Wafer epitassiali GaN-on-SiC personalizzati (100 mm, 150 mm) - Opzioni multiple di substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Wafers epitassiali GaN-on-SiC personalizzati (100 mm, 150 mm) - Opzioni multiple di substrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Breve descrizzione:

I nostri Wafer Epitassiali GaN-on-SiC persunalizati offrenu prestazioni superiori per applicazioni di alta putenza è alta frequenza cumminendu e proprietà eccezziunali di Nitruru di Gallium (GaN) cù a robusta conduttività termica è forza meccanica diCarbure di Siliciu (SiC). Disponibile in dimensioni di wafer 100mm è 150mm, sti wafer sò custruiti nantu à una varietà di opzioni di sustrato SiC, cumprese i tipi 4H-N, HPSI è 4H/6H-P, adattati per risponde à esigenze specifiche per l'elettronica di potenza, amplificatori RF è altri dispositi semiconduttori avanzati. Cù strati epitassiali persunalizabili è sustrati SiC unichi, i nostri wafers sò pensati per assicurà alta efficienza, gestione termica è affidabilità per applicazioni industriali esigenti.

Mandate un email à noi

Detail di u produttu

Tags di u produttu

Features

● Epitaxial Layer Thickness: Personalizable da1,0 µmà3,5 µm, ottimizzatu per un rendimentu di alta putenza è frequenza.

●SiC Substrate Opzioni: Disponibile cù diversi sustrati SiC, cumprese:

4H-N: 4H-SiC drogatu di azotu di alta qualità per applicazioni di alta frequenza è alta putenza.
HPSI: SiC semi-isolante di alta purezza per applicazioni chì necessitanu isolamentu elettricu.
4H/6H-P: Mixed 4H è 6H-SiC per un equilibriu di alta efficienza è affidabilità.

●Taglie Wafer: Disponibile in100 mmè150 mmdiametri per versatilità in scala è integrazione di u dispositivu.

●High Breakdown Voltage: A tecnulugia GaN nantu à SiC furnisce una alta tensione di rottura, chì permette un rendiment robustu in applicazioni d'alta putenza.

●High Conductivity Thermal: Conduttività termica intrinseca di SiC (circa 490 W/m·K) assicura una eccellente dissipazione di u calore per l'applicazioni intensive di energia.

Specificazioni tecniche

Parametru	Valore
Diametru di wafer	100 mm, 150 mm
Spessore di strati epitassiali	1,0 µm – 3,5 µm (personalizzabile)
Tipi di substratu SiC	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Conduttività termica SiC	490 W/m·K
Resistività SiC	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: semi-isolante,4H/6H-P: mistu 4H/6H
Spessore di a strata GaN	1,0 µm – 2,0 µm
Concentrazione di Carrier GaN	10^18 cm^-3 à 10^19 cm^-3 (personalizzabile)
Qualità di a superficia di wafer	Rugosità RMS: < 1 nm
Densità di dislocazione	< 1 x 10^6 cm^-2
Arcu di Wafer	< 50 µm
Flatness di Wafer	< 5 µm
A temperatura massima di u funziunamentu	400 ° C (tipica per i dispositi GaN-on-SiC)

Applicazioni

● Elettronica di putenza:I wafers GaN-on-SiC furniscenu una alta efficienza è dissipazione di u calore, facenu ideali per amplificatori di putenza, dispositivi di cunversione di putenza è circuiti d'inverter di putenza utilizati in veiculi elettrici, sistemi di energia rinnuvevuli è machini industriali.
● Amplificatori di putenza RF:A cumminazzioni di GaN è SiC hè perfetta per l'applicazioni RF d'alta frequenza è alta putenza cum'è telecomunicazioni, cumunicazioni satellitari è sistemi di radar.
● Aerospace è Difesa:Questi wafers sò adattati per e tecnulugii aerospaziali è di difesa chì necessitanu sistemi elettronichi di potenza d'altu rendiment è sistemi di cumunicazione chì ponu operare in cundizioni duri.
●Applicazioni Automotive:Ideale per sistemi di putenza d'altu rendiment in veiculi elettrici (EV), veiculi ibridi (HEV) è stazioni di ricarica, chì permettenu cunversione è cuntrollu di energia efficiente.
● Sistemi militari è radar:I wafer GaN-on-SiC sò usati in sistemi di radar per a so alta efficienza, capacità di gestione di a putenza, è prestazioni termiche in ambienti esigenti.
●Microwave è Millimeter-Wave Applicazioni:Per i sistemi di cumunicazione di a prossima generazione, cumpresu 5G, GaN-on-SiC furnisce prestazioni ottimali in intervalli di microonde d'alta putenza è di onde millimetriche.

