4 pollici Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Applicazioni
● Sustrato di crescita per i composti III-V è II-VI.
● Elettronica è optoelettronica.
● Applicazioni IR.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Circuitu Integratu di Frequency Radio (RFIC).
In a pruduzzione LED, i wafers di zaffiro sò usati com'è sustrato per a crescita di cristalli di nitruru di gallu (GaN), chì emettenu luce quandu un currente elettricu hè appiicatu. Sapphire hè un materiale di sustrato ideale per a crescita di GaN perchè hà una struttura di cristalli simili è un coefficient d'espansione termale à GaN, chì minimizza i difetti è migliurà a qualità di cristalli.
In l'ottica, i wafers di zaffiro sò usati cum'è finestri è lenti in ambienti d'alta pressione è d'alta temperatura, è ancu in sistemi di imaging infrared, per via di a so alta trasparenza è durezza.
Specificazione
Articulu | 4-inch C-plane (0001) 650μm Sapphire Wafers | |
Materiali Cristalli | 99,999%, Alta Purezza, Al2O3 monocristalline | |
Grade | Primu, Epi-Ready | |
Orientazione di a superficia | C-plane (0001) | |
C-plane off-angle versus M-axis 0,2 +/- 0,1 ° | ||
Diamitru | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Spessore | 650 μm +/- 25 μm | |
Orientazione Piana Primaria | Pianu A (11-20) +/- 0,2 ° | |
Lunghezza piatta primaria | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Singulu Latu Pulitu | Superficie frontale | Epi-polished, Ra < 0,2 nm (da AFM) |
(SSP) | Superficie posteriore | Terre fine, Ra = 0,8 μm à 1,2 μm |
Doppiu Latu Pulitu | Superficie frontale | Epi-polished, Ra < 0,2 nm (da AFM) |
(DSP) | Superficie posteriore | Epi-polished, Ra < 0,2 nm (da AFM) |
TTV | < 20 μm | |
ARCU | < 20 μm | |
WARP | < 20 μm | |
Pulizia / Packaging | Pulizia di camere bianche di classe 100 è imballaggio à vuoto, | |
25 pezzi in un imballaggio cassette o imballaggio unicu pezzu. |
Imballaggio è spedizione
In generale, furnimu u pacchettu da 25pcs cassette box; Pudemu ancu imballate da un contenitore di wafer unicu sottu una stanza di pulizia di qualità 100 secondu u requisitu di u cliente.