Wafer di carburo di siliciu da 2 pollici, substrati di SiC di tipu N o semiisolanti 6H o 4H
Prodotti cunsigliati
Wafer 4H SiC di tipu N
Diametru: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm
Orientazione: fora di l'asse 4.0˚ versu <1120> ± 0.5˚
Resistività: < 0,1 ohm.cm
Rugosità: CMP Si-face Ra <0.5nm, lucidatura ottica C-face Ra <1 nm
Wafer 4H SiC semi-isolante
Diametru: 2 pollici 50,8 mm | 4 pollici 100 mm | 6 pollici 150 mm
Orientazione: nantu à l'asse {0001} ± 0,25˚
Resistività: >1E5 ohm.cm
Rugosità: CMP Si-face Ra <0.5nm, lucidatura ottica C-face Ra <1 nm
1. Infrastruttura 5G -- alimentazione elettrica di cumunicazione.
L'alimentazione elettrica di cumunicazione hè a basa energetica per a cumunicazione trà u servitore è a stazione base. Fornisce energia elettrica per diversi apparecchi di trasmissione per assicurà u funziunamentu nurmale di u sistema di cumunicazione.
2. Pila di carica di veiculi à nova energia -- modulu di putenza di a pila di carica.
L'alta efficienza è l'alta putenza di u modulu di putenza di a pila di carica ponu esse realizate aduprendu u carburu di siliciu in u modulu di putenza di a pila di carica, in modu da migliurà a velocità di carica è riduce u costu di carica.
3. Big data center, Internet Industriale -- alimentazione elettrica di u servitore.
L'alimentatore di u servitore hè a biblioteca energetica di u servitore. U servitore furnisce energia per assicurà u funziunamentu nurmale di u sistema di u servitore. L'usu di cumpunenti di alimentazione in carburo di siliciu in l'alimentatore di u servitore pò migliurà a densità di putenza è l'efficienza di l'alimentatore di u servitore, riduce u vulume di u centru di dati in generale, riduce u costu generale di custruzzione di u centru di dati è ottene una maggiore efficienza ambientale.
4. Uhv - Applicazione di interruttori di circuitu CC di trasmissione flessibili.
5. Ferrovia interurbana d'alta velocità è transitu ferroviariu interurbanu -- convertitori di trazione, trasformatori elettronichi di putenza, convertitori ausiliari, alimentatori ausiliari.
Parametru
Pruprietà | unità | Siliciu | SiC | GaN |
Larghezza di a banda proibita | eV | 1.12 | 3.26 | 3.41 |
Campu di ripartizione | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3.3 |
Mobilità elettronica | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
Valucità di deriva | 10^7 cm/s | 1 | 2.7 | 2.5 |
Cunduttività termica | W/cmK | 1.5 | 3.8 | 1.3 |
Diagramma dettagliatu



