GaN da 50,8 mm 2 pollici su wafer Epi-layer di zaffiro

Basatu nantu à u rendiment di nitruru di galiu, i chips epitassiali di nitruru di galiu sò principalmente adattati per applicazioni di alta putenza, alta frequenza è bassa tensione.

Hè riflessu in:

1) High bandgap: High bandgap migliurà u livellu di tensione di i dispusitivi di nitruru di galiu è pò pruduce una putenza più altu ch'è i dispositi di arsenidu di galiu, chì hè particularmente adattatu per stazioni di basa di cumunicazione 5G, radar militari è altri campi;

2) Alta efficienza di cunversione: a resistenza di i dispusitivi elettronichi di putenza di commutazione di nitruru di gallio hè 3 ordini di grandezza più bassu di quellu di i dispositi di siliciu, chì ponu riduce significativamente a perdita di commutazione;

3) Alta conductività termale: l'alta conductività termale di u nitruru di gallu li face un eccellente rendimentu di dissipazione di u calore, adattatu per a produzzione di apparecchi d'alta putenza, alta temperatura è altri campi di dispusitivi;

4) Forza di u campu elettricu di scomposizione: Ancu s'è a forza di u campu elettricu di ruptura di nitruru di galiu hè vicinu à quella di nitruru di siliciu, per via di u prucessu di semiconductor, u discordanza di u reticulu di materiale è altri fattori, a tolleranza di tensione di i dispositi di nitruru di gallio hè di solitu circa 1000V, è u voltage usu sicuru hè di solitu sottu 650V.

* Un altru spessore pò esse persunalizatu