4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch produzzione Dummy grade Dia150mm substratu di carburu di siliciu

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Descrizione breve:

Pudemu furnisce un sustrato di film sottile superconduttivu d'alta temperatura, filmi sottili magnetichi è sustrato di film sottile ferroelectric, cristalli semiconduttori, cristalli ottici, materiali di cristalli laser, à u stessu tempu furnisce l'orientazione, taglio di cristalli, macinazione, lucidatura è altri servizii di trasfurmazioni.I nostri sustrati SiC venenu da Tankeblue Factory in Cina.

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Specificazione di u substratu di carburu di silicium (SiC) di 6 pollici di diametru

Grade	Zero MPD	Pruduzzione	Grau di ricerca	Grade Dummy
Diamitru	150,0 mm ± 0,25 mm
Spessore	4H-N	350 um ± 25 um
	4H-SI	500 um ± 25 um
Orientazione Wafer	À l'assi : <0001>± 0,5 ° per 4H-SI Off asse: 4,0 ° versu <1120>± 0,5 ° per 4H-N
Pianu primariu	{10-10}± 5,0 °
Lunghezza piatta primaria	47,5 mm ± 2,5 mm
Esclusione di bordu	3 mm
TTV/Arcu/Warp	≤15um/≤40um/≤60um
Densità di micropipe	≤ 1 cm-2	≤5 cm-2	≤15cm-2	≤50cm-2
Resistività 4H-N 4H-SI	0,015~0,028Ω!cm
	≥1E5Ω!cm
Rugosità	Polacco Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm
#Cracks da a luce di alta intensità	Nimu		1 permessu, ≤2mm	Lunghezza cumulativa ≤10mm, lunghezza unica ≤2mm
* Placche hexagonali da a luce di alta intensità	Area cumulativa ≤1%		Area cumulativa ≤ 2%	Area cumulativa ≤ 5%
* Zone di politipu da luce di alta intensità	Nimu		Area cumulativa ≤ 2%	Area cumulativa ≤ 5%
* & Scratchs da a luce di alta intensità	3 graffi à 1 x lunghezza cumulativa di diametru di wafer		5 graffi à 1 x lunghezza cumulativa di diametru di wafer	5 graffi à 1 x lunghezza cumulativa di diametru di wafer
chip Edge	Nimu		3 permessi, ≤0.5mm ognunu	5 permessi, ≤ 1 mm ognunu
Cuntaminazione da luce di alta intensità	Nimu

Sales & Customer Service

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