Substrati cumposti SiC di tipu N Dia6inch Monocristallini di alta qualità è substrati di bassa qualità
Tavula di parametri cumuni di i substrati cumposti SiC di tipu N
| 项目Articuli | 指标Specificazione | 项目Articuli | 指标Specificazione |
| 直径Diametru | 150 ± 0,2 mm | 正 面 ( 硅 面 ) 粗 糙 度 Rugosità frontale (Si-face) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) |
| 晶型Politipu | 4H | Scheggiatura di u bordu, Graffiu, Crepa (ispezione visuale) | Nimu |
| 电阻率Resistività | 0,015-0,025 ohm ·cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Spessore di u stratu di trasferimentu | ≥0,4 μm | 翘曲度Orditu | ≤35μm |
| 空洞Viotu | ≤5 pezzi/cialda (2 mm > D > 0,5 mm) | 总厚度Spessore | 350 ± 25 μm |
A designazione "tipu N" si riferisce à u tipu di doping utilizatu in i materiali SiC. In a fisica di i semiconduttori, u doping implica l'introduzione intenzionale di impurità in un semiconduttore per alterà e so proprietà elettriche. U doping di tipu N introduce elementi chì furniscenu un eccessu di elettroni liberi, dendu à u materiale una cuncentrazione negativa di purtatori di carica.
I vantaghji di i substrati cumposti SiC di tipu N includenu:
1. Prestazioni à alta temperatura: U SiC hà una alta conducibilità termica è pò funziunà à alte temperature, ciò chì u rende adattatu per applicazioni elettroniche di alta putenza è alta frequenza.
2. Alta tensione di rottura: i materiali SiC anu una alta tensione di rottura, chì li permette di resiste à campi elettrici elevati senza rottura elettrica.
3. Resistenza chimica è ambientale: U SiC hè resistente chimicamente è pò suppurtà cundizioni ambientali difficili, ciò chì u rende adattatu per l'usu in applicazioni difficili.
4. Perdita di putenza ridotta: In paragone à i materiali tradiziunali à basa di siliciu, i substrati SiC permettenu una cunversione di putenza più efficiente è riducenu a perdita di putenza in i dispositivi elettronichi.
5. Banda proibita larga: SiC hà una banda proibita larga, chì permette u sviluppu di dispositivi elettronichi chì ponu funziunà à temperature più elevate è densità di putenza più elevate.
In generale, i substrati cumposti SiC di tipu N offrenu vantaghji significativi per u sviluppu di dispositivi elettronichi ad alte prestazioni, in particulare in applicazioni induve u funziunamentu à alta temperatura, l'alta densità di putenza è a cunversione di putenza efficiente sò critiche.