12 inch Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrate C-Plane SSP/DSP
12inch Sapphire Substrate Market Situation
Attualmente, u zaffiro hà dui usi principali, unu hè u materiale di sustrato, chì hè principalmente materiale di sustrato LED, l'altru hè u quadrante di u sguardu, l'aviazione, l'aerospaziale, u materiale di a finestra di fabricazione speciale.
Ancu s'è u carburu di siliciu, u siliciu è u nitruru di gallium sò ancu dispunibuli cum'è sustrati per i led in più di u zaffiro, a produzzione di massa ùn hè ancu pussibule per via di u costu è di qualchi buttiglii tecnichi senza risolve. Sapphire sustrato attraversu u sviluppu tecnicu in l'ultimi anni, u so currispundenza lattice, a conduttività elettrica, a pruprietà meccanica, a conduttività termale è altre proprietà sò state assai migliurate è prumuvute, u vantaghju di u costu hè significativu, cusì u zaffiro hè diventatu u materiale di sustrato più maturu è stabile. in l 'industria LED, hè stata largamente usata in u mercatu, a quota di mercatu cum'è 90%.
Caratteristica di 12 Inch Sapphire Wafer Substrate
1. A superficia di sustrato di zaffiro anu un numeru di particelle estremamente bassu, cù menu di 50 particelle 0,3 microns o più grande per 2 inch in a gamma di dimensioni da 2 à 8 inch, è metalli maiò (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni). , Cu, Zn) sottu 2E10/cm2. U materiale di basa di 12-inch hè ancu previstu per ottene stu gradu.
2. Pò esse usatu cum'è wafer di trasportatore per u prucessu di fabricazione di semiconductor 12-inch (pallets di trasportu in u dispositivu) è cum'è sustrato per ligame.
3. Pò cuntrullà a forma di a superficia cuncava è cunvexa.
Materiale: Al2O3 monocristallino di alta purezza, wafer di zaffiro.
Qualità LED, senza bolle, crepe, gemelli, lignage, senza culore..etc.
Wafers Sapphire da 12 pollici
Orientazione | C-plane<0001> +/- 1 gradi. |
Diamitru | 300,0 +/-0,25 mm |
Spessore | 1,0 +/-25um |
Notch | Tacca o Flat |
TTV | <50um |
ARCU | <50um |
Bordi | Smussatura prutattiva |
Frontale - lucidatu 80/50 | |
Marca laser | Nimu |
Imballaggio | Scatola di trasportatore di wafer unica |
Fronte Epi ready lucidato (Ra <0,3nm) | |
Face arrière Epi ready polished (Ra <0,3nm) |