6 in Lingotti Semi-isolanti di Carburu di Siliciu 4H-SiC, di Qualità Fittizia

Lingottu semiisolante di carburo di siliciu 4H-SiC da 6 in, qualità fittizia.

Descrizzione breve:

U carburu di siliciu (SiC) sta rivoluzionendu l'industria di i semiconduttori, in particulare in l'applicazioni di alta putenza, alta frequenza è resistenti à e radiazioni. U lingotto semi-isolante 4H-SiC di 6 pollici, offertu in qualità fittizia, hè un materiale essenziale per i prucessi di prototipazione, ricerca è calibrazione. Cù un largu bandgap, una eccellente conducibilità termica è una robustezza meccanica, questu lingotto serve cum'è una opzione à bon pattu per i testi è l'ottimizazione di i prucessi senza compromettere a qualità fundamentale necessaria per u sviluppu avanzatu. Questu pruduttu si rivolge à una varietà di applicazioni, cumprese l'elettronica di putenza, i dispositivi à radiofrequenza (RF) è l'optoelettronica, ciò chì ne face un strumentu preziosu per l'industria è l'istituzioni di ricerca.

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Pruprietà

1. Proprietà fisiche è strutturali
●Tipu di materiale: Carburu di siliciu (SiC)
●Politipu: 4H-SiC, struttura cristallina esagonale
●Diametru: 6 pollici (150 mm)
●Spessore: Configurabile (5-15 mm tipicu per u gradu fittiziu)
●Orientazione di u Cristallu:
oPrimariu: [0001] (pianu C)
Opzioni secundarie: Fora d'asse 4° per una crescita epitassiale ottimizzata
●Orientazione piatta primaria: (10-10) ± 5°
● Orientazione di u pianu secundariu: 90° in sensu antiorariu da u pianu primariu ± 5°

2. Proprietà elettriche
●Resistività:
Semi-isolante (>106^66 Ω·cm), ideale per minimizà a capacità parassita.
●Tipu di doping:
Dopatu involuntariamente, risultendu in una alta resistività elettrica è stabilità in una varietà di cundizioni operative.

3. Proprietà termiche
● Cunduttività termica: 3,5-4,9 W/cm·K, chì permette una dissipazione efficace di u calore in sistemi di alta putenza.
● Coefficiente di dilatazione termica: 4,2 × 10−6 4,2 \times 10^{-6} 4,2 × 10−6 / K, chì garantisce a stabilità dimensionale durante a trasfurmazione à alta temperatura.

4. Proprietà ottiche
●Bandgap: Ampia banda proibita di 3,26 eV, chì permette u funziunamentu sottu tensioni è temperature elevate.
●Trasparenza: Alta trasparenza à e lunghezze d'onda UV è visibili, utile per i test optoelettronici.

5. Proprietà meccaniche
● Durezza: scala Mohs 9, seconda solu à u diamante, chì garantisce a durabilità durante a trasfurmazione.
●Densità di difetti:
o Cuntrullatu per difetti macro minimi, assicurendu una qualità sufficiente per applicazioni di qualità fittizia.
●Pianerezza: Uniformità cù deviazioni

Parametru	Dettagli	Unità
Gradu	Gradu fittiziu
Diametru	150,0 ± 0,5	mm
Orientazione di a cialda	Nantu à l'asse: <0001> ± 0,5°	gradu
Resistività elettrica	> 1E5	Ω·cm
Orientazione Piatta Primaria	{10-10} ± 5,0°	gradu
Lunghezza piatta primaria	Tacca
Crepe (Ispezione di Luce à Alta Intensità)	< 3 mm in radiale	mm
Piastre esagonali (ispezione di luce ad alta intensità)	Area cumulativa ≤ 5%	%
Zone Politipiche (Ispezione di Luce à Alta Intensità)	Area cumulativa ≤ 10%	%
Densità di i microtubi	< 50	cm−2^-2−2
Scheggiatura di i bordi	3 permessi, ognunu ≤ 3 mm	mm
Nota	Spessore di a cialda di taglio < 1 mm, > 70% (escludendu duie estremità) risponde à i requisiti sopra menzionati

Applicazioni

1. Prototipazione è Ricerca
U lingotto 4H-SiC di 6 pollici di qualità fittizia hè un materiale ideale per a prototipazione è a ricerca, chì permette à i pruduttori è à i laboratori di:
●Parametri di prucessu di prova in Deposizione Chimica da Vapore (CVD) o Deposizione Fisica da Vapore (PVD).
●Sviluppà è affinà e tecniche di incisione, lucidatura è taglio di wafer.
●Esplora novi disinni di dispositivi prima di passà à materiale di qualità di pruduzzione.

