Wafer HPSI SiCOI 4 6 pollici Legame idrofolico

Descrizzione corta:

I wafer 4H-SiCOI semi-isolanti di alta purezza (HPSI) sò sviluppati utilizendu tecnulugie avanzate di ligame è assottigliamentu. I wafer sò fabbricati ligendu substrati di carburo di siliciu 4H HPSI nantu à strati d'ossidu termicu attraversu dui metudi chjave: ligame idrofilu (direttu) è ligame attivatu in superficia. Quest'ultimu introduce un stratu intermediu mudificatu (cum'è siliciu amorfu, ossidu d'aluminiu o ossidu di titaniu) per migliurà a qualità di u ligame è riduce e bolle, particularmente adattatu per applicazioni ottiche. U cuntrollu di u spessore di u stratu di carburo di siliciu hè ottenutu attraversu SmartCut basatu nantu à l'impiantu ionicu o prucessi di macinazione è lucidatura CMP. SmartCut offre una uniformità di spessore di alta precisione (50nm-900nm cù uniformità di ±20nm) ma pò induce lievi danni à u cristallu per via di l'impiantu ionicu, affettendu e prestazioni di u dispositivu otticu. A macinazione è a lucidatura CMP evitanu danni à u materiale è sò preferiti per film più spessi (350nm-500µm) è applicazioni quantiche o PIC, ancu cù una minore uniformità di spessore (±100nm). I wafer standard di 6 pollici presentanu un stratu di SiC di 1 µm ± 0,1 µm nantu à un stratu di SiO2 di 3 µm sopra substrati di Si di 675 µm cù una levigatezza superficiale eccezziunale (Rq < 0,2 nm). Quessi wafer SiCOI HPSI sò adatti à a fabricazione di dispositivi MEMS, PIC, quantistici è ottici cù una qualità di materiale eccellente è flessibilità di prucessu.

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Funziunalità

Panoramica di e proprietà di u wafer SiCOI (carburu di siliciu nantu à l'isolante)

I wafer SiCOI sò un substratu semiconduttore di nova generazione chì combina u carburu di siliciu (SiC) cù un stratu isolante, spessu SiO₂ o zaffiro, per migliurà e prestazioni in elettronica di putenza, RF è fotonica. Quì sottu hè una panoramica dettagliata di e so proprietà classificate in sezioni chjave:

Pruprietà	Descrizzione
Cumposizione di u materiale	Stratu di carburu di siliciu (SiC) ligatu à un substratu isolante (tipicamente SiO₂ o zaffiro)
Struttura Cristalina	Tipicamente politipi 4H o 6H di SiC, cunnisciuti per l'alta qualità è uniformità di i cristalli
Proprietà elettriche	Campu elettricu di alta rottura (~3 MV/cm), banda proibita larga (~3,26 eV per 4H-SiC), bassa corrente di dispersione
Cunduttività termica	Alta conducibilità termica (~300 W/m·K), chì permette una dissipazione efficiente di u calore
Stratu dielettricu	U stratu isolante (SiO₂ o zaffiro) furnisce l'isolamentu elettricu è riduce a capacità parassita
Proprietà Meccaniche	Alta durezza (~ 9 scala Mohs), eccellente resistenza meccanica è stabilità termica
Finitura di a superficia	Tipicamente ultra-lisciu cù una bassa densità di difetti, adattatu per a fabricazione di dispositivi
Applicazioni	Elettronica di putenza, dispositivi MEMS, dispositivi RF, sensori chì necessitanu alta tolleranza di temperatura è tensione

I wafer SiCOI (Silicon Carbide-on-Insulator) rapprisentanu una struttura avanzata di substratu semiconduttore, custituita da un stratu sottile di alta qualità di carburo di siliciu (SiC) ligatu à un stratu isolante, tipicamente diossidu di siliciu (SiO₂) o zaffiro. U carburo di siliciu hè un semiconduttore à banda larga cunnisciutu per a so capacità di resistere à alte tensioni è temperature elevate, inseme cù una eccellente conducibilità termica è una durezza meccanica superiore, chì u rende ideale per applicazioni elettroniche di alta putenza, alta frequenza è alta temperatura.

U stratu isolante in i wafer SiCOI furnisce un isolamentu elettricu efficace, riducendu significativamente a capacità parassita è e currenti di dispersione trà i dispositivi, migliurendu cusì e prestazioni è l'affidabilità generali di u dispositivu. A superficia di u wafer hè lucidata precisamente per ottene una ultra-lissezza cù difetti minimi, rispondendu à e esigenze rigorose di a fabricazione di dispositivi à micro è nanoscala.

Sta struttura di materiale ùn solu migliora e caratteristiche elettriche di i dispositivi SiC, ma migliora ancu assai a gestione termica è a stabilità meccanica. Di cunsiguenza, i wafer SiCOI sò largamente aduprati in l'elettronica di putenza, i cumpunenti di radiofrequenza (RF), i sensori di sistemi microelettromeccanichi (MEMS) è l'elettronica à alta temperatura. In generale, i wafer SiCOI combinanu e proprietà fisiche eccezziunali di u carburu di siliciu cù i benefici di l'isolamentu elettricu di un stratu isolante, furnendu una basa ideale per a prossima generazione di dispositivi semiconduttori à alte prestazioni.

Applicazione di e cialde SiCOI

Dispositivi Elettronichi di Potenza

Interruttori, MOSFET è diodi d'alta tensione è d'alta putenza

Beneficiate di l'ampia banda proibita di SiC, di l'alta tensione di rottura è di a stabilità termica

Perdite di putenza ridotte è efficienza migliorata in i sistemi di cunversione di putenza

Cumponenti di Radiofrequenza (RF)

Transistor è amplificatori d'alta frequenza

A bassa capacità parassitaria per via di u stratu isolante migliora e prestazioni RF

Adattu per sistemi di cumunicazione 5G è radar

Sistemi Microelettromeccanichi (MEMS)

Sensori è attuatori chì operanu in ambienti difficili

A robustezza meccanica è l'inerzia chimica allunganu a durata di vita di u dispusitivu

Include sensori di pressione, accelerometri è giroscopi

Elettronica à alta temperatura

Elettronica per applicazioni automobilistiche, aerospaziali è industriali

Funziona in modu affidabile à temperature elevate induve u siliciu falla

Dispositivi fotonici

Integrazione cù cumpunenti optoelettronici nantu à substrati isolanti

Permette a fotonica on-chip cù una gestione termica migliorata

Dumande è risposte nantu à e cialde SiCOI

Q:Chì ghjè una cialda SiCOI?

Un:Una cialda SiCOI significa cialda di carburo di siliciu nantu à un isolante. Hè un tipu di substratu semiconduttore induve un stratu finu di carburo di siliciu (SiC) hè ligatu à un stratu isolante, di solitu diossidu di siliciu (SiO₂) o qualchì volta zaffiro. Sta struttura hè simile in cuncettu à e cialde di silicio nantu à un isolante (SOI) ben cunnisciute, ma usa SiC invece di siliciu.