N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch Sustrato monocristalino di alta qualità è di bassa qualità

A denominazione "Tipu N" si riferisce à u tipu di doping utilizatu in materiali SiC. In a fisica di i semiconduttori, u doping implica l'intruduzione intenzionale di impurità in un semiconductor per cambià e so proprietà elettriche. U doping di tipu N introduce elementi chì furniscenu un eccessu di elettroni liberi, dendu à u materiale una cuncentrazione di trasportatore di carica negativa.

I vantaghji di i sustrati compositi SiC di tipu N includenu:

1. Prestazione High-temperature: SiC hà altu conductivity termale è pò upirari à altu temperature, facennu adattatu per appiicazioni ilittronica high-putere è high-frequency.

2. Alti voltage di rupture: i materiali SiC anu un altu voltage di rupture, chì permettenu di resistà à campi elettrichi elevati senza guasi elettrichi.

3. Resistenza chimica è ambientale: SiC hè resistenti chimicamente è pò sustene e cundizioni ambientali duru, facendu adattatu per l'usu in applicazioni sfida.

4. Perdita di putenza ridutta: Paragunatu à i materiali tradiziunali basati in siliciu, i sustrati SiC permettenu una cunversione di energia più efficiente è riduce a perdita di energia in i dispositi elettronici.

5. Wide bandgap: SiC hà un bandgap largu, chì permette u sviluppu di i dispositi elettronichi chì ponu operare à temperature più altu è densità di putenza più altu.

In generale, i sustrati compositi SiC di tipu N offrenu vantaghji significativi per u sviluppu di i dispositi elettronichi d'altu rendiment, in particulare in l'applicazioni induve l'operazione à alta temperatura, a densità di putenza alta è a cunversione di putenza efficiente sò critichi.