Nitruru di Gallium (GaN) Epitaxial Grown on Sapphire Wafers 4inch 6inch for MEMS
Pruprietà di GaN nantu à Sapphire Wafers
●Alta efficienza:I dispositi basati in GaN furniscenu cinque volte più putenza cà i dispositi basati in siliciu, aumentendu u rendiment in diverse applicazioni elettroniche, cumprese l'amplificazione RF è l'optoelettronica.
●Wide Bandgap:U largu bandgap di GaN permette un'alta efficienza à temperature elevate, facendu l'ideale per l'applicazioni d'alta putenza è di alta frequenza.
●Durabilità:A capacità di GaN per trattà e cundizioni estremi (alte temperature è radiazioni) assicura un rendimentu longu in ambienti duri.
●Small Size:GaN permette a produzzione di apparecchi più compacti è ligeri cumparatu cù i materiali semiconduttori tradiziunali, facilitendu l'elettronica più chjuca è più putente.
Astrattu
Nitruru di Gallium (GaN) hè emergente cum'è u semiconductor di scelta per l'applicazioni avanzate chì necessitanu alta putenza è efficienza, cum'è moduli front-end RF, sistemi di cumunicazione à alta velocità è illuminazione LED. I wafer epitassiali GaN, quandu sò cultivati nantu à sustrati di zaffiro, offrenu una cumminazione di alta conduttività termica, alta tensione di rottura è risposta di frequenza larga, chì sò chjave per un rendiment ottimale in i dispositi di cumunicazione wireless, radar è jammers. Queste wafers sò dispunibuli in diametri di 4-inch è 6-inch, cù diversi spessori GaN per risponde à e diverse esigenze tecniche. E proprietà uniche di GaN facenu un candidatu primu per u futuru di l'elettronica di putenza.
Parametri di u produttu
| Funzione di u produttu | Specificazione |
| Diametru di wafer | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Sustrattu | Zaffiro |
| Spessore di a strata GaN | 0,5 μm - 10 μm |
| Tipu GaN / Doping | Tipu N (Tipu P dispunibule nantu à dumanda) |
| Orientazione Cristalli GaN | <0001> |
| Tipu di lucidatura | Lucidatu à un latu (SSP), Pulitu à doppia faccia (DSP) |
| Al2O3 Spessore | 430 μm - 650 μm |
| TTV (Variazione di Spessore Totale) | ≤ 10 μm |
| arcu | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Superficie | Superficie utile > 90% |
Q&A
Q1: Chì sò i vantaghji chjave di l'usu di GaN nantu à i semiconduttori tradiziunali basati in siliciu?
A1: GaN offre parechji vantaghji significativi nantu à u silicuu, cumpresu un bandgap più largu, chì li permette di gestisce tensioni di rottura più altu è opera in modu efficiente à temperature più altu. Questu rende u GaN ideale per l'applicazioni d'alta putenza è alta frequenza cum'è moduli RF, amplificatori di putenza è LED. L'abilità di GaN di gestisce densità di putenza più elevate permette ancu i dispositi più chjuchi è più efficaci paragunati à l'alternative basate in silicuu.
Q2: Pò GaN nantu à i wafers Sapphire esse usatu in applicazioni MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems)?
A2: Iè, GaN on Sapphire wafers hè adattatu per l'applicazioni MEMS, soprattuttu induve l'alta putenza, a stabilità di a temperatura è a bassa rumore sò richiesti. A durabilità è l'efficienza di u materiale in ambienti d'alta frequenza facenu ideale per i dispositi MEMS utilizati in sistemi di cumunicazione wireless, sensing è radar.
Q3: Chì sò l'applicazioni potenziali di GaN in a cumunicazione wireless?
A3: GaN hè largamente utilizatu in i moduli front-end RF per a cumunicazione wireless, cumprese l'infrastruttura 5G, i sistemi di radar è i jammers. A so alta densità di putenza è a conduttività termica a facenu perfetta per i dispositi d'alta putenza è d'alta frequenza, chì permettenu un rendimentu megliu è fattori di forma più chjuchi paragunati à e soluzioni basate in silicio.
Q4: Chì sò i tempi di consegna è quantità minimu di ordine per GaN nantu à i wafers Sapphire?
A4: I tempi di consegna è a quantità minima di ordine varianu secondu a dimensione di wafer, u spessore di GaN, è e esigenze specifiche di u cliente. Per piacè cuntattateci direttamente per i prezzi detallati è a dispunibilità basatu nantu à e vostre specificazioni.
Q5: Possu ottene un spessore di strati GaN persunalizati o livelli di doping?
A5: Iè, offremu persunalizazione di u spessore di GaN è i livelli di doping per risponde à i bisogni specifichi di l'applicazione. Per piacè fateci cunnosce e vostre specificazioni desiderate, è furniremu una suluzione adattata.
Diagramma detallatu
