4H-semi HPSI 2inch SiC sustrato wafer Produzione Dummy Grade di ricerca

U sustrato di carburu di silicuu hè principalmente divisu in tippu conduttivu è semi-insulating, sustrato conduttivu di carburu di silicuu à sustrato n-tipu hè principalmente utilizatu per LED epitassiali basati in GaN è altri dispositi optoelettronici, dispositivi elettronichi di putenza basati in SiC, etc. U sustrato isolante di carburu di siliciu SiC hè principarmenti utilizatu per a fabricazione epitassiale di apparecchi di radiofrequenza GaN d'alta putenza. In più high-purità semi-insulation HPSI è SI semi-insulation hè differente, high-purità semi-insulation cuncintrazzioni traspurtadore di 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 gamma, cù alta mobilità elettroni; semi-insulation hè un materiali high-resistenza, resistivity hè assai altu, generalmente usatu di sustrati dispusitivu microwave, non-conductive.

Plaque de substrat en carbure de silicium semi-isolant Wafer SiC

struttura cristallina SiC determina u so fisicu, relative à Si è GaAs, SiC hà per i pruprietà fisicu; larghezza di banda pruibitu hè grande, vicinu à 3 volte chì di Si, à assicurà chì u dispusitivu travaglia à altu temperature sottu à u reliability longu andà; forza di campu breakdown hè altu, hè 1O volte chì di Si, à assicurà chì a capacità voltage dispusitivu, migliurà u valore voltage dispusitivu; tassu di saturazione elettroni hè grande, hè 2 volte chì di Si, per aumentà a freccia di u dispusitivu è a densità di putenza; a cunductività termale hè alta, più di Si, a cunduttività termale hè alta, a cunduttività termale hè alta, a cunductibilità termale hè alta, a cunductibilità termale hè alta, più di u Si, a cunductività termale hè alta, a conduttività termale hè alta. Alta conductività termale, più di 3 volte quella di Si, aumentendu a capacità di dissipazione di u calore di u dispusitivu è rializendu a miniaturizazione di u dispusitivu.