In cunfrontu cù i dispositi di carburu di silicuu, i dispositi di putenza di nitruru di gallio anu più vantaghji in scenarii induve l'efficienza, a frequenza, u voluminu è altri aspetti cumpleti sò richiesti à u stessu tempu, cum'è i dispositi basati in nitruru di galiu sò stati applicati cù successu in u campu di a carica rapida. una grande scala.Cù u scoppiu di novi appiicazioni downstream, è u cuntinuu scuperta di a tecnulugia di preparazione di sustrato di nitruru di gallu, i dispusitivi GaN sò previsti per cuntinuà à aumentà in u voluminu, è diventeranu una di e tecnulugia chjave per a riduzione di i costi è l'efficienza, u sviluppu verde durabile.
Attualmente, a terza generazione di materiali semiconductor hè diventata una parte impurtante di l'industria strategica emergente, è hè ancu diventata u puntu strategicu di cumandante per piglià a prossima generazione di tecnulugia di l'infurmazione, a cunservazione di l'energia è a riduzzione di emissioni è a tecnulugia di sicurezza di difesa naziunale.Frà elli, u nitruru di gallium (GaN) hè unu di i materiali semiconduttori di a terza generazione più rapprisentanti cum'è un materiale semiconductor largu bandgap cù un bandgap di 3.4eV.
U 3 di lugliu, a Cina hà strettu l'esportazione di gallium è germanium items related, chì hè un aggiustamentu pulitica impurtante basatu annantu à l'attributu impurtante di gallium, un metallu raru, cum'è u "nuvellu granu di l'industria di semiconductor", è i so vantaghji d'applicazione larga materiali semiconductor, nova energia è altri campi.In vista di stu cambiamentu di pulitica, stu documentu discuterà è analizà u nitruru di gallu da l'aspettu di a tecnulugia di preparazione è e sfide, i novi punti di crescita in u futuru è u mudellu di cumpetizione.
Una breve introduzione:
Nitruru di Galiu hè un tipu di materiale semiconductor sinteticu, chì hè un tipicu rappresentante di a terza generazione di materiali semiconductor.In cunfrontu cù i materiali tradiziunali di silicuu, u nitruru di galliu (GaN) hà i vantaghji di un grande bandgap, un forte campu elettricu di rottura, bassa resistenza, alta mobilità di l'elettroni, alta efficienza di cunversione, alta conduttività termica è bassa perdita.
U nitruru di Gallium unicu cristallu hè una nova generazione di materiali semiconduttori cù un rendimentu eccellente, chì pò esse largamente utilizatu in cumunicazione, radar, elettronica di u cunsumu, l'elettronica di l'automobile, l'energia di l'energia, l'elaborazione laser industriale, l'instrumentazione è altri campi, cusì u so sviluppu è a produzzione di massa sò. u focu di l'attenzione di i paesi è l'industrii in u mondu.
Applicazione di GaN
1--5G stazione di basa di cumunicazione
L'infrastruttura di cumunicazione wireless hè l'area di applicazione principale di i dispositi RF di nitruru di gallu, cuntendu u 50%.
2 - Fornitura d'alta putenza
A funzione "doppia altezza" di GaN hà un grande putenziale di penetrazione in i dispositi elettronici di cunsumatori d'altu rendiment, chì ponu risponde à i requisiti di carica rapida è scenarii di prutezzione di carica.
3 - Veiculu d'energia nova
Da u puntu di vista di l'applicazione pratica, l'attuali dispositi semiconductori di terza generazione nantu à a vittura sò principarmenti apparecchi di carburu di siliciu, ma ci sò materiali di nitruru di gallium adattati chì ponu passà a certificazione di regulazione di vittura di moduli di dispositivi di putere, o altri metudi di imballaggio adattati. esse sempre accettatu da tutta a pianta è i fabricatori OEM.
4--Centru di dati
I semiconduttori di putenza GaN sò principalmente usati in unità di alimentazione PSU in centri di dati.
In riassuntu, cù u scoppiu di novi appiicazioni downstream è innovazioni continui in a tecnulugia di preparazione di sustrati di nitruru di gallu, i dispositi GaN sò previsti per cuntinuà à aumentà in u voluminu, è diventeranu una di e tecnulugia chjave per a riduzione di i costi è l'efficienza è u sviluppu verde sustinibili.
Tempu di post: Jul-27-2023