SiC semi-isolante su substrati compositi Si

Sta cumminazzioni offre una quantità di vantaghji in a fabricazione di l'elettronica:

Compatibilità: L'usu di un sustrato di siliciu rende cumpatibile cù tecniche standard di trasfurmazioni basate in siliciu è permette l'integrazione cù i prucessi di fabricazione di semiconduttori esistenti.

Rendimentu à alta temperatura: SiC hà un'eccellente conduttività termica è pò operà à alte temperature, facendu adattatu per applicazioni elettroniche d'alta putenza è di alta frequenza.

High Breakdown Voltage: I materiali SiC anu una alta tensione di rottura è ponu sopra à campi elettrici elevati senza rottura elettrica.

Riduzzione di a perdita di energia: i sustrati di SiC permettenu una cunversione di energia più efficiente è una perdita di energia più bassa in i dispositi elettronici paragunatu à i materiali tradiziunali basati in siliciu.

Larghezza di banda larga: SiC hà una larghezza di banda larga, chì permette u sviluppu di i dispositi elettronichi chì ponu operà à temperature più altu è densità di putenza più altu.

Dunque, SiC semi-insulanti nantu à sustrati compositi Si combina a cumpatibilità di u siliciu cù e proprietà elettriche è termali superiori di SiC, facendu adattatu per l'applicazioni elettroniche d'altu rendiment.

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