Wafer di substratu semi-SiC 4H da 3 pollici è 76,2 mm Wafer di carburo di siliciu semi-insulanti SiC

Wafer di substratu semi-SiC 4H da 3 pollici è 76,2 mm Wafer di carburo di siliciu semi-insulanti in SiC Immagine presentata

Descrizzione breve:

Wafer di SiC monocristallu di alta qualità (Carburo di Siliciu) per l'industria elettronica è optoelettronica. U wafer di SiC di 3 pollici hè un materiale semiconduttore di prossima generazione, wafer semi-isolanti di carburo di siliciu di 3 pollici di diametru. I wafer sò destinati à a fabricazione di dispositivi di putenza, RF è optoelettronici.

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I wafer di substratu SiC (carburo di siliciu) semi-isolati di 3 pollici 4H sò un materiale semiconduttore cumunemente adupratu. 4H indica una struttura cristallina tetraesaedrica. Semi-isolamentu significa chì u substratu hà caratteristiche di resistenza elevata è pò esse in qualchì modu isolatu da u flussu di corrente.

Tali wafer di substratu anu e seguenti caratteristiche: alta conducibilità termica, bassa perdita di conduzione, eccellente resistenza à alte temperature è eccellente stabilità meccanica è chimica. Siccomu u carburu di siliciu hà un grande spaziu energeticu è pò sustene alte temperature è alte cundizioni di campu elettricu, i wafer semi-isolati 4H-SiC sò largamente aduprati in l'elettronica di putenza è in i dispositivi à radiofrequenza (RF).

L'applicazioni principali di i wafer semi-isolati 4H-SiC includenu:

1--Elettronica di putenza: I wafer 4H-SiC ponu esse aduprati per fabricà dispositivi di commutazione di putenza cum'è MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) è diodi Schottky. Quessi dispositivi anu perdite di conduzione è di commutazione più basse in ambienti à alta tensione è alta temperatura è offrenu una maggiore efficienza è affidabilità.

2--Dispositivi à Radiofrequenza (RF): I wafer semi-isolati 4H-SiC ponu esse aduprati per fabricà amplificatori di putenza RF d'alta putenza è alta frequenza, resistori di chip, filtri è altri dispositivi. U carburo di siliciu hà migliori prestazioni d'alta frequenza è stabilità termica per via di u so più grande tassu di deriva di saturazione di l'elettroni è di a so più alta conducibilità termica.

3--Dispositivi optoelettronici: i wafer semi-isolati 4H-SiC ponu esse aduprati per fabricà diodi laser di alta putenza, rilevatori di luce UV è circuiti integrati optoelettronici.

In termini di direzzione di u mercatu, a dumanda di wafer semi-isolati 4H-SiC hè in crescita cù i campi in crescita di l'elettronica di putenza, RF è optoelettronica. Questu hè duvutu à u fattu chì u carburo di siliciu hà una vasta gamma di applicazioni, cumprese l'efficienza energetica, i veiculi elettrici, l'energie rinnuvevuli è e cumunicazioni. In u futuru, u mercatu di i wafer semi-isolati 4H-SiC ferma assai promettente è si prevede chì rimpiazzerà i materiali di siliciu cunvinziunali in varie applicazioni.