Wafer LiTaO3 2 pollici-8 pollici 10x10x0.5 mm 1sp 2sp per Comunicazioni 5G/6G

Descrizzione corta:

U wafer LiTaO3 (wafer di tantalatu di litiu), un materiale pivotale in i semiconduttori è l'optoelettronica di terza generazione, sfrutta a so alta temperatura di Curie (610 °C), l'ampia gamma di trasparenza (0,4-5,0 μm), u cuefficiente piezoelettricu superiore (d33 > 1.500 pC/N) è a bassa perdita dielettrica (tanδ < 2%) per rivoluzionà e cumunicazioni 5G, l'integrazione fotonica è i dispositivi quantichi. Utilizendu tecnulugie di fabricazione avanzate cum'è u trasportu fisicu di vapore (PVT) è a deposizione chimica di vapore (CVD), XKH furnisce wafer X/Y/Z-cut, 42°Y-cut è polarizzati periodicamente (PPLT) in furmati da 2 à 8 pollici, cù una rugosità superficiale (Ra) <0,5 nm è una densità di microtubi <0,1 cm⁻². I nostri servizii includenu u dopaggio di Fe, a riduzione chimica è l'integrazione eterogenea Smart-Cut, indirizzendu filtri ottici ad alte prestazioni, rilevatori infrarossi è fonti di luce quantica. Stu materiale porta à scoperte in miniaturizazione, funziunamentu à alta frequenza è stabilità termica, accelerendu a sustituzione domestica in tecnulugie critiche.

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Funziunalità

Parametri tecnichi

Nome	LiTaO3 di qualità ottica	Livellu di a tavula sonora LiTaO3
Assiale	Tagliu Z + / - 0,2 °	Tagliu Y 36° / Tagliu Y 42° / Tagliu X (+ / - 0,2 °)
Diametru	76,2 mm + / - 0,3 mm / 100 ± 0,2 mm	76,2 mm + /-0,3 mm 100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Pianu di riferimentu	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm 32mm + /-2mm
Spessore	500um + /-5mm 1000um + /-5mm	500um + /-20mm 350um + /-20mm
TTV	≤ 10um	≤ 10um
Temperatura di Curie	605 °C + / - 0,7 °C (metodu DTA)	605 °C + / -3 °C (metodu DTA)
Qualità di a superficia	Lucidatura à doppia faccia	Lucidatura à doppia faccia
Bordi smussati	arrotondamentu di i bordi	arrotondamentu di i bordi

Caratteristiche chjave

1. Prestazioni elettriche è ottiche
· Coefficiente elettrootticu: r33 righjunghje 30 pm/V (X-cut), 1,5× più altu chè LiNbO3, chì permette una modulazione elettroottica à banda ultra larga (> 40 GHz di larghezza di banda).
· Risposta spettrale larga: Gamma di trasmissione 0,4–5,0 μm (spessore 8 mm), cù un bordu di assorbimentu ultraviolettu finu à 280 nm, ideale per laser UV è dispositivi à punti quantici.
· Coefficiente piroelettricu bassu: dP/dT = 3,5×10⁻⁴ C/(m²·K), chì garantisce a stabilità in i sensori infrarossi à alta temperatura.

2. Proprietà termiche è meccaniche
· Alta conducibilità termica: 4,6 W/m·K (tagliatura a X), quadrupla di quella di u quarzu, sustenendu cicli termichi di -200–500°C.
· Coefficiente di dilatazione termica bassu: CTE = 4,1 × 10⁻⁶/K (25–1000 °C), cumpatibile cù l'imballaggi in silicone per minimizà u stress termicu.
3. Cuntrollu di i difetti è precisione di trasfurmazione
· Densità di microtubi: <0,1 cm⁻² (cialde di 8 pollici), densità di dislocazioni <500 cm⁻² (verificata via incisione KOH).
· Qualità di a superficia: Lucidata CMP à Ra <0,5 nm, chì risponde à i requisiti di planarità di qualità litografica EUV.

Applicazioni Chjave

Dominiu	Scenarii d'applicazione	Vantaghji tecnichi
Cumunicazioni Ottiche	Laser DWDM 100G/400G, moduli ibridi di fotonica di siliciu	A trasmissione spettrale larga di a cialda LiTaO3 è a bassa perdita di guida d'onda (α <0,1 dB/cm) permettenu l'espansione in banda C.
Comunicazioni 5G/6G	Filtri SAW (1,8–3,5 GHz), filtri BAW-SMR	I wafer cù tagliu Y à 42° ottenenu un Kt² >15%, furnendu una bassa perdita d'inserzione (<1,5 dB) è un altu roll-off (>30 dB).
Tecnulugie Quantiche	Rivelatori à fotone unicu, fonti di cunversione parametrica discendente	Un altu cuefficiente non lineare (χ(2) = 40 pm/V) è una bassa velocità di conteggio scuru (<100 conti/s) migliuranu a fedeltà quantica.
Sensazione Industriale	Sensori di pressione à alta temperatura, trasformatori di corrente	A risposta piezoelettrica di a cialda di LiTaO3 (g33 > 20 mV/m) è a tolleranza à alta temperatura (> 400 °C) sò adatte à ambienti estremi.

Servizii XKH

1. Fabricazione di wafer persunalizati

· Dimensione è tagliu: wafer da 2 à 8 pollici cù tagliu X/Y/Z, tagliu Y à 42° è tagli angulari persunalizati (tolleranza di ±0,01°).

· Cuntrollu di u doping: doping di Fe, Mg via u metudu Czochralski (intervallu di cuncentrazione 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) per ottimizà i coefficienti elettro-ottici è a stabilità termica.

2. Tecnulugie di Prucessu Avanzate

· Periodic Poling (PPLT): tecnulugia Smart-Cut per i wafer LTOI, chì ottene una precisione di u periodu di duminiu di ±10 nm è una cunversione di frequenza quasi-fase-matched (QPM).

· Integrazione Eterogenea: Wafer cumposti LiTaO3 (POI) à basa di Si cù cuntrollu di spessore (300–600 nm) è cunduttività termica finu à 8,78 W/m·K per filtri SAW d'alta frequenza.

3. Sistemi di Gestione di a Qualità

· Test end-to-end: spettroscopia Raman (verifica di politipu), XRD (cristallinità), AFM (morfologia superficiale) è test di uniformità ottica (Δn <5×10⁻⁵).

4. Supportu di a catena di furnimentu glubale

· Capacità di pruduzzione: Pruduzzione mensile >5.000 wafer (8 pollici: 70%), cù consegna d'emergenza in 48 ore.

· Rete Logistica: Cupertura in Europa, America di u Nordu è Asia-Pacificu via trasportu aereu/marittimu cù imballaggi à temperatura cuntrullata.