Substrati cumposti SiC semi-isolanti Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
| Articuli | Specificazione | Articuli | Specificazione |
| Diametru | 150 ± 0,2 mm | Rugosità frontale (Si-face) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) |
| Politipu | 4H | Scheggiatura di u bordu, Graffiu, Crepa (ispezione visuale) | Nimu |
| Resistività | ≥1E8ohm·cm | TTV | ≤5μm |
| Spessore di u stratu di trasferimentu | ≥0,4 μm | Orditu | ≤35μm |
| Viotu | ≤5 pezzi/cialda (2 mm > D > 0,5 mm) | Spessore | 500 ± 25 μm |
I vantaghji di i substrati cumposti SiC semi-isolanti includenu:
Alta resistività: i materiali SiC semi-isolanti anu una alta resistività, ciò chì li rende in qualchì modu capaci di bluccà u flussu di corrente è adatti per tipi specifici di dispositivi elettronichi.
Prestazioni à alta temperatura: I materiali SiC sò capaci di funziunà in ambienti à alta temperatura, ciò chì li rende adatti per applicazioni elettroniche di alta putenza è alta frequenza.
Alta tensione di rottura: I materiali SiC anu una alta tensione di rottura è sò capaci di suppurtà campi elettrici elevati senza rottura elettrica.
Resistenza chimica è ambientale: U SiC hè resistente à a corrosione chimica è pò suppurtà cundizioni ambientali difficili per applicazioni esigenti.
Perdita di putenza ridotta: i substrati di SiC permettenu una cunversione di putenza più efficiente è una perdita di putenza più bassa in l'elettronica paragunata à i materiali tradiziunali à basa di siliciu.
In generale, i substrati cumposti SiC semi-isolanti offrenu vantaghji significativi in u sviluppu di elettronica d'alte prestazioni, in particulare in applicazioni chì richiedenu un funziunamentu à alta temperatura, alta densità di putenza è una cunversione di putenza efficiente.
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