6 in Lingotto semi-isolante in carbure di silicium 4H-SiC, di qualità Dummy

Lingotto semi-isolante di carburo di silicio 4H-SiC da 6 in, immagine in evidenza

Descrizione breve:

Silicon Carbide (SiC) rivoluziona l'industria di i semiconduttori, in particulare in applicazioni di alta putenza, alta frequenza è resistenti à a radiazione. U lingotto semi-isolante 4H-SiC di 6 inch, offertu in qualità dummy, hè un materiale essenziale per i prucessi di prototipazione, ricerca è calibrazione. Cù un largu bandgap, un'eccellente conduttività termica è una robustezza meccanica, stu lingotto serve cum'è una opzione rentabile per a prova è l'ottimisazione di u prucessu senza compromette a qualità fundamentale necessaria per u sviluppu avanzatu. Stu pruduttu risponde à una varietà di applicazioni, cumprese l'elettronica di putenza, i dispositi di radiofrequenza (RF) è l'optoelettronica, facendu un strumentu inestimabile per l'industria è l'istituzioni di ricerca.

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Pruprietà

1. Pruprietà fisica è strutturale
●Tipu di Materiale: Carburo di Siliciu (SiC)
●Polytype: 4H-SiC, struttura di cristallo esagonale
●Diametru: 6 inch (150 mm)
●Thickness: Configurable (5-15 mm tipicu per u dummy grade)
● Orientazione Cristalli:
o Primariu: [0001] (C-plane)
o Opzioni secondarie: Off-axis 4° per una crescita epitassiale ottimizzata
● Primary Flat Orientation: (10-10) ± 5 °
●Secundaria Flat Orientation: 90 ° in senso antiurariu da u pianu primariu ± 5 °

2. Pruprietà elettrica
●Resistività:
oSemi-insulating (>106^66 Ω·cm), ideale per minimizzà a capacità parassita.
●Tipu di doping:
o Dopatu involontariamente, risultatu in una alta resistività elettrica è stabilità in una varietà di cundizioni operative.

3. Pruprietà termale
●Conductivity Thermal: 3.5-4.9 W / cm·K, chì permettenu dissipazione di calore efficace in sistemi d'alta putenza.
●Thermal Expansion Coefficient: 4.2 × 10−64.2 \times 10^{-6}4.2 × 10−6/K, assicurendu a stabilità dimensionale durante u prucessu di alta temperatura.

4. Pruprietà otticu
●Bandgap: Wide bandgap di 3.26 eV, chì permette u funziunamentu sottu altu voltages è temperature.
●Trasparenza: Alta trasparenza à e lunghezze d'onda UV è visibili, utili per a prova optoelettronica.

5. Pruprietà meccanica
●Hardness: Mohs scala 9, secondu solu à u diamante, assicurendu a durabilità durante a trasfurmazioni.
● Densità di difetti:
o Cuntrollatu per i difetti macro minimi, assicurendu una qualità abbastanza per l'applicazioni di qualità manichi.
●Flatness: Uniformità cù deviazioni

Parametru	Dettagli	Unità
Grade	Grade Dummy
Diamitru	150,0 ± 0,5	mm
Orientazione Wafer	À l'assi: <0001> ± 0,5 °	gradu
Resistività elettrica	> 1E5	Ω·cm
Orientazione Piana Primaria	{10-10} ± 5,0 °	gradu
Lunghezza piatta primaria	Notch
Cracks (ispezione di luce à alta intensità)	< 3 mm in radiale	mm
Piastre Hex (ispezione di luce à alta intensità)	Area cumulativa ≤ 5%	%
Zone Polytype (Ispezione di Luce à Alta Intensità)	Area cumulativa ≤ 10%	%
Densità di micropipe	< 50	cm−2^-2−2
Chipping Edge	3 permessi, ognunu ≤ 3 mm	mm
Nota	Spessore di wafer di taglio < 1 mm,> 70% (escludendu duie estremità) risponde à i requisiti sopra

Applicazioni

1. Prototyping è Ricerca
U lingotto 4H-SiC di qualità dummy da 6 pollici hè un materiale ideale per a prototipazione è a ricerca, chì permette à i pruduttori è i laboratori di:
●Test paràmetri prucessu in Chemical Vapor Deposition (CVD) o Physical Vapor Deposition (PVD).
●Sviluppà è raffinà e tecniche di incisione, lucidatura è wafer slicing.
●Explore novi disinni dispusitivu nanzu transitioning à u materiale di pruduzzioni-grade.

