Substratu SiC di qualità P è D Dia50mm 4H-N 2 pollici

E caratteristiche principali di i wafer MOSFET SiC di 2 pollici sò e seguenti;.

Alta Cunduttività Termica: Assicura una gestione termica efficiente, migliorandu l'affidabilità è e prestazioni di u dispusitivu

Alta Mobilità Elettronica: Permette a commutazione elettronica à alta velocità, adatta per applicazioni à alta frequenza

Stabilità chimica: Mantene e prestazioni in cundizioni estreme, durata di vita di u dispusitivu

Compatibilità: Compatibile cù l'integrazione di semiconduttori esistenti è a pruduzzione di massa

I wafer MOSFET SiC di 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici sò largamente aduprati in i seguenti settori: moduli di putenza per veiculi elettrici, furnisce sistemi energetichi stabili è efficienti, inverter per sistemi di energia rinnuvevule, ottimizà a gestione di l'energia è l'efficienza di cunversione,

Wafer di SiC è wafer Epi-layer per l'elettronica satellitare è aerospaziale, chì garantiscenu una cumunicazione affidabile ad alta frequenza.

Applicazioni optoelettroniche per laser è LED ad alte prestazioni, chì rispondenu à e esigenze di e tecnulugie avanzate di illuminazione è visualizzazione.

I nostri wafers SiC I substrati SiC sò a scelta ideale per l'elettronica di putenza è i dispositivi RF, in particulare induve sò richieste una alta affidabilità è prestazioni eccezziunali. Ogni lottu di wafers hè sottumessu à testi rigorosi per assicurà chì rispondenu à i più alti standard di qualità.

I nostri wafer SiC di tipu 4H-N di qualità D è di qualità P da 2 pollici, 3 pollici, 4 pollici, 6 pollici, 8 pollici sò a scelta perfetta per l'applicazioni di semiconduttori à alte prestazioni. Cù una qualità cristallina eccezziunale, un cuntrollu di qualità strettu, servizii di persunalizazione è una vasta gamma di applicazioni, pudemu ancu urganizà a persunalizazione secondu i vostri bisogni. E dumande sò benvenute!