SiC semi-isolante nantu à substrati cumposti di Si

Questa cumbinazione offre una quantità di vantaghji in a fabricazione di l'elettronica:

Compatibilità: L'usu di un substratu di siliciu u rende cumpatibile cù e tecniche di trasfurmazione standard à basa di siliciu è permette l'integrazione cù i prucessi di fabricazione di semiconduttori esistenti.

Prestazioni à alta temperatura: U SiC hà una eccellente conducibilità termica è pò funziunà à alte temperature, ciò chì u rende adattatu per applicazioni elettroniche di alta putenza è alta frequenza.

Alta tensione di rottura: I materiali SiC anu una alta tensione di rottura è ponu suppurtà campi elettrici elevati senza rottura elettrica.

Perdita di putenza ridotta: I substrati di SiC permettenu una cunversione di putenza più efficiente è una perdita di putenza più bassa in i dispositivi elettronichi paragunatu à i materiali tradiziunali à basa di siliciu.

Larga larghezza di banda: SiC hà una larga larghezza di banda, chì permette u sviluppu di dispositivi elettronichi chì ponu funziunà à temperature più elevate è densità di putenza più elevate.

Cusì, u SiC semi-isolante nantu à i substrati cumposti di Si combina a cumpatibilità di u siliciu cù e proprietà elettriche è termiche superiori di u SiC, rendendulu adattatu per applicazioni elettroniche d'alte prestazioni.

Imballaggio è consegna

1. Useremu plastica protettiva è scatule persunalizate per imballà. (Materiale rispettuosu di l'ambiente)

2. Puderemu fà imballaggio persunalizatu secondu a quantità.

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