8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive Dummy Research Grade

Per via di e so proprietà fisiche è elettroniche uniche, u materiale di semiconductor di wafer di 200 mm SiC hè utilizatu per creà apparecchi elettronichi d'alta prestazione, d'alta temperatura, resistenti à a radiazione è di freccia alta. U prezzu di u sustrato SiC 8inch hè diminuitu gradualmente cum'è a tecnulugia diventa più avanzata è a dumanda cresce. I recenti sviluppi tecnologichi portanu à a fabricazione in scala di produzzione di wafers SiC 200mm. I vantaghji principali di i materiali semiconduttori di wafer SiC in paragone cù i wafers Si è GaAs: A forza di u campu elettricu di 4H-SiC durante a rottura di avalanche hè più di un ordine di grandezza più altu ch'è i valori currispondenti per Si è GaAs. Questu porta à una diminuzione significativa di a resistività di u statu Ron. A bassa resistività di u statu, cumminata cù una alta densità di corrente è a conduttività termale, permette l'usu di fustelle assai chjuche per i dispositi di putenza. L'alta conduttività termale di SiC reduce a resistenza termale di u chip. E pruprietà elettroniche di i dispositi basati in wafers SiC sò assai stabili in u tempu è in temperatura stabile, chì assicura una alta affidabilità di i prudutti. U carburu di siliciu hè estremamente resistente à a radiazione dura, chì ùn degrada micca e proprietà elettroniche di u chip. L'alta temperatura operativa limitante di u cristallu (più di 6000C) permette di creà apparecchi altamente affidabili per e cundizioni di operazione duri è applicazioni speciali. Attualmente, pudemu furnisce un picculu batch 200mmSiC wafers in modu stabile è cuntinuu è avè qualchì stock in u magazzinu.