Wafers GaN-on-Diamond 4inch 6inch Spessore epi totale (micron) 0.6 ~ 2.5 o persunalizati per l'applicazioni à alta frequenza
Pruprietà
Dimensioni wafer:
Disponibile in diametri di 4-inch è 6-inch per una integrazione versatile in diversi prucessi di fabricazione di semiconduttori.
Opzioni di persunalizazione dispunibili per a dimensione di wafer, secondu e esigenze di u cliente.
Spessore di strati epitassiali:
Gamma: da 0,6 µm a 2,5 µm, con opzioni per spessori personalizzati basati su esigenze specifiche di applicazione.
U stratu epitassiale hè pensatu per assicurà a crescita di cristalli GaN di alta qualità, cù un grossu ottimizzatu per equilibrà a putenza, a risposta di frequenza è a gestione termica.
Conduttività termica:
A strata di diamante furnisce una conduttività termale estremamente alta di circa 2000-2200 W / m·K, assicurendu una dissipazione di calore efficiente da i dispositi d'alta putenza.
Proprietà di u materiale GaN:
Wide Bandgap: U stratu GaN beneficia di un largu bandgap (~ 3.4 eV), chì permette u funziunamentu in ambienti duri, alta tensione è cundizioni d'alta temperatura.
Mobilità Elettronica: Alta mobilità elettronica (circa 2000 cm²/V·s), chì porta à un cambiamentu più veloce è frequenze operative più alte.
High Breakdown Voltage: a tensione di rottura di GaN hè assai più altu ch'è i materiali semiconduttori cunvinziunali, facendu adattatu per applicazioni intensive di energia.
Prestazione elettrica:
Densità d'alta putenza: i wafer GaN-on-Diamond permettenu una alta putenza mentre mantene un fattore di forma chjucu, perfettu per amplificatori di putenza è sistemi RF.
Low Losses: A cumminazzioni di l'efficienza di GaN è a dissipazione di u calore di u diamante porta à perdite di energia più basse durante l'operazione.
Qualità di a superficia:
Crescita Epitassiale di Alta Qualità: U stratu GaN hè cultivatu epitaxialmente nantu à u sustrato di diamante, assicurendu una densità di dislocazione minima, una qualità cristallina alta è un rendimentu ottimali di u dispusitivu.
Uniformità:
Spessore è Uniformità di Composizione: Sia a strata GaN è u sustrato di diamante mantenenu una uniformità eccellente, critica per un rendimentu è affidabilità consistente di u dispositivu.
Stabilità chimica:
Sia u GaN sia u diamante offrenu una stabilità chimica eccezziunale, chì permette à questi wafers di fà in modu affidabile in ambienti chimichi duri.
Applicazioni
Amplificatori di putenza RF:
I wafer GaN-on-Diamond sò ideali per l'amplificatori di putenza RF in telecomunicazioni, sistemi radar è cumunicazioni satellitari, chì offrenu alta efficienza è affidabilità à frequenze alte (per esempiu, 2 GHz à 20 GHz è oltre).
A cumunicazione à microonde:
Queste wafers eccellenu in sistemi di cumunicazione à microonde, induve l'alta putenza è a degradazione minima di u signale sò critichi.
Tecnulugie di Radar è Sensing:
I wafer GaN-on-Diamond sò largamente usati in sistemi di radar, chì furnisce un rendiment robustu in applicazioni d'alta frequenza è di alta putenza, in particulare in i settori militari, automobilistici è aerospaziali.
Sistemi satellitari:
In i sistemi di cumunicazione satellitari, sti wafers assicuranu a durabilità è l'altu rendimentu di l'amplificatori di putenza, capaci di operare in cundizioni ambientali estremi.
Elettronica d'alta putenza:
E capacità di gestione termale di GaN-on-Diamond li facenu adattati per l'elettronica d'alta putenza, cum'è i cunvertitori di putenza, l'invertitori è i relay à stati solidi.
Sistemi di gestione termale:
A causa di l'alta conduttività termale di u diamante, queste wafers ponu esse aduprate in applicazioni chì necessitanu una gestione termale robusta, cum'è sistemi LED è laser d'alta putenza.
