Wafer di SiC di qualità di pruduzzione di 8 pollici substratu SiC 4H-N

Descrizzione breve:

I substrati di SiC di 8 pollici sò aduprati in dispositivi elettronichi di alta putenza, cum'è MOSFET di putenza (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), diodi Schottky è altri dispositivi à semiconduttori di putenza.


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A seguente tavula mostra e specificazioni di i nostri wafer SiC di 8 pollici:

Specifiche DSP SiC di tipu N da 8 pollici

Numeru Articulu Unità Pruduzzione Ricerca Manichinu
1: parametri
1.1 politipu -- 4H 4H 4H
1.2 orientazione di a superficia ° <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5 <11-20>4±0.5
2: Parametru elettricu
2.1 dopante -- azotu di tipu n azotu di tipu n azotu di tipu n
2.2 resistività ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Parametru meccanicu
3.1 diametru mm 200±0.2 200±0.2 200±0.2
3.2 spessore μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Orientazione di a tacca ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Prufundità di a tacca mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 LTV μm ≤5 (10mm * 10mm) ≤5 (10mm * 10mm) ≤10 (10mm * 10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Arcu μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Orditu μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4: Struttura
4.1 densità di micropipe ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 cuntenutu di metalli atomi/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Qualità di u frontale
5.1 fronte -- Si Si Si
5.2 finitura superficiale -- CMP Si-face CMP Si-face CMP Si-face
5.3 particella ea/cialda ≤100 (dimensione ≥0.3μm) NA NA
5.4 grattà ea/cialda ≤5, Lunghezza tutale ≤200mm NA NA
5.5 Bordu
scheggiature/incisioni/crepe/macchie/contaminazione
-- Nimu Nimu NA
5.6 Zone di politipu -- Nimu Zona ≤10% Zona ≤30%
5.7 marcatura frontale -- Nimu Nimu Nimu
6: Qualità di u spinu
6.1 finitura posteriore -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 grattà mm NA NA NA
6.3 Difetti di u bordu di u spinu
schegge/rientranze
-- Nimu Nimu NA
6.4 Rugosità di a schiena nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Marcatura di u spinu -- Tacca Tacca Tacca
7: bordu
7.1 bordu -- Smussatu Smussatu Smussatu
8: Pacchettu
8.1 imballaggio -- Epi-ready cù u vacuum
imballaggio
Epi-ready cù u vacuum
imballaggio
Epi-ready cù u vacuum
imballaggio
8.2 imballaggio -- Multi-cialda
imballaggio di cassette
Multi-cialda
imballaggio di cassette
Multi-cialda
imballaggio di cassette

Diagramma dettagliatu

asd (1)
asd (2)
asd (3)

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