Wafer epitaxiali GaN-on-SiC persunalizati (100 mm, 150 mm) - Opzioni multiple di substratu SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Descrizzione breve:

I nostri wafer epitaxiali GaN-on-SiC persunalizati offrenu prestazioni superiori per applicazioni di alta putenza è alta frequenza, cumbinendu e proprietà eccezziunali di u nitruru di galliu (GaN) cù a robusta conducibilità termica è a resistenza meccanica diCarburu di Siliciu (SiC)Disponibili in dimensioni di wafer di 100 mm è 150 mm, questi wafer sò custruiti nantu à una varietà di opzioni di substrati SiC, cumpresi i tipi 4H-N, HPSI è 4H/6H-P, adattati per risponde à esigenze specifiche per l'elettronica di putenza, l'amplificatori RF è altri dispositivi à semiconduttori avanzati. Cù strati epitassiali persunalizabili è substrati SiC unichi, i nostri wafer sò cuncepiti per assicurà alta efficienza, gestione termica è affidabilità per applicazioni industriali esigenti.

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Funziunalità

●Spessore di u stratu epitaxiale: Personalizabile da1,0 µmà3,5 µm, ottimizatu per prestazioni di alta putenza è frequenza.

●Opzioni di substratu SiCDisponibile cù diversi substrati di SiC, cumpresi:

4H-N4H-SiC drogatu cù azotu d'alta qualità per applicazioni d'alta frequenza è d'alta putenza.
HPSISiC semi-isolante di alta purezza per applicazioni chì richiedenu isolamentu elettricu.
4H/6H-PMischiu di 4H è 6H-SiC per un equilibriu trà alta efficienza è affidabilità.

●Dimensioni di e cialdeDisponibile in100 mmè150 mmdiametri per a versatilità in a scalatura è l'integrazione di i dispositivi.

● Alta tensione di rotturaA tecnulugia GaN nantu à SiC furnisce una tensione di rottura elevata, chì permette prestazioni robuste in applicazioni di alta putenza.

●Alta conducibilità termica: A cunduttività termica inerente di SiC (circa 490 W/m·K) assicura una eccellente dissipazione di u calore per l'applicazioni chì necessitanu assai energia.

Specifiche tecniche

Parametru	Valore
Diametru di a cialda	100mm, 150mm
Spessore di u stratu epitassiale	1,0 µm – 3,5 µm (persunalizabile)
Tipi di substratu SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Cunduttività Termica di SiC	490 W/m·K
Resistività di SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSISemi-isolante,4H/6H-PMisto 4H/6H
Spessore di u stratu di GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Cuncentrazione di u trasportatore di GaN	10^18 cm^-3 à 10^19 cm^-3 (persunalizabile)
Qualità di a superficia di a cialda	Rugosità RMS< 1 nm
Densità di dislocazione	< 1 x 10^6 cm^-2
Arcu di cialda	< 50 µm
Planarità di a cialda	< 5 µm
Temperatura massima di funziunamentu	400°C (tipicu per i dispositivi GaN-on-SiC)

Applicazioni

●Elettronica di putenza:I wafer GaN-on-SiC furniscenu una alta efficienza è dissipazione di u calore, rendenduli ideali per amplificatori di putenza, dispositivi di cunversione di putenza è circuiti di inverter di putenza utilizati in veiculi elettrici, sistemi di energia rinnuvevule è macchine industriali.
●Amplificatori di putenza RF:A cumbinazione di GaN è SiC hè perfetta per applicazioni RF d'alta frequenza è d'alta putenza cum'è telecomunicazioni, cumunicazioni satellitari è sistemi radar.
●Aerospaziale è Difesa:Queste cialde sò adatte per e tecnulugie aerospaziali è di difesa chì richiedenu elettronica di putenza è sistemi di cumunicazione ad alte prestazioni chì ponu funziunà in cundizioni difficili.
●Applicazioni automobilistiche:Ideale per sistemi di putenza à alte prestazioni in veiculi elettrici (EV), veiculi ibridi (HEV) è stazioni di ricarica, chì permettenu una cunversione è un cuntrollu di putenza efficienti.
●Sistemi Militari è Radar:I wafer di GaN-on-SiC sò aduprati in i sistemi radar per a so alta efficienza, e capacità di gestione di a putenza è e prestazioni termiche in ambienti esigenti.
●Applicazioni à microonde è onde millimetriche:Per i sistemi di cumunicazione di prossima generazione, cumpresi u 5G, GaN-on-SiC furnisce prestazioni ottimali in gamme di microonde è onde millimetriche d'alta putenza.

