Nitruru di Galliu (GaN) Epitaxiale Cresciutu nantu à Wafer di Zaffiru 4 pollici 6 pollici per MEMS
Proprietà di GaN nantu à e cialde di zaffiro
●Alta efficienza:I dispusitivi basati in GaN furniscenu cinque volte più putenza cà i dispusitivi basati in siliciu, migliurendu e prestazioni in varie applicazioni elettroniche, cumprese l'amplificazione RF è l'optoelettronica.
●Larga banda di prufundità:L'ampia banda proibita di GaN permette una alta efficienza à temperature elevate, rendendulu ideale per applicazioni di alta putenza è alta frequenza.
●Durabilità:A capacità di GaN di trattà cundizioni estreme (alte temperature è radiazioni) garantisce prestazioni di longa durata in ambienti difficili.
● Taglia chjuca:U GaN permette a pruduzzione di dispusitivi più cumpatti è ligeri paragunatu à i materiali semiconduttori tradiziunali, facilitendu l'elettronica più chjuca è più putente.
Astrattu
U nitruru di galliu (GaN) emerge cum'è u semiconduttore di scelta per l'applicazioni avanzate chì richiedenu alta putenza è efficienza, cum'è i moduli front-end RF, i sistemi di cumunicazione à alta velocità è l'illuminazione LED. I wafer epitassiali di GaN, quandu sò cresciuti nantu à substrati di zaffiro, offrenu una cumminazione di alta conducibilità termica, alta tensione di rottura è ampia risposta in frequenza, chì sò chjave per prestazioni ottimali in dispositivi di cumunicazione wireless, radar è jammer. Quessi wafer sò dispunibili in diametri di 4 pollici è 6 pollici, cù spessori di GaN variabili per risponde à diversi requisiti tecnichi. E proprietà uniche di GaN ne facenu un candidatu primariu per u futuru di l'elettronica di putenza.
Parametri di u produttu
| Caratteristica di u produttu | Specificazione |
| Diametru di a cialda | 50mm, 100mm, 50.8mm |
| Substratu | Zaffiru |
| Spessore di u stratu di GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tipu/Doping di GaN | Tipu N (tipu P dispunibule nantu à dumanda) |
| Orientazione di u Cristallu di GaN | <0001> |
| Tipu di lucidatura | Lucidatu à una sola faccia (SSP), Lucidatu à duie facce (DSP) |
| Spessore di Al2O3 | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Variazione Totale di Spessore) | ≤ 10 μm |
| Arcu | ≤ 10 μm |
| Orditu | ≤ 10 μm |
| Superficie | Superficie utilizabile > 90% |
Dumande è risposte
Q1: Quali sò i principali vantaghji di l'usu di GaN rispetto à i semiconduttori tradiziunali à basa di siliciu?
A1GaN offre parechji vantaghji significativi annantu à u siliciu, cumprese una banda proibita più larga, chì li permette di gestisce tensioni di rottura più elevate è di funziunà in modu efficiente à temperature più elevate. Questu rende GaN ideale per applicazioni di alta putenza è alta frequenza cum'è moduli RF, amplificatori di putenza è LED. A capacità di GaN di gestisce densità di putenza più elevate permette ancu dispositivi più chjuchi è più efficienti paragunati à l'alternative basate nantu à u siliciu.
D2: Pò esse adupratu GaN nantu à i wafer di zaffiro in applicazioni MEMS (Sistemi Microelettromeccanichi)?
A2Iè, GaN nantu à i wafer di zaffiro hè adattatu per l'applicazioni MEMS, in particulare induve sò necessarie alta putenza, stabilità di temperatura è bassu rumore. A durabilità è l'efficienza di u materiale in ambienti d'alta frequenza u rendenu ideale per i dispositivi MEMS utilizati in sistemi di cumunicazione wireless, rilevamentu è radar.
Q3: Chì sò l'applicazioni putenziali di GaN in a cumunicazione senza filu?
A3U GaN hè largamente utilizatu in i moduli front-end RF per a cumunicazione wireless, cumprese l'infrastruttura 5G, i sistemi radar è i jammers. A so alta densità di putenza è a so cunduttività termica u rendenu perfettu per i dispositivi di alta putenza è alta frequenza, chì permettenu prestazioni migliori è fattori di forma più chjuchi paragunati à e soluzioni basate nantu à u siliciu.
D4: Quali sò i tempi di consegna è e quantità minime d'ordine per GaN nantu à i wafer di zaffiro?
A4I tempi di consegna è e quantità minime d'ordine varianu secondu a dimensione di a cialda, u spessore di GaN è i requisiti specifici di i clienti. Per piacè cuntattateci direttamente per i prezzi dettagliati è a dispunibilità basati nantu à e vostre specifiche.
Q5: Possu ottene u spessore di u stratu di GaN o i livelli di doping persunalizati?
A5Iè, offremu a persunalizazione di u spessore di GaN è di i livelli di doping per risponde à i bisogni specifichi di l'applicazione. Per piacè, fateci sapè e vostre specifiche desiderate, è vi furniremu una suluzione persunalizata.
Diagramma dettagliatu
