Sementi di SiC 4H-N Dia205mm da Cina Monocristallina di qualità P è D
U metudu PVT (Physical Vapor Transport) hè un metudu cumunu utilizatu per cultivà monocristalli di carburu di siliciu. In u prucessu di crescita PVT, u materiale monocristallinu di carburu di siliciu hè depositatu per evaporazione fisica è trasportu centratu nantu à i cristalli di sementi di carburu di siliciu, in modu chì i novi monocristalli di carburu di siliciu crescenu longu a struttura di i cristalli di sementi.
In u metudu PVT, u cristallu di semente di carburu di siliciu ghjoca un rolu chjave cum'è puntu di partenza è mudellu per a crescita, influenzendu a qualità è a struttura di u monocristallu finale. Durante u prucessu di crescita PVT, cuntrullendu parametri cum'è a temperatura, a pressione è a cumpusizione di a fase gassosa, a crescita di monocristalli di carburu di siliciu pò esse realizata per furmà materiali monocristallini di grande dimensione è di alta qualità.
U prucessu di crescita centratu nantu à i cristalli di sementi di carburo di siliciu per mezu di u metudu PVT hè di grande impurtanza in a pruduzzione di monocristalli di carburo di siliciu, è ghjoca un rolu chjave in l'ottenimentu di materiali monocristallini di carburo di siliciu di alta qualità è di grande dimensione.
U cristallu di sementi SiC di 8 pollici chì offremu hè assai raru nant'à u mercatu à u mumentu. A causa di a difficultà tecnica relativamente alta, a grande maggioranza di e fabbriche ùn ponu micca furnisce cristalli di sementi di grande dimensione. Tuttavia, grazia à a nostra longa è stretta relazione cù a fabbrica cinese di carburo di siliciu, pudemu furnisce à i nostri clienti sta cialda di sementi di carburo di siliciu di 8 pollici. Sè avete qualchì bisognu, per piacè cuntattateci. Pudemu sparte e specifiche cun voi prima.
Diagramma dettagliatu



