Wafer di GaN nantu à u diamante 4 pollici 6 pollici Spessore epi tutale (micron) 0,6 ~ 2,5 o persunalizatu per applicazioni à alta frequenza
Pruprietà
Dimensione di a cialda:
Disponibile in diametri di 4 pollici è 6 pollici per una integrazione versatile in diversi prucessi di fabricazione di semiconduttori.
Opzioni di persunalizazione dispunibili per a dimensione di a cialda, secondu i requisiti di u cliente.
Spessore di u stratu epitaxiale:
Gamma: da 0,6 µm à 2,5 µm, cù opzioni per spessori persunalizati basati nantu à esigenze specifiche di l'applicazione.
U stratu epitaxiale hè cuncipitu per assicurà una crescita di cristalli GaN di alta qualità, cù un spessore ottimizatu per equilibrà a putenza, a risposta in frequenza è a gestione termica.
Cunduttività termica:
U stratu di diamante furnisce una conducibilità termica estremamente alta di circa 2000-2200 W/m·K, assicurendu una dissipazione efficiente di u calore da dispositivi di alta putenza.
Proprietà di u materiale GaN:
Banda proibita larga: U stratu di GaN beneficia di una banda proibita larga (~ 3,4 eV), chì permette u funziunamentu in ambienti difficili, alta tensione è cundizioni di alta temperatura.
Mobilità Elettronica: Alta mobilità elettronica (circa 2000 cm²/V·s), chì porta à una commutazione più rapida è frequenze operative più elevate.
Alta tensione di rottura: A tensione di rottura di GaN hè assai più alta di i materiali semiconduttori cunvinziunali, ciò chì u rende adattatu per applicazioni à alta intensità di putenza.
Prestazione elettrica:
Alta Densità di Putenza: I wafer di GaN-on-Diamond permettenu una putenza elevata mantenendu un fattore di forma ridottu, perfettu per amplificatori di putenza è sistemi RF.
Perdite basse: A cumbinazione di l'efficienza di GaN è a dissipazione di u calore di u diamante porta à perdite di putenza più basse durante u funziunamentu.
Qualità di a superficia:
Crescita epitassiale di alta qualità: U stratu di GaN hè cresciutu epitassialmente nantu à u sustratu di diamante, assicurendu una densità minima di dislocazione, una alta qualità cristallina è prestazioni ottimali di u dispositivu.
Uniformità:
Uniformità di u spessore è di a cumpusizione: Sia u stratu di GaN sia u substratu di diamante mantenenu una eccellente uniformità, cruciale per e prestazioni è l'affidabilità coerenti di u dispositivu.
Stabilità chimica:
Sia u GaN sia u diamante offrenu una stabilità chimica eccezziunale, chì permette à sti wafer di funziunà in modu affidabile in ambienti chimichi difficili.
Applicazioni
Amplificatori di putenza RF:
I wafer GaN-on-Diamond sò ideali per amplificatori di putenza RF in telecomunicazioni, sistemi radar è cumunicazioni satellitari, offrendu alta efficienza è affidabilità à alte frequenze (per esempiu, da 2 GHz à 20 GHz è oltre).
Cumunicazione à microonde:
Queste cialde sò eccellenti in i sistemi di cumunicazione à microonde, induve una putenza elevata è una degradazione minima di u signale sò critiche.
Tecnulugie di radar è di rilevamentu:
I wafer di GaN-on-Diamond sò largamente usati in i sistemi radar, furnendu prestazioni robuste in applicazioni d'alta frequenza è d'alta putenza, in particulare in i settori militare, automobilisticu è aerospaziale.
Sistemi satellitari:
In i sistemi di cumunicazione satellitare, sti wafer assicuranu a durabilità è l'alte prestazioni di l'amplificatori di putenza, capaci di funziunà in cundizioni ambientali estreme.
Elettronica d'alta putenza:
E capacità di gestione termica di GaN-on-Diamond li rendenu adatti per l'elettronica di alta putenza, cum'è convertitori di putenza, inverter è relè à statu solidu.
Sistemi di Gestione Termica:
A causa di l'alta cunduttività termica di u diamante, sti wafer ponu esse aduprati in applicazioni chì necessitanu una gestione termica robusta, cum'è i sistemi LED è laser d'alta putenza.
