8 Inch Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer
Informazioni detallate
Diamitru | 200 ± 0,2 mm |
piattezza maiò | 57,5 mm, tacca |
Orientazione | 128Y-Cut, X-Cut, Z-Cut |
Spessore | 0,5 ± 0,025 mm, 1,0 ± 0,025 mm |
Superficie | DSP è SSP |
TTV | < 5 µm |
ARCU | ± (20µm ~ 40um) |
Warp | <= 20 µm ~ 50 µm |
LTV (5 mm x 5 mm) | <1,5 um |
PLTV (<0.5um) | ≥98% (5mm * 5mm) cù un bordu di 2mm esclusu |
Ra | Ra<= 5A |
Scratch & Dig (S/D) | 20/10, 40/20, 60/40 |
Edge | Scuntrà SEMI M1.2@with GC800#. regular à u tipu C |
Specificazioni specifiche
Diametru: 8 inches (circa 200 mm)
Spessore: Spessore standard cumuni varieghja da 0,5 mm à 1 mm. Altri spessori ponu esse persunalizati secondu esigenze specifiche
Orientazione di cristalli: L'orientazione di cristalli cumuni principali hè l'orientazione di cristalli 128Y-cut, Z-cut è X-cut, è altra orientazione di cristalli pò esse furnita secondu l'applicazione specifica.
Vantaghji di taglia: i wafers di carpa serrata di 8 inch anu parechji vantaghji di taglia nantu à i wafers più chjuchi:
Area più grande: Paragunatu à i wafers di 6 inch o 4 inch, i wafers di 8 inch furniscenu una superficia più grande è ponu accumpagnà più dispusitivi è circuiti integrati, risultatu in una efficienza di produzzione aumentata è u rendiment.
Densità più alta: Utilizendu wafers di 8 pollici, più dispusitivi è cumpunenti ponu esse realizati in a listessa zona, aumentendu l'integrazione è a densità di u dispusitivu, chì à u turnu aumenta u rendiment di u dispusitivu.
Coerenza megliu: Wafers più grande anu una cunsistenza megliu in u prucessu di produzzione, aiutendu à riduce a variabilità in u prucessu di fabricazione è à migliurà l'affidabilità è a coerenza di u produttu.
I wafers di 8-inch L è LN anu u stessu diametru cum'è i wafers di silicium mainstream è sò faciuli di ligà. Cum'è un materiale "filtru SAW articulatu" d'alta prestazione chì pò manighjà bande d'alta frequenza.