Dumande è risposte

Q1: Chì sò i vantaghji di l'usu di SiC cum'è substratu per GaN?

A1:U carburu di siliciu (SiC) offre una cunduttività termica superiore, una tensione di rottura elevata è una resistenza meccanica superiore à i substrati tradiziunali cum'è u siliciu. Questu rende i wafer GaN-on-SiC ideali per applicazioni di alta putenza, alta frequenza è alta temperatura. U substratu SiC aiuta à dissipà u calore generatu da i dispositivi GaN, migliurendu l'affidabilità è e prestazioni.

Q2: U spessore di u stratu epitaxiale pò esse persunalizatu per applicazioni specifiche?

A2:Iè, u spessore di u stratu epitaxiale pò esse persunalizatu in una gamma di1,0 µm à 3,5 µm, secondu i requisiti di putenza è frequenza di a vostra applicazione. Pudemu adattà u spessore di u stratu di GaN per ottimizà e prestazioni per dispositivi specifici cum'è amplificatori di putenza, sistemi RF o circuiti d'alta frequenza.

Q3: Chì ghjè a differenza trà i substrati 4H-N, HPSI è 4H/6H-P SiC?

A3:

4H-NU 4H-SiC dopatu cù azotu hè cumunimenti adupratu per applicazioni d'alta frequenza chì richiedenu alte prestazioni elettroniche.
HPSIU SiC semi-isolante d'alta purezza furnisce un isolamentu elettricu, ideale per l'applicazioni chì richiedenu una conducibilità elettrica minima.
4H/6H-PUna mistura di 4H è 6H-SiC chì equilibra e prestazioni, offrendu una cumbinazione di alta efficienza è robustezza, adatta per diverse applicazioni di elettronica di putenza.

D4: Sti wafer GaN-on-SiC sò adatti per applicazioni di alta putenza cum'è i veiculi elettrici è l'energie rinnuvevuli?

A4:Iè, i wafer GaN-on-SiC sò adatti per applicazioni di alta putenza cum'è i veiculi elettrici, l'energie rinnuvevuli è i sistemi industriali. L'alta tensione di rottura, l'alta conducibilità termica è e capacità di gestione di a putenza di i dispositivi GaN-on-SiC li permettenu di funziunà efficacemente in circuiti di cunversione è di cuntrollu di putenza esigenti.

Q5: Chì ghjè a densità tipica di dislocazione per queste cialde?

A5:A densità di dislocazione di sti wafer di GaN-on-SiC hè tipicamente< 1 x 10^6 cm^-2, chì assicura una crescita epitassiale di alta qualità, minimizendu i difetti è migliurendu e prestazioni è l'affidabilità di u dispusitivu.

D6: Possu dumandà una dimensione specifica di wafer o un tipu di substratu SiC?

A6:Iè, offremu dimensioni di wafer persunalizate (100 mm è 150 mm) è tipi di substrati SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) per risponde à i bisogni specifichi di a vostra applicazione. Per piacè cuntattateci per ulteriori opzioni di persunalizazione è per discute i vostri bisogni.

D7: Cumu si cumportanu i wafer GaN-on-SiC in ambienti estremi?

A7:I wafer di GaN-on-SiC sò ideali per ambienti estremi per via di a so alta stabilità termica, di a so alta gestione di putenza è di e so eccellenti capacità di dissipazione di u calore. Quessi wafer funzionanu bè in cundizioni di alta temperatura, alta putenza è alta frequenza cumunemente incontrate in applicazioni aerospaziali, di difesa è industriali.

Cunclusione

I nostri wafer epitassiali GaN-on-SiC persunalizati combinanu e proprietà avanzate di GaN è SiC per furnisce prestazioni superiori in applicazioni di alta putenza è alta frequenza. Cù parechje opzioni di substratu SiC è strati epitassiali persunalizabili, questi wafer sò ideali per l'industrie chì richiedenu alta efficienza, gestione termica è affidabilità. Ch'elli sianu per l'elettronica di putenza, i sistemi RF o l'applicazioni di difesa, i nostri wafer GaN-on-SiC offrenu e prestazioni è a flessibilità chì avete bisognu.