4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch pruduzzione Dummy grade substratu di carburo di siliciu Dia150mm

4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch pruduzzione Dummy grade Dia150mm substratu di carburo di siliciu Imagine presentata

Descrizzione corta:

Pudemu furnisce substrati di film sottili superconduttori à alta temperatura, film sottili magnetichi è substrati di film sottili ferroelettrici, cristalli semiconduttori, cristalli ottici, materiali di cristalli laser, à u listessu tempu furnisce servizii di orientazione, taglio di cristalli, molatura, lucidatura è altri servizii di trasfurmazione. I nostri substrati di SiC venenu da a fabbrica Tankeblue in Cina.

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Funziunalità

Specificazione di u substratu di carburo di siliciu (SiC) di 6 pollici di diametru

Gradu	Zero MPD	Pruduzzione	Gradu di Ricerca	Gradu fittiziu
Diametru	150,0 mm ± 0,25 mm
Spessore	4H-N	350um ± 25um
	4H-SI	500um ± 25um
Orientazione di a cialda	Nant'à l'asse: <0001> ±0,5° per 4H-SI Fora d'asse: 4,0° versu <1120> ± 0,5° per 4H-N
Appartamentu Primariu	{10-10}±5.0°
Lunghezza piatta primaria	47,5 mm ± 2,5 mm
Esclusione di u bordu	3mm
TTV/Arcu/Orditu	≤15um/≤40um/≤60um
Densità di i microtubi	≤1cm-2	≤5cm-2	≤15cm-2	≤50cm-2
Resistività 4H-N 4H-SI	0,015~0,028Ω!cm
	≥1E5Ω!cm
Rugosità	Pulitura Ra ≤1nm CMP Ra ≤0.5nm
#Crepe da luce d'alta intensità	Nimu		1 permessu, ≤2mm	Lunghezza cumulativa ≤10mm, lunghezza unica ≤2mm
* Piastre esagonali per luce d'alta intensità	Area cumulativa ≤1%		Area cumulativa ≤ 2%	Area cumulativa ≤ 5%
*Zone politipate da luce d'alta intensità	Nimu		Area cumulativa ≤ 2%	Area cumulativa ≤ 5%
*&Graffi da luce à alta intensità	3 graffi à 1 x diametru di a cialda lunghezza cumulativa		5 graffi à 1 x diametru di a cialda lunghezza cumulativa	5 graffi à 1 x diametru di a cialda lunghezza cumulativa
Chip di bordu	Nimu		3 permessi, ≤0,5 mm ognunu	5 permessi, ≤1mm ognunu
Cuntaminazione da luce d'alta intensità	Nimu

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