U 26, Power Cube Semi hà annunziatu u sviluppu successu di u primu semiconductor MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) di Corea di u Sud.
Paragunatu à i semiconduttori basati in Si (Silicium) esistenti, SiC (Silicon Carbide) pò resiste à tensioni più elevate, per quessa hè salutatu cum'è u dispositivu di a prossima generazione chì guida u futuru di i semiconduttori di putenza.Serve cum'è un cumpunente cruciale necessariu per l'introduzione di tecnulugia di punta, cum'è a proliferazione di veiculi elettrici è l'espansione di i centri di dati guidati da l'intelligenza artificiale.
Power Cube Semi hè una cumpagnia di fabless chì sviluppa i dispusitivi semiconductor di putenza in trè categurie principali: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicium) è Ga2O3 (Gallium Oxide).Ricertamenti, a cumpagnia hà applicatu è vindutu Schottky Barrier Diodes (SBD) d'alta capacità à una sucietà globale di veiculi elettrici in Cina, ottenendu ricunniscenza per u so designu è tecnulugia di semiconductor.
A liberazione di u 2300V SiC MOSFET hè degne di nota cum'è u primu casu di sviluppu in Corea di u Sud.Infineon, una cumpagnia di semiconductor di putenza globale basata in Germania, hà ancu annunziatu u lanciamentu di u so pruduttu 2000V in marzu, ma senza una linea di prudutti 2300V.
U MOSFET CoolSiC 2000V di Infineon, utilizendu u pacchettu TO-247PLUS-4-HCC, risponde à a dumanda di una densità di putenza aumentata trà i disegnatori, assicurendu l'affidabilità di u sistema ancu in condizioni strette di alta tensione è di frequenza di commutazione.
U MOSFET CoolSiC offre una tensione di ligame di corrente diretta più alta, chì permette l'aumentu di a putenza senza aumentà a corrente.Hè u primu dispositivu discretu di carburu di siliciu nantu à u mercatu cù una tensione di rottura di 2000V, utilizendu u pacchettu TO-247PLUS-4-HCC cù una distanza di creepage di 14 mm è una distanza di 5,4 mm.Questi dispositi presentanu perdite di commutazione bassu è sò adattati per applicazioni cum'è inverter di stringa solare, sistemi di almacenamentu di energia è carica di veiculi elettrici.
A serie di prudutti CoolSiC MOSFET 2000V hè adattata per sistemi di bus DC d'alta tensione finu à 1500V DC.Paragunatu à u MOSFET 1700V SiC, stu dispusitivu furnisce un margine di sopratensione suffirenziu per i sistemi 1500V DC.U MOSFET CoolSiC offre una tensione di soglia di 4.5V è vene equipatu di diodi di corpu robusti per a commutazione dura.Cù a tecnulugia di cunnessione .XT, sti cumpunenti offre un rendimentu termale eccellente è una forte resistenza à l'umidità.
In più di u 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon lanciarà prestu diodi CoolSiC cumplementari imballati in pacchetti TO-247PLUS 4-pin è TO-247-2 in u terzu trimestre di u 2024 è l'ultimu trimestre di u 2024, rispettivamente.Questi diodi sò particularmente adattati per l'applicazioni solari.Ci sò ancu dispunibuli cumminazioni di prudutti di u driver di porta currispondenti.
A serie di prudutti CoolSiC MOSFET 2000V hè avà dispunibule nantu à u mercatu.Inoltre, Infineon offre schede di valutazione adattate: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.I sviluppatori ponu aduprà sta tavola cum'è una piattaforma di prova generale precisa per valutà tutti i MOSFET CoolSiC è i diodi classificati à 2000V, è ancu a serie di produttu 1ED31xx di u driver di isolamentu di un canale compactu EiceDRIVER per mezu di l'operazione PWM dual-pulse o cuntinuu.
Gung Shin-soo, Chief Technology Officer di Power Cube Semi, hà dichjaratu: "Avemu pussutu allargà a nostra sperienza esistente in u sviluppu è a produzzione di massa di MOSFET 1700V SiC à 2300V.
Postu tempu: Apr-08-2024