Wafer SiC da 2 pollici 6H o 4H Substrati SiC semiisolanti 6H Dia 50,8 mm

Wafer SiC da 2 pollici 6H o 4H Substrati SiC semiisolanti 6H o 4H Diametro 50,8 mm Immagine in evidenza

Descrizzione breve:

U carburu di siliciu (SiC) hè un cumpostu binariu di u Gruppu IV-IV, hè l'unicu cumpostu solidu stabile in u Gruppu IV di a Tavola Periodica di l'Elementi, hè un semiconduttore impurtante. U SiC hà eccellenti proprietà termiche, meccaniche, chimiche è elettriche, chì ne facenu unu di i migliori materiali per a fabricazione di dispositivi elettronichi à alta temperatura, alta frequenza è alta putenza.

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Applicazione di u substratu di carburo di siliciu

U sustratu di carburu di siliciu pò esse divisu in tipu conduttivu è tipu semi-isolante secondu a resistività. I dispusitivi di carburu di siliciu conduttivu sò principalmente aduprati in veiculi elettrichi, generazione di energia fotovoltaica, trasportu ferroviariu, centri di dati, carica è altre infrastrutture. L'industria di i veiculi elettrichi hà una grande dumanda di sustrati di carburu di siliciu conduttivu, è attualmente, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng è altre cumpagnie di veiculi di nova energia anu previstu di utilizà dispusitivi o moduli discreti di carburu di siliciu.

I dispusitivi di carburo di siliciu semi-isolati sò principalmente usati in cumunicazioni 5G, cumunicazioni di veiculi, applicazioni di difesa naziunale, trasmissione di dati, aerospaziale è altri campi. Crescendu u stratu epitassiale di nitruro di galliu nantu à u substratu di carburo di siliciu semi-isolatu, a cialda epitassiale di nitruro di galliu à basa di siliciu pò esse ulteriormente trasfurmata in dispusitivi RF à microonde, chì sò principalmente usati in u campu RF, cum'è amplificatori di putenza in a cumunicazione 5G è rilevatori radio in a difesa naziunale.

A fabricazione di prudutti di substratu di carburu di siliciu implica u sviluppu di l'equipaggiu, a sintesi di materie prime, a crescita di cristalli, u tagliu di cristalli, a trasfurmazione di wafer, a pulizia è a prova, è parechji altri ligami. In termini di materie prime, l'industria Songshan Boron furnisce materie prime di carburu di siliciu per u mercatu, è hà ottenutu vendite in picculi lotti. I materiali semiconduttori di terza generazione rapprisentati da u carburu di siliciu ghjocanu un rolu chjave in l'industria muderna, cù l'accelerazione di a penetrazione di i veiculi à nova energia è l'applicazioni fotovoltaiche, a dumanda di substratu di carburu di siliciu hè in traccia di inaugurà un puntu d'inflessione.