GaN-On-Sapphire da 6 pollici

Descrizione breve:

150mm 6inch GaN su Silicone/Zaffiro/SiC Wafer Epi-layer Wafer epitassiale di nitruru di gallio

L'oblea di sustrato di zaffiro di 6 inch hè un materiale semiconductor d'alta qualità custituitu da strati di nitruru di gallu (GaN) cultivatu nantu à un sustrato di zaffiro. U materiale hà eccellenti proprietà di trasportu elettronicu è hè ideale per a fabricazione di dispusitivi semiconductor d'alta putenza è d'alta frequenza.

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150mm 6inch GaN su Silicone/Zaffiro/SiC Wafer Epi-layer Wafer epitassiale di nitruru di gallio

Metudu di fabricazione: U prucessu di fabricazione implica a crescita di strati di GaN nantu à un sustrato di zaffiro aduprendu tecniche avanzate cum'è a deposizione di vapore chimicu-organicu metallicu (MOCVD) o l'epitassia di fasci moleculari (MBE). U prucessu di depositu hè realizatu in cundizioni cuntrullate per assicurà una qualità di cristalli alta è una film uniforme.

Applicazioni GaN-On-Sapphire 6inch: I chips di sustrato di zaffiro di 6 inch sò largamente usati in cumunicazioni à microonde, sistemi di radar, tecnulugia wireless è optoelettronica.

Alcune applicazioni cumuni includenu

1. Rf amplificatore di putenza

2. industria illuminazione LED

3. Apparecchiatura di cumunicazione in rete wireless

4. Apparecchi ilittronica in ambienti altu temperature

5. dispusitivi optoelettronica

Specificazioni di u produttu

- Size: U diametru di u sustrato hè di 6 inch (circa 150 mm).

- Qualità di a superficia: A superficia hè stata finemente pulita per furnisce una qualità di specchiu eccellente.

- Spessore: U spessore di a capa GaN pò esse persunalizatu secondu esigenze specifiche.

- Imballaggio: U sustrato hè imballatu cù cura cù materiali antistatici per prevene danni durante u trasportu.

- Bordi di posizionamentu: U sustrato hà bordi di posizionamentu specifichi chì facilitanu l'allineamentu è u funziunamentu durante a preparazione di u dispusitivu.

- Altri parametri: Parametri specifichi cum'è a magrezza, a resistività è a cuncentrazione di doping ponu esse aghjustati secondu e esigenze di u cliente.

Cù e so proprietà di materiale superiore è diverse applicazioni, i wafers di sustrato di zaffiro di 6 inch sò una scelta affidabile per u sviluppu di dispositivi semiconduttori d'altu rendiment in diverse industrii.

Sustrattu	6" 1mm <111> p-type Si	6" 1mm <111> p-type Si
Epi ThickAvg	~ 5um	~ 7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
arcu	+/-45 um	+/-45 um
Cracking	<5 mm	<5 mm
Verticale BV	> 1000 V	> 1400 V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN Cap	5-60 nm	5-60 nm
2DEG cunc.	~ 10¹³cm^-2	~ 10¹³cm^-2
A mobilità	~ 2000 cm²/Vs (<2%)	~ 2000 cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sq (<2%)	<330ohm/sq (<2%)