Sustrato SiC di qualità P è D Dia50mm 4H-N 2inch
E caratteristiche principali di i wafers mosfet SiC 2inch sò i seguenti ;.
Alta Conduttività Termale: Assicura una gestione termica efficiente, aumentendu l'affidabilità è u rendiment di u dispusitivu
Alta Mobilità Elettronica: Permette a commutazione elettronica à alta velocità, adattata per applicazioni à alta frequenza
Stabilità chimica: Mantene u rendiment in condizioni estreme a vita di u dispusitivu
Compatibilità: Compatibile cù l'integrazione di semiconduttori esistenti è a produzzione di massa
I wafers mosfet SiC da 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch sò largamente usati in i seguenti settori: moduli di putenza per veiculi elettrici, furnisce sistemi energetichi stabili è efficaci, inverter per sistemi di energia rinnuvevuli, ottimisazione di a gestione energetica è l'efficienza di cunversione,
Wafer SiC è Wafer Epi-layer per l'elettronica satellitare è aerospaziale, assicurendu una cumunicazione affidabile à alta frequenza.
Applicazioni optoelettroniche per laser è LED d'alta prestazione, rispondenu à e richieste di tecnulugia avanzata di illuminazione è di visualizazione.
I nostri sustrati SiC di wafers SiC sò a scelta ideale per l'elettronica di putenza è i dispositi RF, soprattuttu induve sò richieste una alta affidabilità è prestazioni eccezziunali. Ogni lotto di wafers hè sottumessu à una prova rigorosa per assicurà chì risponde à i più alti standard di qualità.
I nostri wafers SiC di 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch 4H-N di tipu D è P-grade sò a scelta perfetta per l'applicazioni di semiconduttori d'altu rendiment. Cù una qualità di cristalli eccezziunale, un cuntrollu di qualità strettu, servizii di persunalizazione, è una larga gamma di applicazioni, pudemu ancu organizà a persunalizazione secondu e vostre necessità. E dumande sò benvenute!