150 mm 6 inch 0,7 mm 0,5 mm Sapphire Wafer Supporto di substratu C-Plane SSP/DSP

150mm 6 inch 0.7mm 0.5mm Sapphire Wafer Substrate Carrier C-Plane SSP/DSP Image Featured

Descrizione breve:

Tutti i sopra sò descrizzione curretta di cristalli di zaffiro.L'eccellente prestazione di u cristallu di zaffiro u face largamente utilizatu in i campi tecnichi high-end.Cù u rapidu sviluppu di l'industria LED, a dumanda di materiali di cristalli di zaffiro hè ancu crescente.

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Applicazioni

L'applicazioni per i wafers di zaffiro di 6 pollici includenu:

1. A fabricazione di LED: l'ostia di zaffiro pò esse usata cum'è sustrato di chip LED, è a so durezza è a conduttività termale ponu migliurà a stabilità è a vita di serviziu di chip LED.

2. Laser Manufacturing: Sapphire wafer pò ancu esse usatu cum'è u sustrato di laser, per aiutà à migliurà u funziunamentu di laser è allargà a vita di serviziu.

3. Semiconductor Manufacturing: Sapphire wafers sò largamente utilizati in a fabricazione di apparecchi elettronichi è optoelettronici, cumpresi sintesi otticu, cellule solari, apparecchi elettronichi d'alta freccia, etc.

4. Altre appiicazioni: Sapphire wafer pò ancu ièssiri usatu per fabricà touch screen, dispusitivi ottici, cellula sulari di film sottile è altri prudutti high-tech.

Specificazione

Materiale	Al2O3 monocristallino di alta purezza, wafer di zaffiro.
Dimensione	150 mm +/- 0,05 mm, 6 inch
Spessore	1300 +/- 25 um
Orientazione	Pianu C (0001) off Pianu M (1-100) 0,2 +/- 0,05 gradi
Orientazione pianu primaria	Un aviò +/- 1 gradu
Lunghezza piatta primaria	47,5 mm +/- 1 mm
Variazione di Spessore Totale (TTV)	<20 um
arcu	<25 um
Warp	<25 um
Coefficient d'espansione termale	6,66 x 10-6 / °C parallelu à l'assi C, 5 x 10-6 / °C perpendiculare à l'assi C
Forza dielettrica	4,8 x 105 V/cm
Custante dielettrica	11,5 (1 MHz) lungo l'asse C, 9,3 (1 MHz) perpendiculare à l'asse C
Tangente di perdita dielettrica (aka factor di dissipazione)	menu di 1 x 10-4
Conductibilità termale	40 W/(mK) à 20 ℃
Pulitura	Single side polished (SSP) o double side polished (DSP) Ra < 0,5 nm (da AFM).U reversu di a wafer SSP hè stata fine à Ra = 0,8 - 1,2 um.
Trasmittanza	88% +/-1% @460 nm