3inch 76,2 mm 4H-Semi SiC wafer di substratu Wafers di SiC semi-insultante di carburu di siliciu

3-inch 4H semi-insulated SiC (carburu di silicium) sustrato wafers sò un materiale semiconductor cumunimenti usatu. 4H indica una struttura cristallina tetrahexahedral. Semi-insulazione significa chì u sustrato hà caratteristiche di alta resistenza è pò esse un pocu isolatu da u flussu di corrente.

Tali wafers di sustrato anu e seguenti caratteristiche: alta conduttività termica, bassa perdita di cunduzzione, eccellente resistenza à a temperatura alta, è eccellente stabilità meccanica è chimica. Perchè u carburu di siliciu hà una larga gap d'energia è pò sustene a temperatura elevata è e cundizioni elevate di u campu elettricu, i wafers semi-insulati 4H-SiC sò largamente usati in l'elettronica di putenza è i dispositi di radiofrequenza (RF).

L'applicazioni principali di i wafers semi-insulati 4H-SiC includenu:

1--Elettronica di putenza: I wafers 4H-SiC ponu esse aduprati per fabricà dispositivi di commutazione di putenza cum'è MOSFET (Transistori à Effettu di Campu Semiconductor di Metallo Oxide), IGBT (Transistori Bipolari di Porta Isolata) è diodi Schottky. Questi dispositi anu perdite di cunduzzione è di commutazione più bassu in ambienti di alta tensione è alta temperatura è offrenu una efficienza è una affidabilità più altu.

2--Dispositivi di Radio Frequency (RF): Wafers semi-insulati 4H-SiC ponu esse aduprati per fabricà amplificatori di putenza RF d'alta putenza, alta frequenza, resistori di chip, filtri è altri dispositi. U carburu di siliciu hà un megliu rendimentu à alta frequenza è stabilità termica per via di a so velocità di deriva di saturazione di l'elettroni più grande è di una conduttività termica più alta.

3--Dispositivi optoelettronici: i wafers semi-insulati 4H-SiC ponu esse aduprati per fabricà diodi laser d'alta putenza, rilevatori di luce UV è circuiti integrati optoelettronici.

In termini di direzzione di u mercatu, a dumanda di wafers semi-insulati 4H-SiC hè in crescita cù i campi in crescita di l'elettronica di putenza, RF è optoelettronica. Questu hè duvuta à u fattu chì u carburu di siliciu hà una larga gamma di applicazioni, cumprese l'efficienza energetica, i veiculi elettrici, l'energia rinnuvevule è e cumunicazioni. In u futuru, u mercatu per i wafers semi-insulati 4H-SiC resta assai promettente è hè previstu di rimpiazzà i materiali di siliciu cunvinziunali in diverse applicazioni.