Dumande è risposte per e cialde di GaN nantu à u diamante
Q1: Chì ghjè u vantaghju di l'usu di wafer GaN-on-Diamond in applicazioni d'alta frequenza?
A1:I wafer di GaN-on-Diamond combinanu l'alta mobilità elettronica è l'ampia banda proibita di GaN cù l'eccezionale conducibilità termica di u diamante. Questu permette à i dispositivi ad alta frequenza di funziunà à livelli di putenza più elevati mentre gestiscenu efficacemente u calore, assicurendu una maggiore efficienza è affidabilità rispetto à i materiali tradiziunali.
D2: I wafer di GaN-on-Diamond ponu esse persunalizati per esigenze specifiche di putenza è frequenza?
A2:Iè, i wafer di GaN-on-Diamond offrenu opzioni persunalizabili, cumprese u spessore di u stratu epitassiale (da 0,6 µm à 2,5 µm), a dimensione di u wafer (4 pollici, 6 pollici) è altri parametri basati nantu à i bisogni specifichi di l'applicazione, furnendu flessibilità per applicazioni di alta putenza è alta frequenza.
Q3: Quali sò i principali vantaghji di u diamante cum'è substratu per GaN?
A3:L'estrema conducibilità termica di Diamond (finu à 2200 W/m·K) aiuta à dissipà efficacemente u calore generatu da i dispositivi GaN di alta putenza. Questa capacità di gestione termica permette à i dispositivi GaN-on-Diamond di funziunà à densità è frequenze di putenza più elevate, assicurendu prestazioni è longevità migliorate di u dispositivu.
D4: I wafer di GaN-on-Diamond sò adatti per applicazioni spaziali o aerospaziali?
A4:Iè, i wafer GaN-on-Diamond sò adatti per l'applicazioni spaziali è aerospaziali per via di a so alta affidabilità, capacità di gestione termica è prestazioni in cundizioni estreme, cum'è alta radiazione, variazioni di temperatura è funziunamentu à alta frequenza.
Q5: Chì ghjè a durata di vita prevista di i dispusitivi fatti da wafer GaN-on-Diamond?
A5:A cumbinazione di a durabilità inerente di GaN è di e proprietà eccezziunali di dissipazione di u calore di u diamante dà una longa durata di vita à i dispositivi. I dispositivi GaN-on-Diamond sò cuncepiti per funziunà in ambienti difficili è in cundizioni d'alta putenza cù una degradazione minima cù u tempu.
Q6: Cumu a cunduttività termica di u diamante affetta a prestazione generale di i wafer GaN-on-Diamond?
A6:L'alta cunduttività termica di u diamante ghjoca un rolu cruciale in u miglioramentu di e prestazioni di i wafer GaN-on-Diamond cunducendu efficacemente u calore generatu in applicazioni di alta putenza. Questu assicura chì i dispositivi GaN manteninu prestazioni ottimali, riducenu u stress termicu è evitanu u surriscaldamentu, chì hè una sfida cumuna in i dispositivi semiconduttori convenzionali.
Q7: Chì sò l'applicazioni tipiche induve i wafer di GaN-on-Diamond superanu altri materiali semiconduttori?
A7:I wafer di GaN-on-Diamond superanu altri materiali in applicazioni chì richiedenu una gestione di putenza elevata, un funziunamentu à alta frequenza è una gestione termica efficiente. Questu include amplificatori di putenza RF, sistemi radar, cumunicazione à microonde, cumunicazione satellitare è altri elettronichi di alta putenza.
Cunclusione
I wafer GaN-on-Diamond offrenu una suluzione unica per applicazioni d'alta frequenza è d'alta putenza, cumbinendu l'alte prestazioni di GaN cù e proprietà termiche eccezziunali di u diamante. Cù caratteristiche persunalizabili, sò cuncepiti per risponde à i bisogni di l'industrie chì richiedenu una distribuzione efficiente di energia, una gestione termica è un funziunamentu d'alta frequenza, assicurendu affidabilità è longevità in ambienti difficili.
Diagramma dettagliatu
