Sementi SiC 4H-N Dia205mm da China P è D Grade Monocrystaline

U metudu PVT (trasportu di vapore fisicu) hè un metudu cumuni utilizatu per cultivà cristalli unichi di carburu di siliciu. In u prucessu di crescita PVT, u materiale di carburu di siliciu unicu hè dipositu da l'evaporazione fisica è u trasportu centratu nantu à i cristalli di sementi di carburu di siliciu, cusì chì i novi cristalli unichi di carburu di siliciu crescenu longu a struttura di i cristalli di sementi.

In u metudu PVT, u cristallu di sumente di carburu di siliciu ghjoca un rolu chjave cum'è u puntu di partenza è u mudellu per a crescita, influenzendu a qualità è a struttura di u cristallu unicu finali. Duranti u prucessu di crescita PVT, cuntrullendu paràmetri cum'è a temperatura, a pressione è a cumpusizioni di a fase di gasu, a crescita di i cristalli unichi di carburu di siliciu pò esse realizatu per furmà materiali monocristalli di grande dimensione è di alta qualità.

U prucessu di crescita centratu nantu à i cristalli di sementi di carburu di siliciu da u metudu PVT hè di grande significatu in a produzzione di cristalli unichi di carburu di siliciu, è ghjoca un rolu chjave in l'ottenimentu di materiali monocristalli di carburu di siliciu di alta qualità è di grande dimensione.

U cristallu SiCseed di 8inch chì offremu hè assai raru in u mercatu in u mumentu. A causa di a difficultà tecnica relativamente alta, a maiò parte di e fabbriche ùn ponu micca furnisce cristalli di sementi di grande dimensione. Tuttavia, grazia à a nostra longa è stretta relazione cù a fabbrica di carburu di siliciu chinesa, pudemu furnisce i nostri clienti cù questa wafer di sementi di carburu di siliciu di 8 inch. Sè avete bisognu, sentite liberu di cuntattateci. Pudemu sparte e specificazioni cun voi prima.