Wafers SiC da 4 pollici 6H Substrati SiC semi-isolanti di prima, di ricerca è di qualità fittizia

Wafers SiC da 4 inch 6H Substrati SiC semi-isolanti Prime, ricerca è qualità dummy Image Featured Image

Descrizione breve:

U sustrato di carburu di siliciu semi-insulatu hè furmatu da tagliu, macinazione, lucidatura, pulizia è altre tecnulugia di trasfurmazioni dopu a crescita di cristalli di carburu di siliciu semi-insulatu.Una strata o una strata di cristalli multistrati hè cultivata nantu à u sustrato chì risponde à i requisiti di qualità cum'è epitaxie, è dopu u dispusitivu RF à microonde hè fattu cumminendu u disignu di u circuitu è l'imballu.Disponibile cum'è 2inch 3inch 4incgh 6inch 8 inch sustrati industriali, di ricerca è di prova di qualità semi-insulati di carburu di siliciu unicu cristallu.

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Specificazione di u produttu

Grade			Zero MPD Production Grade (Z Grade)			Grade di Produzione Standard (Gradu P)		Dummy Grade (gradu D)
Diamitru			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm±25 μm
Orientazione Wafer			Off asse : 4,0 ° versu < 1120 > ± 0,5 ° per 4H-N, In asse : <0001>± 0,5 ° per 4H-SI
	4H-SI		≤ 1 cm^-2			≤ 5 cm^-2		≤ 15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientazione Piana Primaria		{10-10} ± 5,0 °
Lunghezza piatta primaria		32,5 mm ± 2,0 mm
Lunghezza Flat Secondaria		18,0 mm ± 2,0 mm
Orientazione Piana Secundaria		Silicone a faccia in su: 90 ° CW.da Prime flat ± 5,0 °
Exclusion di Edge		3 mm
LTV/TTV/Arcu/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosità			C faccia				Pulaccu		Ra≤1 nm
			Si faccia	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra ≤ 0,5 nm
Cracks Edge Da Luce Alta Intensità		Nimu						Lunghezza cumulativa ≤ 10 mm, unicu lunghezza ≤ 2 mm
Piastre Hex Per Luce Alta Intensità		Area cumulativa ≤0.05%						Area cumulativa ≤0.1%
Zone Polytype Per Luce Alta Intensità		Nimu						Area cumulativa ≤ 3%
Inclusioni Visual Carbon		Area cumulativa ≤0.05%						Area cumulativa ≤3%
A superficia di silicone graffia da a luce di alta intensità		Nimu						Lunghezza cumulativa ≤ 1 ＊ diametru di wafer
Edge Chips High By Intensity Light		Nisunu permessu ≥0.2 mm larghezza è prufundità						5 permessi, ≤1 mm ognunu
Contaminazione di a Superficia di Siliciu Per Alta Intensità		Nimu
Imballaggio		Cassette multi-wafer o contenitore di wafer unicu