Wafer epitassiale laser GaAs 4 pollici 6 pollici VCSEL cavità verticale emissione di superficie laser lunghezza d'onda 940nm giunzione unica
E caratteristiche principali di u fogliu epitaxial laser GaAs includenu
1. Struttura Single-junction: Stu laser hè di solitu cumpostu di un unicu quantum pozzu, chì ponu furnisce emissioni di luce efficaci.
2. Lunghezza d'onda: A lunghezza d'onda di 940 nm face in a gamma di spettru infrared, adattatu per una varietà di applicazioni.
3. High efficienza: Paragunatu cù altri tipi di laser, VCSEL hà una alta efficienza di cunversione elettro-ottica.
4. Compactness: U pacchettu VCSEL hè relativamente chjucu è faciule d'integrazione.
5. Bassu threshold currenti è high efficienza: Buried heterostructure lasers exhib estremamente bassu lasing threshold currenti densità (per esempiu 4mA / cm²) è altu efficienza quantum differenziale esternu (per esempiu 36%), cù putenza di output lineari più di 15mW.
6. Waveguide modu di stabilità: U laser heterostructure intarratu hà u vantaghju di a stabilità di u modu d'onda per via di u so mecanismu di guida d'onda guidata per l'indice di rifrazione è a larghezza di striscia attiva stretta (circa 2μm).
7. Eccellente efficienza di cunversione photoelectric: By optimizing u prucessu di crescita epitaxial, alta efficienza quantum internu è efficienza di cunversione photoelectric pò esse ottenuta per riduce a perdita interna.
8. High reliability è vita: a tecnulugia di crescita epitaxial d'alta qualità pò preparà fogli epitaxial cù una bona apparenza di a superficia è una bassa densità di difetti, migliurà a fiducia di u produttu è a vita.
9. Adatta per una varietà di appiicazioni: u fogliu epitaxial diodu laser basatu in GAAS hè largamente utilizatu in a cumunicazione di fibre ottiche, applicazioni industriali, infrared è photodetectors è altri campi.
I modi principali di l'applicazione di u fogliu epitaxial laser GaAs includenu
1. A cumunicazione ottica è a cumunicazione di dati: i wafers epitassiali GaAs sò largamente usati in u campu di a cumunicazione otticu, in particulare in sistemi di cumunicazione otticu d'alta velocità, per a fabricazione di apparecchi optoelettronici cum'è laser è detectors.
2. Applicazioni industriali: Fogli epitaxial laser GaAs anu ancu usi impurtanti in l'applicazioni industriali, cum'è u processu laser, a misurazione è a sensazione.
3. Elettronica di u cunsumu: In l'elettronica di u cunsumu, i wafers epitassiali GaAs sò usati per fabricà VCsels (lasers chì emettenu a superficia di a cavità verticale), chì sò largamente usati in i telefoni intelligenti è l'altri elettronica di u cunsumu.
4. Applicazioni Rf: i materiali GaAs anu vantaghji significativi in u campu RF è sò usati per fabricà apparecchi RF d'altu rendiment.
5. Laser quantum dot: lasers quantum dot basatu in GAAS sò largamente usati in i campi di cumunicazione, medichi è militari, in particulare in a banda di cumunicazione otticu 1.31µm.
6. Passive Q switch: L'assorbitore GaAs hè utilizzatu per i laser di u statu solidu diode-pumped cù un switch Q passiu, chì hè adattatu per micro-machining, rangeing e micro-surgery.
Queste applicazioni dimostranu u putenziale di i wafers epitassiali laser GaAs in una larga gamma di applicazioni high-tech.
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Diagramma detallatu