Q&A per Wafers GaN-on-Diamond
Q1: Chì hè u vantaghju di utilizà wafers GaN-on-Diamond in applicazioni d'alta frequenza?
A1:I wafer GaN-on-Diamond combinanu l'elevata mobilità di l'elettroni è l'ampia bandgap di GaN cù l'eccezionale conduttività termica di u diamante. Questu permette à i dispositi d'alta frequenza di funziunà à livelli di putenza più altu mentre gestiscenu in modu efficace u calore, assicurendu una più efficienza è affidabilità cumparata cù i materiali tradiziunali.
Q2: I wafers GaN-on-Diamond ponu esse persunalizati per esigenze specifiche di putenza è frequenza?
A2:Iè, i wafer GaN-on-Diamond offrenu opzioni persunalizabili, cumprese u spessore di strati epitassiali (0,6 µm à 2,5 µm), dimensioni di wafer (4-inch, 6-inch), è altri parametri basati nantu à esigenze specifiche di l'applicazione, chì furnisce flessibilità per applicazioni d'alta putenza è di alta frequenza.
Q3: Chì sò i benefici chjave di u diamante cum'è sustrato per GaN?
A3:A conduttività termale estrema di Diamond (finu à 2200 W/m·K) aiuta à dissiparà in modu efficiente u calore generatu da i dispositi GaN d'alta putenza. Questa capacità di gestione termale permette à i dispositi GaN-on-Diamond di operare à densità è frequenze di putere più elevate, assicurendu un rendimentu è longevità di u dispositivu migliuratu.
Q4: I wafers GaN-on-Diamond sò adattati per l'applicazioni spaziali o aerospaziali?
A4:Iè, i wafers GaN-on-Diamond sò adattati per l'applicazioni spaziali è aerospaziali per via di a so alta affidabilità, capacità di gestione termica è prestazioni in cundizioni estremi, cum'è alta radiazione, variazioni di temperatura è operazione à alta frequenza.
Q5: Quale hè a vita prevista di i dispositi fatti da wafers GaN-on-Diamond?
A5:A cumminazione di a durabilità inherente di GaN è e proprietà eccezziunali di dissipazione di u calore di u diamante si traduce in una longa vita per i dispositi. I dispositi GaN-on-Diamond sò pensati per operare in ambienti duri è cundizioni d'alta putenza cù una degradazione minima cù u tempu.
Q6: Cumu a conduttività termale di u diamante influenza u rendiment generale di i wafers GaN-on-Diamond?
A6:L'elevata conduttività termale di u diamante ghjoca un rolu criticu in u rinfurzà a prestazione di i wafers GaN-on-Diamond alluntanendu in modu efficiente u calore generatu in applicazioni d'alta putenza. Questu assicura chì i dispositi GaN mantenenu un rendimentu ottimale, riducenu u stress termicu è evitendu u surriscaldamentu, chì hè una sfida cumuna in i dispositi semiconduttori cunvinziunali.
Q7: Chì sò l'applicazioni tipiche induve i wafers GaN-on-Diamond superanu altri materiali semiconduttori?
A7:I wafer GaN-on-Diamond superanu l'altri materiali in l'applicazioni chì necessitanu una manipulazione d'alta putenza, un funziunamentu à alta frequenza è una gestione termica efficiente. Questu include amplificatori di putenza RF, sistemi di radar, cumunicazione à microonde, cumunicazione satellitare è altre elettronica d'alta putenza.
Cunclusioni
I wafer GaN-on-Diamond offrenu una soluzione unica per l'applicazioni d'alta frequenza è d'alta putenza, chì combina l'altu rendimentu di GaN cù e proprietà termali eccezziunali di u diamante. Cù funzioni persunalizabili, sò pensati per risponde à i bisogni di l'industrii chì necessitanu una consegna di energia efficiente, una gestione termica è un funziunamentu à alta frequenza, assicurendu affidabilità è longevità in ambienti difficili.
Diagramma detallatu
