GaN da 50,8 mm 2 pollici su wafer Epi-layer di zaffiro
Applicazione di foglia epitassiale GaN di nitruru di gallu
Basatu nantu à u rendiment di nitruru di galiu, i chips epitassiali di nitruru di galiu sò principalmente adattati per applicazioni di alta putenza, alta frequenza è bassa tensione.
Hè riflessu in:
1) High bandgap: High bandgap migliurà u livellu di tensione di i dispusitivi di nitruru di galiu è pò pruduce una putenza più altu ch'è i dispositi di arsenidu di galiu, chì hè particularmente adattatu per stazioni di basa di cumunicazione 5G, radar militari è altri campi;
2) Alta efficienza di cunversione: a resistenza di i dispusitivi elettronichi di putenza di commutazione di nitruru di gallio hè 3 ordini di grandezza più bassu di quellu di i dispositi di siliciu, chì ponu riduce significativamente a perdita di commutazione;
3) Alta conductività termale: l'alta conductività termale di u nitruru di gallu face un eccellente rendimentu di dissipazione di u calore, adattatu per a produzzione d'alta putenza, alta temperatura è altri campi di dispusitivi;
4) Forza di u campu elettricu di scomposizione: Ancu s'è a forza di u campu elettricu di ruptura di nitruru di galiu hè vicinu à quella di nitruru di siliciu, per via di u prucessu di semiconductor, u discordanza di u reticulu di materiale è altri fattori, a tolleranza di tensione di i dispositi di nitruru di gallio hè di solitu circa 1000V, è u voltage usu sicuru hè di solitu sottu 650V.
| Articulu | GaN-TCU-C50 | GaN-TCN-C50 | GaN-TCP-C50 |
| Dimensioni | e 50,8 mm ± 0,1 mm | ||
| Spessore | 4,5 ± 0,5 um | 4,5 ± 0,5 um | |
| Orientazione | Pianu C (0001) ± 0,5 ° | ||
| Tipu di cunduzzione | Tipu N (senza dopatu) | Tipu N (Si-doped) | Tipu P (Mg-dopato) |
| Resistività (3O0K) | < 0,5 Q・cm | < 0,05 Q・cm | ~ 10 Q・cm |
| Cuncentrazione di Carrier | < 5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 | > 6x1016 cm-3 |
| A mobilità | ~ 300 cm2/ Vs | ~ 200 cm2/ Vs | ~ 10 cm2/ Vs |
| Densità di dislocazione | Meno di 5x108cm-2(calculate da FWHM di XRD) | ||
| Struttura di u substratu | GaN nantu à Sapphire (Standard: Opzione SSP: DSP) | ||
| Superficie utilizzabile | > 90% | ||
| Pacchettu | Imballatu in un ambiente di stanza pulita di classe 100, in cassette di 25 pezzi o cuntenituri di wafer unichi, sottu una atmosfera di nitrogenu. | ||
* Un altru spessore pò esse persunalizatu
Diagramma detallatu
