Substratu
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Substratu SiC di tipu P 4H/6H-P 3C-N 4 pollici cù un spessore di 350 µm Gradu di pruduzzione Gradu fittiziu
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Wafer SiC 4H/6H-P da 6 pollici, qualità Zero MPD, qualità di pruduzzione, qualità fittizia
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Wafer di SiC di tipu P 4H/6H-P 3C-N 6 pollici di spessore 350 μm cù orientazione piatta primaria
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Prucessu TVG nantu à wafer di quarzu zaffiro BF33 Perforazione di wafer di vetru
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Wafer di siliciu monocristallinu Tipu di substratu Si N/P Wafer di carburu di siliciu opzionale
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Substrati cumposti SiC di tipu N Dia6inch Monocristallini di alta qualità è substrati di bassa qualità
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SiC semi-isolante nantu à substrati cumposti di Si
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Substrati cumposti SiC semi-isolanti Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
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U diametru è u spessore di u biancu di zaffiro monocristallinu di boule di zaffiro sinteticu ponu esse persunalizati.
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SiC di tipu N nantu à substrati cumposti di Si Dia6inch
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Substratu SiC Dia200mm 4H-N è carburu di siliciu HPSI
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Pruduzzione di substratu SiC di 3 pollici Dia76.2mm 4H-N