Sustrato di carburo di silicio Sic da 2 pollici 6H-N Tipu 0,33 mm 0,43 mm lucidatura doppia faccia Alta conduttività termica cunsumu d'energia bassu

Sustrato di carburo di silicio Sic 2 inch 6H-N Tipu 0.33mm 0.43mm lucidatura doppia faccia Alta conduttività termica cunsumu d'energia bassu Image Featured

Descrizione breve:

U carburu di siliciu (SiC) hè un materiale semiconductor à banda larga cù una eccellente conduttività termica è stabilità chimica. U tipu 6H-N indica chì a so struttura di cristalli hè esagonale (6H), è "N" indica chì hè un materiale semiconductor di tipu N, chì hè generalmente ottenutu da doping nitrogenu.
U sustrato di carburu di siliciu hà caratteristiche eccellenti di resistenza à alta pressione, resistenza à alta temperatura, rendiment d'alta frequenza, etc. Comparatu cù i prudutti di siliciu, u dispusitivu preparatu da u sustrato di siliciu pò riduce a perdita di 80% è riduce a dimensione di u dispusitivu da 90%. In quantu à i veiculi di l'energia nova, u carburu di silicuu pò aiutà à i veiculi di l'energia nova à ottene u pesu ligeru è riduce e perdite, è aumentanu a gamma di guida; In u campu di a cumunicazione 5G, pò esse usatu per a fabricazione di l'equipaggiu cunnessu; In a generazione di energia fotovoltaica pò migliurà l'efficienza di cunversione; U campu di u transitu ferroviariu pò aduprà e so caratteristiche di resistenza à alta temperatura è alta pressione.

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I seguenti sò e caratteristiche di u wafer di carburu di silicium 2inch

1. Durezza: Durezza Mohs hè di circa 9,2.
2. Struttura cristallina: struttura di lattice esagonale.
3. Conduttività termale alta: a conduttività termale di SiC hè assai più altu ch'è quella di silicium, chì conduce à una dissipazione efficace di u calore.
4. Wide band gap: u band gap di SiC hè di circa 3.3eV, adattatu per l'applicazioni d'alta temperatura, alta frequenza è alta putenza.
5. Campu elettricu Breakdown è mobilità di l'elettroni: High breakdown campu elettricu è mobilità di l'elettroni, adattatu per i dispositi elettronichi di putenza efficienti cum'è MOSFET è IGBT.
6. Stabilità chimica è resistenza à a radiazione: adattatu per ambienti duru cum'è aerospaziale è difesa naziunale. Eccellente resistenza chimica, acidi, alkali è altri solventi chimichi.
7. Forza meccanica High: Forza meccanica eccellenti sottu alta temperatura è ambiente alta pressione.
Pò esse largamente utilizatu in l'equipaggiu elettronicu d'alta putenza, alta frequenza è alta temperatura, cum'è fotodetettori ultravioletti, inverter fotovoltaici, PCU di veiculi elettrici, etc.

U wafer di carburu di siliciu di 2 pollici hà parechje applicazioni.

1.Power dispusitivi ilittronica: usatu pi fabricà MOSFET high-efficacy putenza, IGBT è altri dispusitivi, largamente usatu in cunversione putenza è veiculi ilettricu.

Dispositivi 2.Rf: In l'equipaggiu di cumunicazione, SiC pò esse usatu in amplificatori d'alta freccia è amplificatori di putenza RF.

dispusitivi 3.Photoelectric: cume leds-basatu SIC, soprattuttu in appiicazioni blu è ultraviolet.

4.Sensors: A causa di a so alta temperatura è a resistenza chimica, i sustrati di SiC ponu esse usatu per fabricà sensori d'alta temperatura è altre applicazioni di sensori.

5.Military è aerospaziale: per via di a so resistenza à a temperatura alta è e caratteristiche di alta forza, adattatu per l'usu in ambienti estremi.

I principali campi di applicazione di 6H-N tipu 2 "Sustrato SIC includenu novi veiculi d'energia, stazioni di trasmissioni è trasfurmazioni d'alta tensione, marchi bianchi, treni d'alta velocità, mutori, inverter fotovoltaicu, alimentazione di impulsi è cusì.

XKH pò esse persunalizatu cù diversi spessori secondu i bisogni di u cliente. Diversi trattamenti di rugosità superficiale è lucidatura sò dispunibili. Diversi tipi di doping (cum'è doping di nitrogenu) sò supportati. U tempu di consegna standard hè di 2-4 settimane, secondu a persunalizazione. Aduprate materiali di imballaggio antistatici è schiuma antisismica per assicurà a sicurità di u sustrato. Diverse opzioni di spedizione sò dispunibili, è i clienti ponu verificà u statutu di a logistica in tempu reale attraversu u numeru di seguimentu furnitu. Fornite supportu tecnicu è servizii di cunsultazione per assicurà chì i clienti ponu risolve i prublemi in u prucessu di usu.