4H-semi HPSI 2inch substratu SiC wafer Pruduzzione Dummy Research grade

U sustratu di carburu di siliciu hè principalmente divisu in tipu conduttivu è semi-isolante, u sustratu di carburu di siliciu conduttivu à u sustratu di tipu n hè principalmente utilizatu per LED epitassiali basati in GaN è altri dispositivi optoelettronici, dispositivi elettronichi di putenza basati in SiC, ecc., è u sustratu di carburu di siliciu SiC semi-isolante hè principalmente utilizatu per a fabricazione epitassiale di dispositivi di radiofrequenza d'alta putenza GaN. Inoltre, u semi-isolamentu HPSI è u semi-isolamentu SI d'alta purità sò diffirenti, a cuncentrazione di purtatori di semi-isolamentu d'alta purità hè di 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, cù alta mobilità elettronica; u semi-isolamentu hè un materiale d'alta resistenza, a resistività hè assai alta, generalmente utilizatu per sustrati di dispositivi à microonde, micca conduttivu.

Fogliu di substratu semi-isolante di carburo di siliciu Wafer di SiC

A struttura cristallina di SiC determina e so proprietà fisiche, relative à Si è GaAs, SiC hà per e proprietà fisiche; a larghezza di banda pruibita hè grande, vicinu à 3 volte quella di Si, per assicurà chì u dispusitivu funziona à alte temperature cù l'affidabilità à longu andà; a forza di u campu di rottura hè alta, hè 10 volte quella di Si, per assicurà chì a capacità di tensione di u dispusitivu, migliurà u valore di tensione di u dispusitivu; a velocità di saturazione di l'elettroni hè grande, hè 2 volte quella di Si, per aumentà a frequenza è a densità di putenza di u dispusitivu; a cunduttività termica hè alta, più di Si, a cunduttività termica hè alta, a cunduttività termica hè alta, a cunduttività termica hè alta, più di Si, a cunduttività termica hè alta, a cunduttività termica hè alta. Alta cunduttività termica, più di 3 volte quella di Si, aumentendu a capacità di dissipazione di u calore di u dispusitivu è realizendu a miniaturizazione di u dispusitivu.