Q&A

Q1: Chì sò i benefizii di utilizà SiC cum'è sustrato per GaN?

A1:U Carburo di Siliciu (SiC) offre una conducibilità termica superiore, una alta tensione di rottura è una forza meccanica cumparatu cù i sustrati tradiziunali cum'è u silicuu. Questu rende i wafers GaN-on-SiC ideali per l'applicazioni à alta putenza, alta frequenza è alta temperatura. U sustrato SiC aiuta à dissiparà u calore generatu da i dispositi GaN, migliurà a affidabilità è u rendiment.

Q2: U gruixu di a capa epitaxial pò esse persunalizatu per applicazioni specifiche?

A2:Iè, u spessore di a capa epitaxiale pò esse persunalizata in una gamma di1,0 µm à 3,5 µm, secondu i requisiti di putenza è frequenza di a vostra applicazione. Pudemu adattà u spessore di a capa GaN per ottimisà u rendiment per i dispositi specifichi cum'è amplificatori di putenza, sistemi RF, o circuiti d'alta frequenza.

Q3: Chì hè a diffarenza trà i substrati 4H-N, HPSI è 4H/6H-P SiC?

A3:

4H-N: 4H-SiC dopatu di azotu hè cumunimenti utilizatu per l'applicazioni à alta frequenza chì necessitanu un altu rendimentu elettronicu.
HPSI: SiC semi-isolante di alta purezza furnisce un isolamentu elettricu, ideale per l'applicazioni chì necessitanu una conduttività elettrica minima.
4H/6H-P: Un mischju di 4H è 6H-SiC chì equilibra u rendiment, chì offre una cumminazione di alta efficienza è robustezza, adattatu per diverse applicazioni di l'elettronica di putenza.

Q4: Sò questi wafers GaN-on-SiC adattati per applicazioni d'alta putenza cum'è i veiculi elettrici è l'energia rinnuvevuli?

A4:Iè, i wafers GaN-on-SiC sò adattati per l'applicazioni d'alta putenza cum'è i veiculi elettrici, l'energia rinnuvevule è i sistemi industriali. L'alta tensione di rottura, l'alta conductività termale è e capacità di gestione di l'energia di i dispositi GaN-on-SiC li permettenu di eseguisce in modu efficace in circuiti di cunversione è cuntrollu di putenza esigenti.

Q5: Chì ghjè a densità di dislocazione tipica per questi wafers?

A5:A densità di dislocazione di sti wafers GaN-on-SiC hè tipicamente< 1 x 10^6 cm^-2, chì assicura una crescita epitaxial d'alta qualità, minimizendu i difetti è migliurà u rendiment è l'affidabilità di u dispusitivu.

Q6: Puderaghju dumandà una dimensione specifica di wafer o un tipu di sustrato SiC?

A6:Iè, offremu dimensioni di wafer persunalizati (100 mm è 150 mm) è tipi di sustrato SiC (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) per risponde à i bisogni specifichi di a vostra applicazione. Per piacè cuntattateci per ulteriori opzioni di persunalizazione è per discutiri i vostri bisogni.

Q7: Cumu funziona i wafer GaN-on-SiC in ambienti estremi?

A7:I wafer GaN-on-SiC sò ideali per l'ambienti estremi per via di a so alta stabilità termica, maneggevolezza di alta putenza, è eccellenti capacità di dissipazione di calore. Sti wafers cumportanu bè in e cundizioni d'alta temperatura, alta putenza è alta frequenza chì sò cumunimenti incontrati in applicazioni aerospaziali, di difesa è industriali.

Cunclusioni

I nostri Wafer Epitassiali GaN-on-SiC Personalizzati combinanu e proprietà avanzate di GaN è SiC per furnisce un rendimentu superiore in applicazioni di alta putenza è di alta frequenza. Cù parechje opzioni di sustrato SiC è strati epitassiali persunalizabili, questi wafers sò ideali per l'industrii chì necessitanu alta efficienza, gestione termica è affidabilità. Sia per l'elettronica di potenza, sistemi RF, o applicazioni di difesa, i nostri wafer GaN-on-SiC offrenu u rendiment è a flessibilità chì avete bisognu.