8inch SiC Production grade wafer 4H-N substratu SiC

8inch SiC Production grade wafer 4H-N SiC substratu Image Featured Image

Descrizione breve:

I sustrati SiC di 8-inch sò usati in i dispositi elettronichi d'alta putenza, cum'è i MOSFET di putenza (Transistors d'Effettu di Campu di Semiconductor di Metallo Oxide), diodi Schottky è altri dispositi semiconductori di putenza.

Mandate un email à noi

Detail di u produttu

Tags di u produttu

A tabella seguente mostra e specificazioni di i nostri wafers SiC da 8 pollici:

Specifiche DSP SiC di 8inch N-type
numeru	Articulu	Unità	Pruduzzione	Ricerca	Dummy
1: paràmetri
1.1	politipu	--	4H	4H	4H
1.2	orientazione di a superficia	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: paràmetru elettricu
2.1	dopante	--	Nitrogenu di tipu n	Nitrogenu di tipu n	Nitrogenu di tipu n
2.2	resistività	ohm · cm	0,015 ~ 0,025	0,01 ~ 0,03	NA
3: paràmetru meccanicu
3.1	diamitru	mm	200 ± 0,2	200 ± 0,2	200 ± 0,2
3.2	spessore	μm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
3.3	Orientazione Notch	°	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5	[1- 100] ± 5
3.4	Profundità di tacca	mm	1 ~ 1,5	1 ~ 1,5	1 ~ 1,5
3.5	LTV	μm	≤5 (10 mm * 10 mm)	≤5 (10 mm * 10 mm)	≤10 (10 mm * 10 mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	arcu	μm	-25 ~ 25	-45 ~ 45	-65 ~ 65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4: Struttura
4.1	densità di micropipe	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	cuntenutu di metalli	atomi/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤ 1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤ 2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤ 10000	NA
5.Qualità di fronte
5.1	davanti	--	Si	Si	Si
5.2	finitura di a superficia	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	particella	ea / wafer	≤100 (taglia ≥0.3μm)	NA	NA
5.4	scratch	ea / wafer	≤5, Lunghezza Totale ≤200mm	NA	NA
5.5	Edge chips/indents/cracks/stains/contamination	--	Nimu	Nimu	NA
5.6	Zone di politipu	--	Nimu	Area ≤10%	Area ≤ 30%
5.7	marcatura frontale	--	Nimu	Nimu	Nimu
6: qualità di ritornu
6.1	finitu daretu	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	scratch	mm	NA	NA	NA
6.3	Bordu di difetti in daretu chips/indents	--	Nimu	Nimu	NA
6.4	Rugosità di u spinu	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Marcatura in daretu	--	Notch	Notch	Notch
7: bordu
7.1	bordu	--	Smusso	Smusso	Smusso
8: Pacchettu
8.1	imballaggio	--	Epi-ready cù u vacuum imballaggio	Epi-ready cù u vacuum imballaggio	Epi-ready cù u vacuum imballaggio
8.2	imballaggio	--	Multi-wafer imballaggio di cassette	Multi-wafer imballaggio di cassette	Multi-wafer imballaggio di cassette