50,8 mm/100 mm AlN Template nantu à NPSS/FSS AlN Template nantu à zaffiro

Descrizione breve:

AlN-On-Sapphire si riferisce à una cumminazione di materiali in quali filmi di nitruru d'aluminiu sò cultivati nantu à sustrati di Sapphire.In questa struttura, a film di nitruru d'aluminiu d'alta qualità pò esse cultivatu da a deposizione di vapore chimicu (CVD) o di deposizione di vapore chimicu organometricu (MOCVD), chì face chì a film di nitruru d'aluminiu è u sustrato di zaffiro anu una bona cumminazione.I vantaghji di sta struttura sò chì u nitruru d'aluminiu hà una alta conductività termale, alta stabilità chimica è eccellenti proprietà ottiche, mentri u sustrato di zaffiro hà eccellenti proprietà meccaniche è termiche è trasparenza.

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AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire pò esse usatu per fà una varietà di dispusitivi fotoelettrichi, cum'è:
1. LED chips: LED chips sò generalmente fatti di film di nitruru d'aluminiu è altri materiali.L'efficienza è a stabilità di i leds ponu esse migliurate usendu wafers AlN-On-Sapphire cum'è sustrato di chip LED.
2. Laser: Wafers AlN-On-Sapphire pò ancu esse usatu cum'è sustrati per i laser, chì sò cumunimenti usati in a medicina, a cumunicazione è a trasfurmazioni di materiali.
3. Célule sulari: A fabricazione di pila sulari richiede l'usu di materiali cum'è nitruru d'aluminiu.AlN-On-Sapphire cum'è sustrato pò migliurà l'efficienza è a vita di e cellule solari.
4. Altri dispusitivi optoelettronica: AlN-On-Sapphire wafers pò ancu esse usatu per fabricà photodetectors, dispusitivi optoelettronici, è altri apparecchi optoelettronici.

In cunclusioni, i wafers AlN-On-Sapphire sò largamente usati in u campu opto-elettricu per via di a so alta conduttività termica, alta stabilità chimica, bassa perdita è eccellenti proprietà ottiche.

50,8 mm/100 mm AlN Template nantu à NPSS/FSS

Articulu	Rimarche
Descrizzione	mudellu AlN-on-NPSS	mudellu AlN-on-FSS
Diamitru di wafer	50,8 mm, 100 mm
Sustrattu	c-plane NPSS	C-plane Planar Sapphire (FSS)
Spessore di u substratu	50,8 mm, 100 mmc-piano Zaffiro planare (FSS) 100 mm: 650 um
Spessore di AIN epi-layer	3~4 um (destinazione: 3.3um)
Conductivity	Isolante
Superficie	Cum'è cultivatu
	RMS < 1 nm	RMS <2 nm
Backside	Macinatu
FWHM(002)XRC	< 150 arcsec	< 150 arcsec
FWHM (102) XRC	< 300 arcsec	< 300 arcsec
Exclusion di Edge	< 2 mm	< 3 mm
Orientazione pianu primaria	a-pianu + 0,1 °
Lunghezza piatta primaria	50,8 mm: 16 +/-1 mm 100 mm: 30 +/-1 mm
Pacchettu	Imballatu in una scatula di spedizione o un containeru di wafer unicu