2. Calibration Dispositivu è Testing
E proprietà semi-insulanti facenu stu lingotti inestimabile per:
●Evaluating è calibrating i pruprietà ilettricu di high-putere è high-frequency dispusitivi.
●Simulating cundizioni upirativu per MOSFETs, IGBTs, o diodes in ambienti test.
●Serving cum'è un sustitutu costu-efficace per sustrati high-purità durante u sviluppu di u primu stadiu.

3. Elettronica di putenza
L'alta conduttività termica è e caratteristiche di banda larga di 4H-SiC permettenu un funziunamentu efficiente in l'elettronica di putenza, cumprese:
●High-voltage putenza.
●Vehicule elettricu (EV) inverters.
● Sistemi d'energia rinnuvevuli, cum'è inverter sulari è turbine di ventu.

4. Applicazioni Radio Frequency (RF).
E basse perdite dielettriche di 4H-SiC è l'alta mobilità di l'elettroni u facenu adattatu per:
● Amplificatori RF è transistors in infrastruttura di cumunicazione.
● Sistemi di radar d'alta freccia per l'applicazioni aerospaziali è di difesa.
● Cumpunenti di rete wireless per tecnulugii emergenti 5G.

5. Dispositivi Radiation-Resistant
A causa di a so resistenza inherente à i difetti indotti da a radiazione, 4H-SiC semi-insulating hè ideale per:
● Equipamentu di esplorazione spaziale, cumpresi l'elettronica satellitare è i sistemi di putenza.
●Radiation-hardened ilittronica per surviglianza nucleari è cuntrollu.
● Applicazioni di difesa chì necessitanu robustezza in ambienti estremi.

6. Optoelettronica
A trasparenza ottica è a banda larga di 4H-SiC permettenu u so usu in:
● Photodetectors UV è LED high-putere.
●Test di rivestimenti ottici è trattamenti di superficia.
●Prototyping cumpunenti otticu per sensors avanzata.

Vantaghji di u materiale Dummy-Grade

Efficienza di costu:
U dummy grade hè una alternativa più assequible à i materiali di ricerca o di produzzione, facendu ideale per teste di rutina è perfezzione di prucessu.

persunalizazione:
Dimensioni configurabili è orientazioni di cristalli assicuranu a cumpatibilità cù una larga gamma di applicazioni.

Scalabilità:
U diametru di 6 inch si allinea cù i normi di l'industria, chì permette una scala senza saldatura à i prucessi di produzzione.

Robustezza:
L'alta forza meccanica è a stabilità termica facenu u lingotto durabile è affidabile in diverse cundizioni sperimentali.

Versatilità:
Adatta per parechje industrie, da i sistemi energetichi à e cumunicazioni è l'optoelettronica.

Cunclusioni

U lingotto semi-isolante di Carburo di Silicio (4H-SiC) da 6 pollici, di qualità fittizia, offre una piattaforma affidabile è versatile per a ricerca, prototipazione è teste in settori di tecnulugia di punta. E so eccezziunali proprietà termiche, elettriche è meccaniche, cumminate cù l'accessibilità è a persunalizazione, facenu un materiale indispensabile per l'accademia è l'industria. Da l'elettronica di putenza à i sistemi RF è i dispositi induriti da a radiazione, stu lingotti sustene l'innuvazione in ogni stadiu di u sviluppu.
Per specificazioni più dettagliate o per dumandà un preventivu, per piacè cuntattateci direttamente. A nostra squadra tecnica hè pronta à aiutà cù soluzioni adattate per risponde à e vostre esigenze.