2. Calibrazione è prova di u dispusitivu
E proprietà semi-isolanti rendenu questu lingotto preziosu per:
● Valutazione è calibrazione di e proprietà elettriche di dispositivi di alta putenza è alta frequenza.
●Simulazione di e cundizioni operative per MOSFET, IGBT, o diodi in ambienti di prova.
●Servendu cum'è un sustitutu ecunomicu per i substrati di alta purezza durante u sviluppu in fase iniziale.

3. Elettronica di putenza
L'alta cunduttività termica è e caratteristiche di banda larga di 4H-SiC permettenu un funziunamentu efficiente in l'elettronica di putenza, cumprese:
● Alimentatori d'alta tensione.
●Invertitori per veiculi elettrici (EV).
●Sistemi d'energia rinnuvevule, cum'è inverter solari è turbine eoliche.

4. Applicazioni di radiofrequenza (RF)
E basse perdite dielettriche è l'alta mobilità elettronica di 4H-SiC u rendenu adattatu per:
●Amplificatori RF è transistor in l'infrastruttura di cumunicazione.
●Sistemi radar d'alta frequenza per applicazioni aerospaziali è di difesa.
●Cumponenti di rete wireless per e tecnulugie 5G emergenti.

5. Dispositivi resistenti à e radiazioni
Per via di a so resistenza inerente à i difetti indotti da a radiazione, u 4H-SiC semi-isolante hè ideale per:
● Attrezzatura per l'esplorazione spaziale, cumprese l'elettronica satellitare è i sistemi di alimentazione.
●Elettronica temprata à a radiazione per u monitoraghju è u cuntrollu nucleare.
●Applicazioni di difesa chì richiedenu robustezza in ambienti estremi.

6. Optoelettronica
A trasparenza ottica è l'ampia banda proibita di 4H-SiC permettenu u so usu in:
● Fotodetettori UV è LED d'alta putenza.
●Test di rivestimenti ottici è trattamenti superficiali.
●Prototipazione di cumpunenti ottici per sensori avanzati.

Vantaghji di u materiale di qualità fittizia

Efficienza di i costi:
U gradu fittiziu hè un'alternativa più accessibile à i materiali di ricerca o di pruduzzione, ciò chì u rende ideale per i testi di rutina è u raffinamentu di i prucessi.

Persunalizabilità:
E dimensioni configurabili è l'orientazioni di i cristalli garantiscenu a compatibilità cù una vasta gamma di applicazioni.

Scalabilità:
U diametru di 6 pollici hè in cunfurmità cù i standard di l'industria, chì permette una scalatura senza intoppi à i prucessi di qualità di pruduzzione.

Robustezza:
L'alta resistenza meccanica è a stabilità termica rendenu u lingotto durevule è affidabile in diverse cundizioni sperimentali.

Versatilità:
Adattu per parechje industrie, da i sistemi energetichi à e cumunicazioni è l'optoelettronica.

Cunclusione

U lingotto semi-isolante di carburo di siliciu (4H-SiC) di 6 pollici, di qualità fittizia, offre una piattaforma affidabile è versatile per a ricerca, a prototipazione è i test in settori tecnologichi d'avanguardia. E so proprietà termiche, elettriche è meccaniche eccezziunali, cumminate cù l'accessibilità economica è a persunalizazione, ne facenu un materiale indispensabile sia per u mondu accademicu sia per l'industria. Da l'elettronica di putenza à i sistemi RF è i dispositivi temprati da e radiazioni, questu lingotto sustene l'innuvazione in ogni tappa di u sviluppu.
Per specifiche più dettagliate o per dumandà un preventivu, cuntattateci direttamente. A nostra squadra tecnica hè pronta à aiutà vi cù suluzioni persunalizate per risponde à i vostri bisogni.