu n |
| 2.2 | resistività | ohm · cm | 0,015 ~ 0,025 | 0,01 ~ 0,03 | NA |
| 3. Parametru meccanicu | |||||
| 3.1 | diamitru | mm | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 | 200 ± 0,2 |
| 3.2 | spessore | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
| 3.3 | Orientazione Notch | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
| 3.4 | Profondità di tacca | mm | 1 ~ 1,5 | 1 ~ 1,5 | 1 ~ 1,5 |
| 3.5 | LTV | μm | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤5 (10 mm * 10 mm) | ≤10 (10 mm * 10 mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | arcu | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
| 3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Struttura | |||||
| 4.1 | densità di micropipe | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | cuntenutu di metalli | atomi/cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤ 1000 | NA |
| 4.4 | BPD | ea/cm2 | ≤ 2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤ 10000 | NA |
| 5. Qualità pusitiva | |||||
| 5.1 | davanti | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | finitura di a superficia | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | particella | ea / wafer | ≤100 (taglia ≥0.3μm) | NA | NA |
| 5.4 | scratch | ea / wafer | ≤5, Lunghezza Totale ≤200mm | NA | NA |
| 5.5 | Edge chips/indents/cracks/stains/contamination | -- | Nimu | Nimu | NA |
| 5.6 | Zone polytype | -- | Nimu | Area ≤10% | Area ≤ 30% |
| 5.7 | marcatura frontale | -- | Nimu | Nimu | Nimu |
| 6. Back quality | |||||
| 6.1 | finitu daretu | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | scratch | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Bordu di difetti in daretu chips/indents | -- | Nimu | Nimu | NA |
| 6.4 | Rugosità di u spinu | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Marcatura in daretu | -- | Notch | Notch | Notch |
| 7. Bordu | |||||
| 7.1 | bordu | -- | Smusso | Smusso | Smusso |
| 8. Pacchettu | |||||
| 8.1 | imballaggio | -- | Epi-ready cù u vacuum imballaggio | Epi-ready cù u vacuum imballaggio | Epi-ready cù u vacuum imballaggio |
| 8.2 | imballaggio | -- | Multi-wafer imballaggio di cassette | Multi-wafer imballaggio di cassette | Multi-wafer imballaggio di cassette |
Tempu di post: Apr-18-2023