Silicon-On-Insulator Substrate SOI wafer trè strati per Microelettronica è Radio Frequency

Breve descrizzione:

SOI full name Silicon On Insulator, hè u significatu di struttura di transistor di siliciu nantu à u insulator, u principiu hè trà u transistor di siliciu, aghjunghje materiale insulator, pò fà a capacità parasita trà i dui chì l'uriginale menu duppiu.


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Introduzione di scatula di wafer

Introducendu a nostra wafer avanzata di Silicon-On-Insulator (SOI), meticulosamente ingegneria cù trè strati distinti, rivoluzionandu a microelettronica è l'applicazioni di radiofrequenza (RF). Stu sustrato innovativu combina una strata di siliciu superiore, una strata d'ossidu isolante è un sustrato di siliciu inferiore per furnisce prestazioni è versatilità senza pari.

Cuncepitu per e richieste di a microelettronica muderna, a nostra wafer SOI furnisce una basa solida per a fabricazione di circuiti integrati (IC) intricati cù velocità superiore, efficienza energetica è affidabilità. A capa superiore di siliciu permette l'integrazione perfetta di cumpunenti elettronici cumplessi, mentre chì a capa d'ossidu isolante minimizza a capacità parassita, aumentendu u rendiment generale di u dispusitivu.

In u regnu di l'applicazioni RF, a nostra wafer SOI eccelle cù a so bassa capacità parassita, alta tensione di rottura, è eccellenti proprietà di isolamentu. Ideale per interruttori RF, amplificatori, filtri è altri cumpunenti RF, stu sustrato assicura un rendimentu ottimale in sistemi di cumunicazione wireless, sistemi di radar è più.

Inoltre, a tolleranza inerente à a radiazione di a nostra wafer SOI a rende ideale per l'applicazioni aerospaziali è di difesa, induve l'affidabilità in ambienti duri hè critica. A so custruzzione robusta è e caratteristiche di prestazione eccezziunale garantinu un funziunamentu coherente ancu in cundizioni estremi.

Funzioni chjave:

Architettura à trè strati: strata di siliciu superiore, stratu d'ossidu insulante è sustrato di silicuu di fondu.

Prestazione Microelettronica Superiore: Permette a fabricazione di IC avanzati cù velocità è efficienza energetica rinfurzata.

Eccellente prestazione RF: bassa capacità parassita, alta tensione di rottura, è proprietà d'isolazione superiori per i dispositi RF.

Affidabilità Aerospace-Grade: A tolleranza inerente à a radiazione assicura affidabilità in ambienti duri.

Applicazioni versatili: Adatta per una larga gamma di industrii, cumprese telecomunicazioni, aerospaziale, difesa è più.

Pruvate a prossima generazione di microelettronica è tecnulugia RF cù a nostra wafer avanzata di Silicon-On-Insulator (SOI). Sbloccate novi pussibulità per l'innuvazione è guidanu u prugressu in e vostre applicazioni cù a nostra soluzione di sustrato di punta.

Diagramma detallatu

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