P-tipu SiC sustrato SiC wafer Dia2inch novu pruduttu

Sustrato SiC di tipu P SiC wafer Dia2inch novu pruduttu Image Featured

Breve descrizzione:

Wafer di carburo di silicio (SiC) di tipo P da 2 pollici in politipo 4H o 6H. Havi proprietà simili cum'è l'oblea di Carburo di Siliciu (SiC) di tipu N, cum'è a resistenza d'alta temperatura, alta conductività termale, alta conduttività elettrica, etc. U sustrato SiC di tipu P hè generalmente utilizatu per a fabricazione di i dispusitivi di putenza, in particulare a fabricazione di insulated. Transistor bipolari di porta (IGBT). U disignu di IGBT spessu implica junctions PN, induve SiC di tipu P pò esse vantaghju per cuntrullà u cumpurtamentu di i dispositi.

Mandate un email à noi

Detail di u produttu

Tags di u produttu

I sustrati di carburu di siliciu di tipu P sò cumunimenti usati per fà i dispositi di putenza, cum'è i transistori bipolari Insulate-Gate (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, chì hè un interruttore on-off. MOSFET = IGFET (tubu d'effettu di campu di semiconductor d'ossidu di metallu, o transistor d'effettu di campu di tipu di porta isolata). BJT (Bipolar Junction Transistor, cunnisciutu ancu u transistor), bipolari significa chì ci sò dui tipi di portatori di elettroni è di buchi implicati in u prucessu di cunduzzione à u travagliu, in generale ci hè una giunzione PN implicata in a cunduzzione.

U wafer di carburu di siliciu di 2-inch p-type (SiC) hè in politipu 4H o 6H. Havi proprietà simili à i wafers di carburu di silicium (SiC) di tipu n, cum'è a resistenza à a temperatura alta, a conduttività termica alta è a conduttività elettrica alta. I sustrati SiC di tipu p sò cumunimenti usati in a fabricazione di i dispositi di putenza, in particulare per a fabricazione di transistor bipolari insulated-gate (IGBT). u disignu di IGBTs tipicamenti implica junctions PN, induve p-type SiC hè vantaghju per cuntrullà u cumpurtamentu di u dispusitivu.