Sustrattu
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2Inch 6H-N Substrato di Carburo di Silicio Sic Wafer Doppiu Polished Conductive Prime Grade Mos Grade
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Wafer de carbure de silicium SiC Wafer de SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semi-isolante à haute pureté) 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8 pouces disponible
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Lingotto di zaffiro 3inch 4inch 6inch Monocrystal CZ Metudu KY Customizable
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Anellu di zaffiro fattu di materiale sinteticu di zaffiro Durezza Mohs trasparente è persunalizabile di 9
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Sustrato di carburo di silicio Sic da 2 pollici 6H-N Tipu 0,33 mm 0,43 mm lucidatura doppia faccia Alta conduttività termica cunsumu d'energia bassu
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Sustrato di wafer epitassiale di alta potenza GaAs arseniuro di gallio lunghezza d'onda laser di potenza 905nm per trattamento medico laser
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Wafer epitassiale laser GaAs 4 pollici 6 pollici VCSEL cavità verticale emissione di superficie laser lunghezza d'onda 940nm giunzione unica
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2inch 3inch 4inch InP sustrato di wafer epitassiale Rilevatore di luce APD per comunicazioni in fibra ottica o LiDAR
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anellu di zaffiro anellu di zaffiro interamente fattu di zaffiro Materiale di zaffiro trasparente fattu di laboratoriu
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Sapphire lingotto dia 4inch × 80mm Monocristalline Al2O3 99.999% Single Crystal
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Sapphire Prism Sapphire Lens Alta trasparenza Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Materiale Strumentu otticu
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Sustrato SiC 3inch 350um di spessore Tipu HPSI Prime Grade Dummy grade