Prodotti
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Struttura cubica di cristallu unicu di substratu/wafer di Ni a=3.25A densità 8.91
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Substratu di cristallu unicu di magnesiu Purità di a cialda di Mg 99,99% 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm 20x20x0,5/1mm
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Wafer di magnesiu monocristallu Mg DSP SSP Orientazione
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Substratu di cristallu unicu in metallo d'aluminiu lucidatu è trasfurmatu in dimensioni per a fabricazione di circuiti integrati
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Sustratu d'aluminiu Orientazione di u sustratu d'aluminiu monocristallinu 111 100 111 5 × 5 × 0,5 mm
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Cialda di vetru di quarzu JGS1 JGS2 BF33 Cialda 8 pollici 12 pollici 725 ± 25 um o persunalizata
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Tubu di zaffiro Metudu CZ Metudu KY Resistenza à alta temperatura Al2O3 99.999% zaffiro monocristallino
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substratu SIC di tipu p 4H/6H-P 3C-N di tipu 4 pollici 〈111〉± 0,5°Zero MPD
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Substratu SiC di tipu P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici cù un spessore di 350 µm Gradu di pruduzzione Gradu fittiziu
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Wafer SiC 4H/6H-P da 6 pollici, qualità Zero MPD, qualità di pruduzzione, qualità fittizia
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Wafer di SiC di tipu P 4H/6H-P 3C-N 6 pollici di spessore 350 μm cù orientazione piatta primaria
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Bracciu in ceramica d'alumina Bracciu roboticu in ceramica persunalizatu