Substratu di carburo di siliciu Sic di 2 pollici Tipu 6H-N 0,33 mm 0,43 mm lucidatura à doppia faccia Alta conducibilità termica Bassu cunsumu energeticu
E seguenti sò e caratteristiche di a cialda di carburo di siliciu di 2 pollici
1. Durezza: A durezza di Mohs hè circa 9,2.
2. Struttura cristallina: struttura à reticolo esagonale.
3. Alta cunduttività termica: a cunduttività termica di SiC hè assai più alta di quella di u siliciu, ciò chì hè favurevule à una dissipazione efficace di u calore.
4. Larga banda di gap: a banda di gap di SiC hè di circa 3,3 eV, adatta per applicazioni à alta temperatura, alta frequenza è alta putenza.
5. Campu elettricu di ripartizione è mobilità elettronica: Campu elettricu di ripartizione elevatu è mobilità elettronica, adattatu per dispositivi elettronichi di putenza efficienti cum'è MOSFET è IGBT.
6. Stabilità chimica è resistenza à e radiazioni: adatta per ambienti difficili cum'è l'aerospaziale è a difesa naziunale. Eccellente resistenza chimica, acidi, alcali è altri solventi chimichi.
7. Alta resistenza meccanica: Eccellente resistenza meccanica in ambienti à alta temperatura è alta pressione.
Pò esse largamente adupratu in apparecchiature elettroniche di alta putenza, alta frequenza è alta temperatura, cum'è fotodetettori ultravioletti, inverter fotovoltaici, PCU di veiculi elettrici, ecc.
A cialda di carburo di siliciu di 2 pollici hà parechje applicazioni.
1. Dispositivi elettronichi di putenza: usati per fabricà MOSFET di putenza à alta efficienza, IGBT è altri dispositivi, largamente usati in a cunversione di putenza è i veiculi elettrici.
2. Dispositivi Rf: In l'apparecchiature di cumunicazione, u SiC pò esse adupratu in amplificatori d'alta frequenza è amplificatori di putenza RF.
3. Dispositivi fotoelettrici: cum'è i LED basati nantu à SIC, in particulare in applicazioni blu è ultravioletti.
4. Sensori: Per via di a so resistenza à alta temperatura è chimica, i substrati di SiC ponu esse aduprati per fabricà sensori di alta temperatura è altre applicazioni di sensori.
5. Militare è aerospaziale: per via di a so resistenza à alta temperatura è di e so caratteristiche di alta resistenza, hè adattatu per l'usu in ambienti estremi.
I principali campi d'applicazione di u substratu SIC 6H-N di tipu 2 "includenu veiculi à nova energia, stazioni di trasmissione è trasfurmazione d'alta tensione, elettrodomestici, treni à alta velocità, motori, inverter fotovoltaici, alimentazione à impulsi è cusì.
XKH pò esse persunalizatu cù diversi spessori secondu i bisogni di u cliente. Diversi trattamenti di rugosità superficiale è di lucidatura sò dispunibili. Diversi tipi di doping (cum'è u doping à l'azotu) sò supportati. U tempu di consegna standard hè di 2-4 settimane, secondu a persunalizazione. Aduprate materiali di imballaggio antistatici è schiuma antisismica per assicurà a sicurezza di u sustratu. Diverse opzioni di spedizione sò dispunibili, è i clienti ponu verificà u statu di a logistica in tempu reale attraversu u numeru di tracciamentu furnitu. Fornisce supportu tecnicu è servizii di cunsulenza per assicurà chì i clienti possinu risolve i prublemi in u prucessu d'usu.
Diagramma dettagliatu


