GaN di 50,8 mm è 2 pollici nantu à una cialda Epi-layer di zaffiro
Applicazione di foglia epitassiale di nitruro di galliu GaN
Basatu annantu à e prestazioni di u nitruru di galliu, i chip epitaxiali di nitruru di galliu sò principalmente adatti per applicazioni di alta putenza, alta frequenza è bassa tensione.
Si riflette in:
1) Bandgap elevata: Una bandagap elevata migliora u livellu di tensione di i dispositivi di nitruro di galliu è pò pruduce una putenza più alta cà i dispositivi di arseniuro di galliu, chì hè particularmente adatta per e stazioni base di cumunicazione 5G, radar militari è altri campi;
2) Alta efficienza di cunversione: a resistenza di i dispositivi elettronichi di putenza di commutazione di nitruro di galliu hè 3 ordini di grandezza inferiore à quella di i dispositivi di silicone, ciò chì pò riduce significativamente a perdita di commutazione;
3) Alta cunduttività termica: l'alta cunduttività termica di u nitruru di galliu face chì abbia una eccellente prestazione di dissipazione di u calore, adatta per a pruduzzione di dispositivi di alta putenza, alta temperatura è altri campi;
4) Forza di u campu elettricu di rottura: Ancu s'è a forza di u campu elettricu di rottura di u nitruru di galliu hè vicina à quella di u nitruru di siliciu, per via di u prucessu di semiconduttore, a discrepanza di u reticolo di materiale è altri fattori, a tolleranza di tensione di i dispositivi di nitruru di galliu hè di solitu circa 1000V, è a tensione d'usu sicuru hè di solitu inferiore à 650V.
| Articulu | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Dimensioni | è 50,8 mm ± 0,1 mm | ||
| Spessore | 4,5 ± 0,5 µm | 4,5 ± 0,5 µm | |
| Orientazione | Pianu C (0001) ±0,5° | ||
| Tipu di cunduzione | Tipu N (senza dopaggio) | Tipu N (dopatu cù Si) | Tipu P (dopatu cù Mg) |
| Resistività (3O0K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Cuncentrazione di u trasportatore | < 5x1017centimetri-3 | > 1x1018centimetri-3 | > 6x1016 cm-3 |
| Mobilità | ~ 300 centimetri2/Vs | ~ 200 centimetri2/Vs | ~ 10 centimetri2/Vs |
| Densità di dislocazione | Menu di 5x108centimetri-2(calculatu da FWHMs di XRD) | ||
| Struttura di u substratu | GaN nantu à Zaffiru (Standard: Opzione SSP: DSP) | ||
| Superficie utilizabile | > 90% | ||
| Pacchettu | Imballatu in un ambiente di camera bianca di classe 100, in cassette di 25 pezzi o contenitori di wafer singoli, sottu atmosfera di azotu. | ||
* L'altri spessori ponu esse persunalizati
Diagramma dettagliatu
