Wafer SiC 4H-N da 8 pollici, 200 mm, di qualità di ricerca fittizia conduttiva

A causa di e so proprietà fisiche è elettroniche uniche, u materiale semiconduttore di wafer SiC di 200 mm hè adupratu per creà dispositivi elettronichi di alte prestazioni, alte temperature, resistenti à e radiazioni è alte frequenze. U prezzu di u substratu SiC di 8 pollici diminuisce gradualmente à misura chì a tecnulugia diventa più avanzata è a dumanda cresce. I recenti sviluppi tecnologichi portanu à a fabricazione in scala di pruduzzione di wafer SiC di 200 mm. I principali vantaghji di i materiali semiconduttori di wafer SiC in paragone cù i wafer Si è GaAs: A forza di u campu elettricu di 4H-SiC durante a rottura di a valanga hè più di un ordine di grandezza superiore à i valori currispondenti per Si è GaAs. Questu porta à una diminuzione significativa di a resistività in statu on Ron. A bassa resistività in statu on, cumminata cù una alta densità di corrente è una cunduttività termica, permette l'usu di die assai chjuchi per i dispositivi di putenza. L'alta cunduttività termica di SiC riduce a resistenza termica di u chip. E proprietà elettroniche di i dispositivi basati nantu à wafer SiC sò assai stabili in u tempu è stabili in temperatura, ciò chì garantisce una alta affidabilità di i prudutti. U carburo di siliciu hè estremamente resistente à a radiazione dura, ciò chì ùn degrada micca e proprietà elettroniche di u chip. L'alta temperatura di funziunamentu limite di u cristallu (più di 6000 °C) permette di creà dispositivi assai affidabili per cundizioni di funziunamentu difficili è applicazioni speciali. Attualmente, pudemu furnisce picculi lotti di wafer di SiC di 200 mm in modu regulare è continuu è avemu qualchì stock in u magazzinu.