Wafers SiC da 2 pollici 6H o 4H Substrati SiC semi-isolanti Dia50.8mm

U substratu di carburu di siliciu pò esse divisu in tipu conduttivu è tipu semi-insulating secondu a resistività. I dispositi cunduttivi di carburu di siliciu sò principalmente usati in veiculi elettrici, generazione di energia fotovoltaica, transitu ferroviariu, centri di dati, carica è altre infrastrutture. L'industria di i veiculi elettrichi hà una grande dumanda di sustrati di carburu di silicuu conduttivu, è attualmente, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng è altre cumpagnie di veiculi d'energia nova anu previstu di utilizà dispositi o moduli discreti di carburu di siliciu.

I dispusitivi di carburu di siliciu semi-insulati sò principarmenti usati in cumunicazioni 5G, cumunicazioni veiculi, applicazioni di difesa naziunale, trasmissione di dati, aerospaziale è altri campi. Crescendu u stratu epitassiale di nitruru di gallu nantu à u sustrato di carburu di siliciu semi-insulatu, u wafer epitassiale di nitruru di gallio basatu in siliciu pò esse ulteriormente trasformatu in dispositivi RF à microonde, chì sò principalmente usati in u campu RF, cum'è amplificatori di putenza in a cumunicazione 5G è radio detectors in difesa naziunale.

A fabricazione di i prudutti di sustrato di carburu di siliciu implica u sviluppu di l'equipaggiu, a sintesi di materia prima, a crescita di cristalli, u taglio di cristalli, a trasfurmazioni di wafer, a pulizia è a prova, è assai altri ligami. In termini di materie prime, l'industria di Songshan Boron furnisce materie prime di carburu di siliciu per u mercatu, è hà ottinutu vendite di picculi batch. I materiali semiconduttori di terza generazione rapprisentati da u carburu di siliciu ghjucanu un rolu chjave in l'industria muderna, cù l'accelerazione di a penetrazione di i veiculi d'energia novi è l'applicazioni fotovoltaiche, a dumanda di sustrato di carburu di siliciu hè vicinu à usher in un puntu d'inflessione.