SiC
-
Wafer di carburo di siliciu da 2 pollici, substrati di SiC di tipu N o semiisolanti 6H o 4H
-
4H-N 4 pollici substratu SiC wafer Carburu di Siliciu Pruduzzione Dummy Research grade
-
Wafers SiC in carburo di siliciu da 6 pollici è 150 mm di tipu 4H-N per a ricerca di pruduzzione MOS o SBD è a qualità fittizia
-
Wafer SiC 4H-N da 8 pollici, 200 mm, di qualità di ricerca fittizia conduttiva
-
Wafer di carburo di siliciu da 2 pollici, substrati di SiC di tipu N o semiisolanti 6H o 4H