Substratu SiC di tipu P Wafer SiC Dia2inch novu pruduttu

I substrati di carburo di siliciu di tipu P sò cumunemente usati per fà dispositivi di putenza, cum'è i transistor bipolari Insulate-Gate (IGBT).

IGBT = MOSFET + BJT, chì hè un interruttore on-off. MOSFET = IGFET (tubu à effettu di campu à semiconduttore d'ossidu metallicu, o transistor à effettu di campu di tipu porta insulata). BJT (Transistor di Ghjunzione Bipolare, cunnisciutu ancu cum'è transistor), bipolare significa chì ci sò dui tippi di purtatori d'elettroni è di lacune implicati in u prucessu di cunduzione à u travagliu, generalmente ci hè una ghjunzione PN implicata in a cunduzione.

A fetta di carburo di siliciu (SiC) di tipu p di 2 pollici hè in politipu 4H o 6H. Hà proprietà simili à e fetta di carburo di siliciu (SiC) di tipu n, cum'è a resistenza à alta temperatura, l'alta cunduttività termica è l'alta cunduttività elettrica. I substrati di SiC di tipu p sò cumunemente usati in a fabricazione di dispositivi di putenza, in particulare per a fabricazione di transistor bipolari à porta isolata (IGBT). A cuncepzione di l'IGBT implica tipicamente giunzioni PN, induve u SiC di tipu p hè vantaghjosu per cuntrullà u cumpurtamentu di u dispusitivu.