Fornu di crescita di cristalli SiC Crescita di lingotti SiC 4 pollici 6 pollici 8 pollici Metudu di crescita PTV Lely TSSG LPE
I principali metudi di crescita di cristalli è e so caratteristiche
(1) Metudu di Trasferimentu di Vapore Fisicu (PTV)
Principiu: À alte temperature, a materia prima SiC sublima in una fase gassosa, chì hè successivamente ricristallizzata nantu à u cristallu di sementi.
Caratteristiche principali:
Alta temperatura di crescita (2000-2500°C).
Cristalli 4H-SiC è 6H-SiC di alta qualità è di grande dimensione ponu esse cultivati.
U ritmu di crescita hè lentu, ma a qualità di u cristallu hè alta.
Applicazione: Principalmente aduprata in semiconduttori di putenza, dispositivi RF è altri campi di alta gamma.
(2) Metudu Lely
Principiu: I cristalli sò cresciuti per sublimazione spontanea è ricristallizazione di polveri di SiC à alte temperature.
Caratteristiche principali:
U prucessu di crescita ùn richiede micca sementi, è a dimensione di u cristallu hè chjuca.
A qualità di u cristallu hè alta, ma l'efficienza di crescita hè bassa.
Adattu per a ricerca di laburatoriu è a pruduzzione in picculi lotti.
Applicazione: Principalmente aduprata in a ricerca scientifica è a preparazione di cristalli di SiC di piccula dimensione.
(3) Metudu di crescita di a suluzione di sementi superiori (TSSG)
Principiu: In una suluzione à alta temperatura, a materia prima SiC si dissolve è cristallizza nantu à u cristallu di sementi.
Caratteristiche principali:
A temperatura di crescita hè bassa (1500-1800°C).
Cristalli di SiC di alta qualità è à bassu difettu ponu esse cultivati.
U ritmu di crescita hè lentu, ma l'uniformità di u cristallu hè bona.
Applicazione: Adattu per a preparazione di cristalli di SiC di alta qualità, cum'è i dispositivi optoelettronici.
(4) Epitaxia di Fase Liquida (LPE)
Principiu: In una suluzione di metallu liquidu, a crescita epitassiale di a materia prima SiC nantu à u sustratu.
Caratteristiche principali:
A temperatura di crescita hè bassa (1000-1500°C).
Crescita rapida, adatta per a crescita di film.
A qualità di u cristallu hè alta, ma u spessore hè limitatu.
Applicazione: Principalmente aduprata per a crescita epitassiale di filmi SiC, cum'è sensori è dispositivi optoelettronici.
I principali modi d'applicazione di u fornu di cristallu di carburo di siliciu
U fornu di cristalli SiC hè l'equipaggiu principale per a preparazione di cristalli sic, è i so principali modi di applicazione includenu:
Fabricazione di dispositivi à semiconduttori di putenza: Aduprata per cultivà cristalli 4H-SiC è 6H-SiC di alta qualità cum'è materiali di substratu per dispositivi di putenza (cum'è MOSFET, diodi).
Applicazioni: veiculi elettrichi, inverter fotovoltaichi, alimentatori industriali, ecc.
Fabricazione di dispositivi Rf: Adupratu per cultivà cristalli SiC à bassu difettu cum'è substrati per dispositivi RF per risponde à i bisogni d'alta frequenza di cumunicazioni 5G, radar è cumunicazioni satellitari.
Fabricazione di dispositivi optoelettronici: Aduprati per cultivà cristalli di SiC di alta qualità cum'è materiali di substratu per LED, rilevatori ultravioletti è laser.
Ricerca scientifica è pruduzzione in picculi lotti: per a ricerca di laburatoriu è u sviluppu di novi materiali per sustene l'innuvazione è l'ottimisazione di a tecnulugia di crescita di cristalli SiC.
Fabricazione di dispositivi à alta temperatura: Aduprata per cultivà cristalli di SiC resistenti à alte temperature cum'è materiale di basa per l'aerospaziale è i sensori à alta temperatura.
Attrezzatura è servizii di fornu SiC furniti da a cumpagnia
XKH si cuncentra nantu à u sviluppu è a fabricazione di l'equipaggiamenti di fornu di cristallu SIC, furnendu i seguenti servizii:
Attrezzatura persunalizata: XKH furnisce forni di crescita persunalizati cù diversi metudi di crescita cum'è PTV è TSSG secondu i requisiti di i clienti.
Supportu tecnicu: XKH furnisce à i clienti un supportu tecnicu per tuttu u prucessu, da l'ottimisazione di u prucessu di crescita di cristalli à a manutenzione di l'attrezzatura.
Servizii di furmazione: XKH furnisce furmazione operativa è guida tecnica à i clienti per assicurà un funziunamentu efficiente di l'attrezzatura.
Serviziu post-vendita: XKH furnisce un serviziu post-vendita à risposta rapida è aghjurnamenti di l'equipaggiamenti per assicurà a continuità di a pruduzzione di i clienti.
A tecnulugia di crescita di cristalli di carburo di siliciu (cum'è PTV, Lely, TSSG, LPE) hà applicazioni impurtanti in u campu di l'elettronica di putenza, i dispositivi RF è l'optoelettronica. XKH furnisce apparecchiature avanzate per forni SiC è una gamma completa di servizii per sustene i clienti in a pruduzzione à grande scala di cristalli SiC di alta qualità è aiutà u sviluppu di l'industria di i semiconduttori.
Diagramma dettagliatu
