Un substratu di zaffiro modellatu (PSS) di 2 pollici, 4 pollici è 6 pollici nantu à u quale hè cultivatu u materiale GaN pò esse adupratu per l'illuminazione LED
Caratteristiche principali
1. Caratteristiche strutturali:
A superficia PSS hà un conu ordinatu o un mudellu cunicu triangulare chì a so forma, dimensione è distribuzione ponu esse cuntrullate aghjustendu i parametri di u prucessu di incisione.
Queste strutture grafiche aiutanu à cambià u percorsu di propagazione di a luce è à riduce a riflessione tutale di a luce, migliurendu cusì l'efficienza di l'estrazione di a luce.
2. Caratteristiche di u materiale:
PSS usa zaffiro di alta qualità cum'è materiale di substratu, chì hà e caratteristiche di alta durezza, alta conducibilità termica, bona stabilità chimica è trasparenza ottica.
Queste caratteristiche permettenu à PSS di resiste à ambienti difficili cum'è temperature è pressioni elevate, mantenendu prestazioni ottiche eccellenti.
3. Prestazione ottica:
Cambiendu a diffusione multipla à l'interfaccia trà GaN è u substratu di zaffiro, PSS face chì i fotoni chì sò cumpletamente riflessi in u stratu di GaN anu a pussibilità di scappà da u substratu di zaffiro.
Questa funzione migliora significativamente l'efficienza di estrazione di luce di u LED è aumenta l'intensità luminosa di u LED.
4. Caratteristiche di u prucessu:
U prucessu di fabricazione di PSS hè relativamente cumplessu, chì implica parechje tappe cum'è a litografia è l'incisione, è richiede apparecchiature di alta precisione è cuntrollu di prucessu.
Tuttavia, cù l'avanzamentu cuntinuu di a tecnulugia è a riduzione di i costi, u prucessu di fabricazione di PSS hè gradualmente ottimizatu è migliuratu.
Vantaghju principale
1. Migliurà l'efficienza di l'estrazione di a luce: PSS migliora significativamente l'efficienza di l'estrazione di a luce di i LED cambiendu u percorsu di propagazione di a luce è riducendu a riflessione tutale.
2. Prulungà a vita di i LED: u PSS pò riduce a densità di dislocazione di i materiali epitassiali di GaN, riducendu cusì a ricombinazione non radiativa è a corrente di dispersione inversa in a regione attiva, allungendu a vita di i LED.
3. Migliurà a luminosità di i LED: Grazie à u miglioramentu di l'efficienza di l'estrazione di a luce è à l'estensione di a vita di i LED, l'intensità luminosa di i LED nantu à u PSS hè significativamente migliorata.
4. Riduce i costi di pruduzzione: Ancu s'è u prucessu di fabricazione di PSS hè relativamente cumplessu, pò migliurà significativamente l'efficienza luminosa è a vita di i LED, riducendu cusì i costi di pruduzzione in una certa misura è migliurendu a cumpetitività di u pruduttu.
Principali campi d'applicazione
1. Illuminazione LED: PSS cum'è materiale di substratu per i chip LED, pò migliurà significativamente l'efficienza luminosa è a vita di i LED.
In u campu di l'illuminazione LED, PSS hè largamente utilizatu in diversi prudutti d'illuminazione, cum'è lampioni di strada, lampade da tavulinu, luci di vittura è cusì.
2. Dispositivi semiconduttori: In più di l'illuminazione LED, u PSS pò ancu esse adupratu per fabricà altri dispositivi semiconduttori, cum'è rilevatori di luce, laser, ecc. Questi dispositivi anu una vasta gamma di applicazioni in cumunicazione, medicale, militare è altri campi.
3. Integrazione optoelettronica: E proprietà ottiche è a stabilità di PSS ne facenu unu di i materiali ideali in u campu di l'integrazione optoelettronica. In l'integrazione optoelettronica, PSS pò esse adupratu per fà guide d'onda ottiche, interruttori ottici è altri cumpunenti per realizà a trasmissione è u trattamentu di signali ottici.
Parametri tecnichi
| Articulu | Substratu di zaffiro modellatu (2 ~ 6 pollici) | ||
| Diametru | 50,8 ± 0,1 mm | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
| Spessore | 430 ± 25 μm | 650 ± 25 μm | 1000 ± 25 μm |
| Orientazione di a superficia | Pianu C (0001) fora di angulu versu l'asse M (10-10) 0,2 ± 0,1° | ||
| Pianu C (0001) fora di angulu versu l'asse A (11-20) 0 ± 0,1° | |||
| Orientazione Piatta Primaria | Pianu A (11-20) ± 1.0° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 16,0 ± 1,0 mm | 30,0 ± 1,0 mm | 47,5 ± 2,0 mm |
| R-Plane | 9 ore | ||
| Finitura di a superficia frontale | Modellatu | ||
| Finitura di a superficia posteriore | SSP: Fine-macinatu, Ra = 0,8-1,2 um; DSP: Epi-lucidatu, Ra <0,3 nm | ||
| Marcatura laser | Parte posteriore | ||
| TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤20μm |
| ARCU | ≤10μm | ≤15μm | ≤25μm |
| ORDINAZIONE | ≤12μm | ≤20μm | ≤30μm |
| Esclusione di u bordu | ≤2 mm | ||
| Specificazione di u mudellu | Struttura di Forma | Cupola, Conu, Piramide | |
| Altezza di u mudellu | 1,6~1,8 μm | ||
| Diametru di u mudellu | 2,75 ~ 2,85 μm | ||
| Spaziu di mudellu | 0,1~0,3 μm | ||
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Diagramma dettagliatu
