Substratu
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6 in Lingotti Semi-isolanti di Carburu di Siliciu 4H-SiC, di Qualità Fittizia
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Lingotto SiC tipu 4H Dia 4 pollici 6 pollici Spessore 5-10 mm Ricerca / Gradu fittiziu
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Zaffiru Boule di 6 pollici, cristallu unicu di zaffiro Al2O3 99,999%
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Substratu Sic, Wafer di Carburu di Siliciu 4H-N di Tipu, Alta Durezza, Resistenza à a Corrosione, Lucidatura di Prima Qualità
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Wafer di carburo di siliciu da 2 pollici, tipu 6H-N, primu gradu, gradu fittiziu di ricerca, spessore 330 μm 430 μm
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Substratu di carburo di siliciu di 2 pollici 6H-N lucidatu à doppia faccia diametru 50,8 mm di qualità di pruduzzione qualità di ricerca
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substratu SIC di tipu p 4H/6H-P 3C-N di tipu 4 pollici 〈111〉± 0,5°Zero MPD
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Substratu SiC di tipu P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici cù un spessore di 350 µm Gradu di pruduzzione Gradu fittiziu
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Wafer SiC 4H/6H-P da 6 pollici, qualità Zero MPD, qualità di pruduzzione, qualità fittizia
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Wafer di SiC di tipu P 4H/6H-P 3C-N 6 pollici di spessore 350 μm cù orientazione piatta primaria
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Prucessu TVG nantu à wafer di quarzu zaffiro BF33 Perforazione di wafer di vetru
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Wafer di siliciu monocristallinu Tipu di substratu Si N/P Wafer di carburu di siliciu opzionale