Dia50.8mm Sapphire Wafer Sapphire Window High Transmittance Optical DSP/SSP

Descrizione breve:

A causa di u lattice menu mistched è di e proprietà chimiche è fisiche stabili, l'ostia di zaffiro (Al2O3) hè u substratu populari per nitruri III-V, superconductor è epi-film magneticu. Sò largamente usati in GaN è crescita epitassiale di film sottile, silicuu nantu à zaffiro, mercatu LED è industria ottica.

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Perchè Sapphire?

Caratteristiche di un zaffiro di cristallo unicu
1. Sapphire hà una trasmittanza ottica alta, per quessa hè largamente usata cum'è materiale dielettricu di tubu microelettronicu, elementu di cunduzzione ultrasonica, cavità laser di guida d'onda, è altri elementi ottici, cum'è materiali di finestra per i dispositi militari infrarossi, veiculi spaziali, laser d'alta intensità è otticu. cumunicazioni.

2. Sapphire hà una alta rigidità, alta forza, alta temperatura di travagliu, resistenza à l'abrasione, caratteristiche di resistenza à a corrosione, cusì u sustrato di zaffiro hè spessu usatu in ambienti duri, cum'è calibre d'acqua di caldaia (resistenza à alta temperatura), scanner di codice à barre di mercurie, cuscinetti, è altre manifattura di precisione (resistenza à l'usura), carbone, gas, sensori di rilevazione di bè è finestri di detector (anti-corrosione).

3. Sapphire hà e caratteristiche di l'insulazione elettrica, a trasparenza, a bona conductività termale è a rigidità alta, per quessa pò esse usata cum'è materiale sustrato di circuiti integrati, cum'è circuiti LED è microelectronic, circuit integratu ultra-high-vitezza.

Specificazione

Diamitru	50,8 mm +/-0,1 mm o +/-0,02 mm
Spessore	0,43 mm ± 0,1 mm o +/- 0,02 mm
Orientazione	C-plane/A-Plane/M-Plane/R-Plane
Qualità di a superficia (scratch & dig)	60/40, 40/20 o megliu
Precisione di a superficia	λ/10, λ/2, λ
Apertura chjaru	> 85%, > 90%
Parallelismu	+/-3', +/-30''
Bisellu	0,1 ~ 0,3 mm × 45 gradi
Rivestimentu	AR, BBAR o à dumanda di u cliente (UV, VIS, IR)

Innò	Pruprietà	Target	Tolleranza	Rimarche
1	Diamitru	50,8 mm	± 0,1 mm
2	Spessore	430 μm	± 15 μm
3	Orientazione di a superficia di u pianu C	fora di l'asse C à M0,2 °	± 0,1 °
4	Lunghezza piatta primaria	16 mm	± 11 mm
5	Orientazione pianu primaria	A-plane (11-20)	± 0,1 °
6	Rugosità posteriore	0,8 ~ 1,2 um
7	Rugosità frontale	<0,3 nm
8	Bordu di wafer	tipu R
9	Variazione di Spessore Totale, TTV	≤ 10μm (LTV≤5μm, 5*5)
10	SORI	≤10μm
11	arcu	-10 μm ≤ BOW ≤ 0
12	Laser Mark	N/A		micca avè
	Pacchettu	25 wafers in una cassetta
	A capacità di traccia	I wafers seranu tracciabili in quantu à u numeru di cassette

FAQ

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Quantu tempu ci vole à eseguisce u mo ordine è a consegna?
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