Substrati compositi SiC semi-isolanti Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI

Descrizione breve:

U substratu compostu SiC semi-insulatu hè un materiale semiconductor utilizatu in a fabricazione di i dispositi elettronici. Questi sustrati sò fatti di carburu di siliciu (SiC) è anu una conducibilità termale eccellente, una alta tensione di rottura è resistenza à e cundizioni ambientali duri.

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Detail di u produttu

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Articuli	Specificazione	Articuli	Specificazione
Diamitru	150 ± 0,2 mm	Rugosità frontale (Si-face).	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Politipu	4H	Edge Chip, Scratch, Crack (ispezione visuale)	Nimu
Resistività	≥1E8ohm·cm	TTV	≤5μm
Spessore di u stratu di trasferimentu	≥ 0,4 μm	Warp	≤35μm
Void	≤5ea/wafer (2mm>D>0.5mm)	Spessore	500±25μm

I vantaghji di i sustrati compositi SiC semi-insulanti includenu:

Alta resistività: i materiali SiC semi-insulanti anu una alta resistività, chì li facenu un pocu capaci di bluccà u flussu di corrente è adattati per tipi specifichi di dispositivi elettronici.

Prestazione à alta temperatura: i materiali SiC sò capaci di funziunà in ambienti à alta temperatura, facendu adattati per l'applicazioni elettroniche d'alta putenza è di freccia alta.

High Breakdown Voltage: I materiali SiC anu una alta tensione di rottura è sò capaci di sustene campi elettrici elevati senza rottura elettrica.

Resistenza chimica è ambientale: SiC hè resistente à a corrosione chimica è pò sustene e cundizioni ambientali duri per applicazioni esigenti.

Perdita di putenza ridutta: i sustrati SiC permettenu una cunversione di putenza più efficiente è una perdita di putenza più bassa in l'elettronica paragunata à i materiali tradiziunali basati in siliciu.

In generale, i sustrati composti SiC semi-insulanti offrenu vantaghji significativi in u sviluppu di l'elettronica d'altu rendiment, in particulare in l'applicazioni chì necessitanu operazione à alta temperatura, alta densità di putenza è cunversione di putenza efficiente.

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