Substratu di carburo di siliciu di 2 pollici 6H-N lucidatu à doppia faccia diametru 50,8 mm di qualità di pruduzzione qualità di ricerca

Descrizzione breve:

U carburu di siliciu (SiC), cunnisciutu ancu cum'è carborundum, hè un semiconduttore chì cuntene siliciu è carbone cù a formula chimica SiC. U SiC hè adupratu in i dispositivi elettronichi à semiconduttori chì operanu à alte temperature o alte tensioni, o tramindui. U SiC hè ancu unu di i cumpunenti LED impurtanti, hè un substratu pupulare per a crescita di dispositivi GaN, è serve ancu cum'è diffusore di calore in LED d'alta putenza.
I wafer di carburo di siliciu sò un materiale d'altu rendimentu utilizatu in a pruduzzione di dispositivi elettronichi. Hè fattu da un stratu di carburo di siliciu in una cupola di cristallu di siliciu è hè dispunibule in diversi gradi, tipi è finiture superficiali. I wafer anu una planarità di Lambda/10, chì garantisce a più alta qualità è prestazioni per i dispositivi elettronichi fatti da wafer. I wafer di carburo di siliciu sò ideali per l'usu in elettronica di putenza, tecnulugia LED è sensori avanzati. Fornemu wafer di carburo di siliciu (sic) di alta qualità per l'industrie elettroniche è fotoniche.


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Eccu e caratteristiche di una cialda di carburo di siliciu di 2 pollici:

1. Migliore resistenza à e radiazioni: i wafer SIC anu una resistenza à e radiazioni più forte, ciò chì li rende adatti per l'usu in ambienti cù radiazioni. Esempi includenu navi spaziali è impianti nucleari.

2. Durezza più elevata: i wafer SIC sò più duri di u siliciu, ciò chì ne migliora a durabilità durante u trattamentu.

3. Custante dielettrica più bassa: A custante dielettrica di e cialde SIC hè più bassa di quella di u siliciu, ciò chì aiuta à riduce a capacità parassitaria in u dispusitivu è à migliurà e prestazioni à alta frequenza.

4. Velocità di deriva di l'elettroni saturati più alta: i wafer SIC anu una velocità di deriva di l'elettroni saturati più alta chè u siliciu, dendu à i dispositivi SIC un vantaghju in l'applicazioni d'alta frequenza.

5. Densità di putenza più alta: Cù e caratteristiche sopra menzionate, i dispositivi di wafer SIC ponu ottene una putenza di uscita più alta in una dimensione più chjuca.

A cialda di carburo di siliciu di 2 pollici hà parechje applicazioni.
1. Elettronica di putenza: I wafer di SiC sò largamente aduprati in apparecchiature elettroniche di putenza cum'è convertitori di putenza, inverter è interruttori d'alta tensione per via di e so caratteristiche di alta tensione di rottura è bassa perdita di putenza.

2. Veiculi elettrichi: I wafer di carburo di siliciu sò aduprati in l'elettronica di putenza di i veiculi elettrichi per migliurà l'efficienza è riduce u pesu, ciò chì risulta in una carica più rapida è una autonomia di guida più longa.

3. Energia rinnuvevule: I wafer di carburo di siliciu ghjocanu un rolu vitale in l'applicazioni di energia rinnuvevule cum'è l'inverter solari è i sistemi di energia eolica, migliurendu l'efficienza è l'affidabilità di a cunversione energetica.

4. Aerospaziale è Difesa: I wafer di SiC sò essenziali in l'industria aerospaziale è di difesa per applicazioni resistenti à alte temperature, alta putenza è radiazioni, cumpresi i sistemi di alimentazione di l'aeromobili è i sistemi radar.

ZMSH furnisce servizii di persunalizazione di u produttu per i nostri wafer di carburo di siliciu. I nostri wafer sò fatti di strati di carburo di siliciu di alta qualità provenienti da a Cina per assicurà a durabilità è l'affidabilità. I ​​clienti ponu sceglie trà a nostra selezzione di dimensioni è specifiche di wafer per risponde à i so bisogni specifici.

I nostri wafer di carburo di siliciu sò dispunibili in diversi mudelli è dimensioni, u mudellu hè u carburo di siliciu.

Offremu una gamma di trattamenti superficiali, cumprese a lucidatura à una/dua faccia cù una rugosità superficiale ≤1,2 nm è una planarità Lambda/10. Offremu ancu opzioni di resistività alta/bassa chì ponu esse persunalizate secondu i vostri bisogni. A nostra EPD di ≤1E10/cm2 garantisce chì i nostri wafer rispondenu à i più alti standard industriali.

Ci cuncernemu ogni dettagliu di l'imballu, pulizia, antistaticu, trattamentu d'urto. Sicondu a quantità è a forma di u pruduttu, piglieremu un prucessu d'imballu differente! Quasi per cassette di wafer singole o cassette di 25 pezzi in una stanza di pulizia di gradu 100.

Diagramma dettagliatu

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