Lingotto SiC 4H-N tipu Dummy grade 2inch 3inch 4inch 6inch spessore:> 10mm
Applicazione
Elettronica di putenza:Adupratu in a pruduzzione di transistori d'alta efficienza, diodi è rettificatori per applicazioni industriali è automobilistiche.
Veiculi elettrici (EV):Adupratu in a fabricazione di moduli di putenza per sistemi di trasmissione elettrica, inverter è caricatori.
Sistemi di energia rinnuvevuli:Essenziale per u sviluppu di dispositivi di cunversione di energia efficiente per sistemi di almacenamentu di energia solare, ventu è energia.
Aerospaziale è Difesa:Applicata in cumpunenti d'alta frequenza è d'alta putenza, cumpresi sistemi di radar è cumunicazioni satellitari.
Sistemi di cuntrollu industriale:Supporta sensori avanzati è dispusitivi di cuntrollu in ambienti esigenti.
Pruprietà
conduttività.
Opzioni di diametru: 2-inch, 3-inch, 4-inch, è 6-inch.
Spessore:> 10 mm, assicurendu materiale sustanziale per a fetta è a trasfurmazioni di wafer.
Tipu: Dummy Grade, utilizatu principalmente per a prova è u sviluppu senza dispositi.
Carrier Type: N-type, ottimizendu u materiale per i dispositi di putenza d'altu rendiment.
Conduttività termica: Eccellente, ideale per una dissipazione di calore efficiente in l'elettronica di putenza.
Resistività: bassa resistività, aumentendu a conduttività è l'efficienza di i dispositi.
Forza Meccanica: Alta, assicurendu a durabilità è a stabilità sottu stress è alta temperatura.
Proprietà ottiche: Trasparente in a gamma UV-visibile, facendu adattatu per l'applicazioni di sensori ottici.
Densità di difetti: Bassu, cuntribuiscenu à l'alta qualità di i dispositi fabbricati.
Specificazione di lingotti SiC
Grade: Produzione;
Dimensione: 6 inch;
Diametru: 150,25 mm + 0,25:
Spessore: > 10 mm;
Orientazione di a superficia: 4 ° versu <11-20> + 0,2 °:
Orientazione piatta primaria: <1-100>+5 °:
Lunghezza piatta primaria: 47,5 mm + 1,5;
Resistività: 0,015-0,02852:
Micropipe: <0,5;
BPD: <2000;
TSD: <500;
Zone politipichi : Nisunu;
Fdge indents: <3,:lmm larghezza è prufundità;
Edge Qracks: 3,
Imballaggio: cassa di wafer;
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